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Artigo de periodico
Temperature influence on analog parameters of vertical nanowire transistors (2025)
Venuto, Vanessa Cristina Pereira da Silva ; Ribeiro, Arllen dos Reis; Martino, João Antonio ; Veloso, Anabela; Horiguchi, Naoto; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidades: EESC, EP
Assunto: ENGENHARIA ELÉTRICA
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ABNT
VENUTO, Vanessa Cristina Pereira da Silva et al. Temperature influence on analog parameters of vertical nanowire transistors. Solid State Electronics, v. 229, p. 1-5, 2025Tradução . . Disponível em: https://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2025.109206. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Venuto, V. C. P. da S., Ribeiro, A. dos R., Martino, J. A., Veloso, A., Horiguchi, N., & Agopian, P. G. D. (2025). Temperature influence on analog parameters of vertical nanowire transistors. Solid State Electronics, 229, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2025.109206
NLM
Venuto VCP da S, Ribeiro A dos R, Martino JA, Veloso A, Horiguchi N, Agopian PGD. Temperature influence on analog parameters of vertical nanowire transistors [Internet]. Solid State Electronics. 2025 ; 229 1-5.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2025.109206
Vancouver
Venuto VCP da S, Ribeiro A dos R, Martino JA, Veloso A, Horiguchi N, Agopian PGD. Temperature influence on analog parameters of vertical nanowire transistors [Internet]. Solid State Electronics. 2025 ; 229 1-5.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2025.109206
Artigo de periodico
An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET (2024)
Yojo, Leonardo Shimizu; Rangel, R C; Duarte, Pedro Henrique; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Martino, João Antonio
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: GLICOSE, DRENAGEM, TRANSISTORES
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ABNT
YOJO, Leonardo Shimizu et al. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET. Solid State Electronics, v. 211, n. Ja 2024, p. 1-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Yojo, L. S., Rangel, R. C., Duarte, P. H., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2024). An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET. Solid State Electronics, 211( Ja 2024), 1-6. doi:10.1016/j.sse.2023.108830
NLM
Yojo LS, Rangel RC, Duarte PH, Sasaki KRA, Martino JA. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ;211( Ja 2024): 1-6.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830
Vancouver
Yojo LS, Rangel RC, Duarte PH, Sasaki KRA, Martino JA. An enzymatic glucose biosensor using the BESOI MOSFET [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ;211( Ja 2024): 1-6.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108830
Artigo de periodico
Study of ISFET for KCl sensing (2024)
Duarte, Pedro Henrique; Rangel, Ricardo Cardoso; Sasaki, Kátia Regina Akemi ; Martino, João Antonio
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, PERÓXIDO DE HIDROGÊNIO, SENSORES BIOMÉDICOS
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ABNT
DUARTE, Pedro Henrique et al. Study of ISFET for KCl sensing. Solid State Electronics, v. 219, p. 1-5, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Duarte, P. H., Rangel, R. C., Sasaki, K. R. A., & Martino, J. A. (2024). Study of ISFET for KCl sensing. Solid State Electronics, 219, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2024.108974
NLM
Duarte PH, Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Study of ISFET for KCl sensing [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ; 219 1-5.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974
Vancouver
Duarte PH, Rangel RC, Sasaki KRA, Martino JA. Study of ISFET for KCl sensing [Internet]. Solid State Electronics. 2024 ; 219 1-5.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2024.108974
Artigo de periodico
Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis (2023)
Silva, Wenita de Lima; Toledo, Rodrigo do Nascimento; Gonçalez Filho, Walter; Nogueira, Alexandro de Moraes; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, NANOTECNOLOGIA
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ABNT
SILVA, Wenita de Lima et al. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, v. 202, p. 1-8, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Silva, W. de L., Toledo, R. do N., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2023). Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis. Solid State Electronics, 202, 1-8. doi:10.1016/j.sse.2023.108611
NLM
Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611
Vancouver
Silva W de L, Toledo R do N, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Agopian PGD, Martino JA. Comparison of low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel-FET experimental data including a simple process variability analysis [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 202 1-8.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108611
Artigo de periodico
Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications (2023)
Silva, V C P; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, TEMPERATURA, NANOTECNOLOGIA, CIRCUITOS ANALÓGICOS, CIRCUITOS DIGITAIS
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ABNT
SILVA, V C P et al. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-5, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Silva, V. C. P., Martino, J. A., Simoen, E., Veloso, A., & Agopian, P. G. D. (2023). Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-5. doi:10.1016/j.sse.2023.108729
NLM
Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729
Vancouver
Silva VCP, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Evaluation of n-type gate-all-around vertically-stacked nanosheet FETs from 473 K down to 173 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ;208 1-5.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108729
Artigo de periodico
Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications (2023)
Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, SEMICONDUTORES
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ABNT
PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742
NLM
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742
Vancouver
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450 K down to 200 K for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742
Artigo de periodico
Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications (2023)
Perina, Welder Fernandes; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Peralagu, Uthayasankaran; Collaert, Nadine ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
PERINA, Welder Fernandes et al. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, v. 208, p. 1-4, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Perina, W. F., Martino, J. A., Simoen, E., Peralagu, U., Collaert, N., & Agopian, P. G. D. (2023). Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications. Solid State Electronics, 208, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2023.108742
NLM
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742
Vancouver
Perina WF, Martino JA, Simoen E, Peralagu U, Collaert N, Agopian PGD. Experimental study of MISHEMT from 450k down to 200 k for analog applications [Internet]. Solid State Electronics. 2023 ; 208 1-4.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2023.108742
Artigo de periodico
Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature (2022)
Silva, Vanessa Cristina Pereira da; Martino, João Antonio ; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, ALTA TEMPERATURA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Vanessa Cristina Pereira da et al. Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature. Solid State Electronics, v. 191, p. 1-8, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108267. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Silva, V. C. P. da, Martino, J. A., Simoen, E., Veloso, A., & Agopian, P. G. D. (2022). Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature. Solid State Electronics, 191, 1-8. doi:10.1016/j.sse.2022.108267
NLM
Silva VCP da, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;191 1-8.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108267
Vancouver
Silva VCP da, Martino JA, Simoen E, Veloso A, Agopian PGD. Trade-off analysis between gm/ID and fT of nanosheet NMOS transistors with different metal gate stack at high temperature [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;191 1-8.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108267
Artigo de periodico
Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C (2022)
Sousa, Julia Cristina Soares; Perina, Welder F; Rangel, Roberto; Simoen, Eddy ; Veloso, Anabela; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: NANOTECNOLOGIA, CIRCUITOS ANALÓGICOS, TRANSISTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUSA, Julia Cristina Soares et al. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C. Solid State Electronics, v. 189, p. 1-9, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Sousa, J. C. S., Perina, W. F., Rangel, R., Simoen, E., Veloso, A., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C. Solid State Electronics, 189, 1-9. doi:10.1016/j.sse.2022.108238
NLM
Sousa JCS, Perina WF, Rangel R, Simoen E, Veloso A, Martino JA, Agopian PGD. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;189 1-9.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238
Vancouver
Sousa JCS, Perina WF, Rangel R, Simoen E, Veloso A, Martino JA, Agopian PGD. Design of operational transconductance amplifier with gate-all-around nanosheet MOSFET using experimental data from room temperature to 200°C [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ;189 1-9.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108238
Artigo de periodico
Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data (2022)
Toledo, Rodrigo do Nascimento; Silva, Wenita de Lima; Gonçalez Filho, Walter; Nogueira, Alexandro de Moraes; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: TRANSISTORES, CONDUTIVIDADE ELÉTRICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOLEDO, Rodrigo do Nascimento et al. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, v. 194, p. 1-4, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Toledo, R. do N., Silva, W. de L., Gonçalez Filho, W., Nogueira, A. de M., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2022). Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data. Solid State Electronics, 194, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2022.108328
NLM
Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328
Vancouver
Toledo R do N, Silva W de L, Gonçalez Filho W, Nogueira A de M, Martino JA, Agopian PGD. Comparison between low-dropout voltage regulators designed with line and nanowire tunnel field effect transistors using experimental data [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108328
Artigo de periodico
Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs (2022)
Mori, Carlos Augusto Bergfeld; Martens, Koen; Simoen, Eddy ; Van Dorpe, Pol; Agopian, Paula Ghedini Der ; Martino, João Antonio
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Subjects: NANOELETRÔNICA, DNA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MORI, Carlos Augusto Bergfeld et al. Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs. Solid State Electronics, v. 194, p. 1-4, 2022Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108358. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Mori, C. A. B., Martens, K., Simoen, E., Van Dorpe, P., Agopian, P. G. D., & Martino, J. A. (2022). Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs. Solid State Electronics, 194, 1-4. doi:10.1016/j.sse.2022.108358
NLM
Mori CAB, Martens K, Simoen E, Van Dorpe P, Agopian PGD, Martino JA. Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108358
Vancouver
Mori CAB, Martens K, Simoen E, Van Dorpe P, Agopian PGD, Martino JA. Signal to noise ratio in nanoscale bioFETs [Internet]. Solid State Electronics. 2022 ; 194 1-4.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2022.108358
Artigo de periodico
Oscillation of the scattering time in a 2d electron system with oval antidots (1996)
Gusev, Guennadii Michailovich ; Kleber, X; Gennser, U; Maude, D K; Portal, J C; Lubyshev, D I; Basmaji, Pierre; Silva, M P A; Rossi, J C; Nastaushev, Y V; Baklanov, M R
Source: Solid State Electronics. Unidade: IFSC
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Oscillation of the scattering time in a 2d electron system with oval antidots. Solid State Electronics, v. 40, n. 1-8, p. 441-6, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0038-1101(95)00307-x. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Gusev, G. M., Kleber, X., Gennser, U., Maude, D. K., Portal, J. C., Lubyshev, D. I., et al. (1996). Oscillation of the scattering time in a 2d electron system with oval antidots. Solid State Electronics, 40( 1-8), 441-6. doi:10.1016/0038-1101(95)00307-x
NLM
Gusev GM, Kleber X, Gennser U, Maude DK, Portal JC, Lubyshev DI, Basmaji P, Silva MPA, Rossi JC, Nastaushev YV, Baklanov MR. Oscillation of the scattering time in a 2d electron system with oval antidots [Internet]. Solid State Electronics. 1996 ;40( 1-8): 441-6.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1101(95)00307-x
Vancouver
Gusev GM, Kleber X, Gennser U, Maude DK, Portal JC, Lubyshev DI, Basmaji P, Silva MPA, Rossi JC, Nastaushev YV, Baklanov MR. Oscillation of the scattering time in a 2d electron system with oval antidots [Internet]. Solid State Electronics. 1996 ;40( 1-8): 441-6.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0038-1101(95)00307-x
Artigo de periodico
A precise method to determine the stress current to be applied to electromigration test structures (1996)
Torres, Luiz Carlos Molina; Verdonck, Patrick Bernard
Source: Solid State Electronics. Unidade: EP
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TORRES, Luiz Carlos Molina e VERDONCK, Patrick Bernard. A precise method to determine the stress current to be applied to electromigration test structures. Solid State Electronics, v. 39, n. 12, p. 1805-1807, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(96)00077-9. Acesso em: 02 maio 2026.
APA
Torres, L. C. M., & Verdonck, P. B. (1996). A precise method to determine the stress current to be applied to electromigration test structures. Solid State Electronics, 39( 12), 1805-1807. doi:10.1016/s0038-1101(96)00077-9
NLM
Torres LCM, Verdonck PB. A precise method to determine the stress current to be applied to electromigration test structures [Internet]. Solid State Electronics. 1996 ;39( 12): 1805-1807.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(96)00077-9
Vancouver
Torres LCM, Verdonck PB. A precise method to determine the stress current to be applied to electromigration test structures [Internet]. Solid State Electronics. 1996 ;39( 12): 1805-1807.[citado 2026 maio 02 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(96)00077-9

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