Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada (1987)
- Authors:
- Autor USP: TORRES, LUIS CARLOS MOLINA - EP
- Unidade: EP
- Sigla do Departamento: PEL
- Subjects: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS; SILÍCIO
- Language: Português
- Abstract: Apresentamos neste trabalho o desenvolvimento de uma tecnologia CMOS, que utiliza transistores com estrutura do tipo fechada, assim como, o projeto detalhado de cada uma das etapas do processo para a sua obtenção. Apresentamos inicialmente uma análise da estrutura do tipo fechada onde mostramos a economia obtida em área em relação à tecnologia porta de alumínio e o melhor desempenho em velocidade em relação a outras tecnologias CMOS. Como a tecnologia proposta utiliza porta de silício-poli, e o LME não dispunha deste processo, realizamos um trabalho bastante completo sobre a obtenção de camadas de silício-poli utilizando a técnica CVD, destinadas à confecção de transistores MOS e linhas de interconexão. A seguir, apresentamos uma sequência de etapas de processos com a finalidade e detalhes do projeto de cada etapa, destinadas à obtenção de uma tecnologia CMOS de 1000 A de espessura de óxido de porta para utilização em até 15 V. Apresentamos, também, um projeto alternativo, totalmente implantado, onde podemos trabalhar com óxidos de porta de espessura inferior a 1000 A. Realizamos a seguir, um estudo teórico sobre as p0rincipais regras de leiaute que devem ser observadas no projeto de circuitos com esta tecnologia. Discutimos ainda a finalidade de cada dispositivo que faz parte das pastilhas teste, destinadas à caracterização física e elétrica desta tecnologia. Finalmente, apresentamos os resultados referentes à caracterização dos dispositivos. Baseando-nos nestes resultados, concluímos este trabalho com alguns comentários e sugestões sobre o assunto.
- Imprenta:
- Data da defesa: 25.08.1987
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ABNT
TORRES, Luis Carlos Molina. Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada. 1987. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 1987. . Acesso em: 12 jan. 2026. -
APA
Torres, L. C. M. (1987). Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Paulo. -
NLM
Torres LCM. Projeto e desenvolvimento de uma tecnologia CMOS com porta de silício policristalino e geometria fechada. 1987 ;[citado 2026 jan. 12 ] -
Vancouver
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