A precise method to determine the stress current to be applied to electromigration test structures (1996)
- Authors:
- USP affiliated authors: VERDONCK, PATRICK BERNARD - EP ; TORRES, LUIZ CARLOS MOLINA - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/s0038-1101(96)00077-9
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Solid State Electronics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.39, n.12, p.1805-1807, Dec. 1996
- Este artigo NÃO possui versão em acesso aberto
-
Status: Nenhuma versão em acesso aberto identificada -
ABNT
TORRES, Luiz Carlos Molina e VERDONCK, Patrick Bernard. A precise method to determine the stress current to be applied to electromigration test structures. Solid State Electronics, v. 39, n. 12, p. 1805-1807, 1996Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(96)00077-9. Acesso em: 11 mar. 2026. -
APA
Torres, L. C. M., & Verdonck, P. B. (1996). A precise method to determine the stress current to be applied to electromigration test structures. Solid State Electronics, 39( 12), 1805-1807. doi:10.1016/s0038-1101(96)00077-9 -
NLM
Torres LCM, Verdonck PB. A precise method to determine the stress current to be applied to electromigration test structures [Internet]. Solid State Electronics. 1996 ;39( 12): 1805-1807.[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(96)00077-9 -
Vancouver
Torres LCM, Verdonck PB. A precise method to determine the stress current to be applied to electromigration test structures [Internet]. Solid State Electronics. 1996 ;39( 12): 1805-1807.[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(96)00077-9 - Tecnologia CMOS /NMOS linha n de 3 micra: relatório técnico, nov.86-fev.87
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| Tipo | Nome | Link | |
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1-s2.0-S0038110196000779-... |
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