Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates (1999)
- Authors:
- USP affiliated authors: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1006/spmi.1998.0667
- Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Superlattices and Microstructures
- ISSN: 0749-6036
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 25, n. 1/2, p. 405-411, 1999
- Este artigo NÃO possui versão em acesso aberto
-
Status: Nenhuma versão em acesso aberto identificada -
ABNT
TABATA, A. et al. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, v. 25, n. 1/2, p. 405-411, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667. Acesso em: 17 mar. 2026. -
APA
Tabata, A., Martini, S., Quivy, A. A., Ceschin, A. M., & Leite, J. R. (1999). Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates. Superlattices and Microstructures, 25( 1/2), 405-411. doi:10.1006/spmi.1998.0667 -
NLM
Tabata A, Martini S, Quivy AA, Ceschin AM, Leite JR. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 405-411.[citado 2026 mar. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667 -
Vancouver
Tabata A, Martini S, Quivy AA, Ceschin AM, Leite JR. Carriers escape mechanisms in shallow InGaAs/GaAs quantum wells grown on vicinal (001) GaAs substrates [Internet]. Superlattices and Microstructures. 1999 ; 25( 1/2): 405-411.[citado 2026 mar. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1006/spmi.1998.0667 - Step-bunching instability in InGaAs/GaAs quantum wells grown on GaAs(001) vicinal surfaces by molecular beam epitaxy
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| Tipo | Nome | Link | |
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1-s2.0-S074960369890667X-... |
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