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  • Artigo de periodico

    Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant (2005)

    Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Martini, S; Silva, M J da; Leite, J. R.

    Source: Thin Solid Films. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, MATERIAIS, EFEITO HALL, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      LAMAS, T. E. et al. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1-2, p. 25-30, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Lamas, T. E., Quivy, A. A., Martini, S., Silva, M. J. da, & Leite, J. R. (2005). Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, 474( 1-2), 25-30. doi:10.1016/j.tsf.2004.08.004

    • NLM

      Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004

    • Vancouver

      Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004

  • Artigo de periodico

    Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region (2005)

    Silva, M J da; Quivy, A. A.; Martini, S; Lamas, T. E.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.

    Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SILVA, M J da et al. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region. Journal of Crystal Growth, v. 278, p. 103-107, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Silva, M. J. da, Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2005). Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region. Journal of Crystal Growth, 278, 103-107. doi:10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118

    • NLM

      Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 278 103-107.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118

    • Vancouver

      Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots with an optical response in the long-wavelength region [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 278 103-107.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2004.12.118

  • Artigo de periodico

    Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas (2005)

    Gusev, Guennadii Michailovich; Duarte, C A; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Bakarov, A K; Toropov, A I

    Source: Physical Review B. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, EFEITO HALL

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    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, v. 71, n. 16, p. 165311/1-165311/8, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Gusev, G. M., Duarte, C. A., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Bakarov, A. K., & Toropov, A. I. (2005). Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas. Physical Review B, 71( 16), 165311/1-165311/8. doi:10.1103/physrevb.71.165311

    • NLM

      Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311

    • Vancouver

      Gusev GM, Duarte CA, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Bakarov AK, Toropov AI. Spin-dependent Hall effect in a parabolic well with a quasi-three-dimensional electron gas [Internet]. Physical Review B. 2005 ; 71( 16): 165311/1-165311/8.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.71.165311

  • Artigo de periodico

    Charge density wave instability in a parabolic well in perpendicular magnetic field (2004)

    Gousev, Guennadii Michailovich; Sergio, C. S.; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Estibals, O.; Portal, J. C.

    Source: Physica E - Low Dimensional Systems & Nanostructures. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA

    Acesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      GOUSEV, Guennadii Michailovich et al. Charge density wave instability in a parabolic well in perpendicular magnetic field. Physica E - Low Dimensional Systems & Nanostructures, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6VMT-4BT1FH9-2-2M&_cdi=6159&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=999779998&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=214ee51686c9a56ea86537ccc9a9fd57&ie=f.pdf. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Gousev, G. M., Sergio, C. S., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2004). Charge density wave instability in a parabolic well in perpendicular magnetic field. Physica E - Low Dimensional Systems & Nanostructures. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6VMT-4BT1FH9-2-2M&_cdi=6159&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=999779998&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=214ee51686c9a56ea86537ccc9a9fd57&ie=f.pdf

    • NLM

      Gousev GM, Sergio CS, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Charge density wave instability in a parabolic well in perpendicular magnetic field [Internet]. Physica E - Low Dimensional Systems & Nanostructures. 2004 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6VMT-4BT1FH9-2-2M&_cdi=6159&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=999779998&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=214ee51686c9a56ea86537ccc9a9fd57&ie=f.pdf

    • Vancouver

      Gousev GM, Sergio CS, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Charge density wave instability in a parabolic well in perpendicular magnetic field [Internet]. Physica E - Low Dimensional Systems & Nanostructures. 2004 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=MImg&_imagekey=B6VMT-4BT1FH9-2-2M&_cdi=6159&_orig=browse&_coverDate=04%2F30%2F2004&_sk=999779998&view=c&wchp=dGLbVlz-zSkWz&_acct=C000049650&_version=1&_userid=972067&md5=214ee51686c9a56ea86537ccc9a9fd57&ie=f.pdf

  • Artigo de periodico

    Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit (2004)

    Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Leite, J. R.

    Source: Physica E. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit. Physica E, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.12.015. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Leite, J. R. (2004). Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit. Physica E. doi:10.1016/j.physe.2003.12.015

    • NLM

      Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.12.015

    • Vancouver

      Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Transport of the quasi-three-dimensional hole gas in a magnetic field in the ultra-quantum limit [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.12.015

  • Artigo de periodico

    Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells (2004)

    Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Leite, J. R.

    Source: Physica E. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, NANOTECNOLOGIA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells. Physica E, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.11.223. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., & Leite, J. R. (2004). Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells. Physica E. doi:10.1016/j.physe.2003.11.223

    • NLM

      Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.11.223

    • Vancouver

      Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR. Transport properties of a quantum Hall ferromagnet in parabolic wells [Internet]. Physica E. 2004 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.physe.2003.11.223

  • Artigo de periodico

    Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates (2004)

    Monte, A F G; Soler, M A G; Silva, S W da; Rodrigues, B B D; Morais, P C; Quivy, A. A.; Leite, J. R.

    Source: Physica E. Unidade: IF

    Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MONTE, A F G et al. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates. Physica E, v. 23, n. 3-4, p. 466-470, 2004Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Monte, A. F. G., Soler, M. A. G., Silva, S. W. da, Rodrigues, B. B. D., Morais, P. C., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2004). Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates. Physica E, 23( 3-4), 466-470. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c

    • NLM

      Monte AFG, Soler MAG, Silva SW da, Rodrigues BBD, Morais PC, Quivy AA, Leite JR. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica E. 2004 ; 23( 3-4): 466-470.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c

    • Vancouver

      Monte AFG, Soler MAG, Silva SW da, Rodrigues BBD, Morais PC, Quivy AA, Leite JR. Carrier diffusion in InGaAs/GaAs quantum wells grow on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Physica E. 2004 ; 23( 3-4): 466-470.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=6159&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=17f1fea449f699588a0075ae9a65600c

  • Trabalho de evento-resumo

    Estudo da difusão de portadores em poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos sobre substratos vicinais de GaAs (001) (2004)

    Rodrigues, B. B. D; Monte, A. F. G; Soler, M. A. G; Silva, S. W. da; Morais, P. C; Quivy, A. A.; Leite, J. R.

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidade: IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

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    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      RODRIGUES, B. B. D et al. Estudo da difusão de portadores em poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos sobre substratos vicinais de GaAs (001). 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0080-1.pdf. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Rodrigues, B. B. D., Monte, A. F. G., Soler, M. A. G., Silva, S. W. da, Morais, P. C., Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2004). Estudo da difusão de portadores em poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos sobre substratos vicinais de GaAs (001). In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0080-1.pdf

    • NLM

      Rodrigues BBD, Monte AFG, Soler MAG, Silva SW da, Morais PC, Quivy AA, Leite JR. Estudo da difusão de portadores em poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos sobre substratos vicinais de GaAs (001) [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0080-1.pdf

    • Vancouver

      Rodrigues BBD, Monte AFG, Soler MAG, Silva SW da, Morais PC, Quivy AA, Leite JR. Estudo da difusão de portadores em poços quânticos de InGaAs/GaAs crescidos sobre substratos vicinais de GaAs (001) [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R0080-1.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    The influence of and InAs layer on the quantum mobility of two-dimensional electron GAS in GaAs/InGaAg selectively doped quantum wells (2004)

    Pagnossin, I. R; Silva, Emílio Carlos Nelli ; Quivy, A. A.; Martini, S; Sergio, C. S; Leite, J. R.

    Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Matéria Condensada. Unidades: EP, IF

    Assunto: MATÉRIA CONDENSADA

    PrivadoAcesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PAGNOSSIN, I. R et al. The influence of and InAs layer on the quantum mobility of two-dimensional electron GAS in GaAs/InGaAg selectively doped quantum wells. 2004, Anais.. São Paulo: SBF, 2004. Disponível em: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1061-1.pdf. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Pagnossin, I. R., Silva, E. C. N., Quivy, A. A., Martini, S., Sergio, C. S., & Leite, J. R. (2004). The influence of and InAs layer on the quantum mobility of two-dimensional electron GAS in GaAs/InGaAg selectively doped quantum wells. In Resumos. São Paulo: SBF. Recuperado de http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1061-1.pdf

    • NLM

      Pagnossin IR, Silva ECN, Quivy AA, Martini S, Sergio CS, Leite JR. The influence of and InAs layer on the quantum mobility of two-dimensional electron GAS in GaAs/InGaAg selectively doped quantum wells [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1061-1.pdf

    • Vancouver

      Pagnossin IR, Silva ECN, Quivy AA, Martini S, Sergio CS, Leite JR. The influence of and InAs layer on the quantum mobility of two-dimensional electron GAS in GaAs/InGaAg selectively doped quantum wells [Internet]. Resumos. 2004 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: http://www.sbf1.sbfisica.org.br/eventos/enfmc/xxvii/sys/resumos/R1061-1.pdf

  • Artigo de periodico

    InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' (2003)

    Silva, M J da; Quivy, A. A.; Martini, S; Lamas, T E; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: MATERIAIS, ESTRUTURA DOS MATERIAIS, FILMES FINOS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, M J da et al. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'. Applied Physics Letters, v. 82, n. 16, p. 2646-2648, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.1569053. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Silva, M. J. da, Quivy, A. A., Martini, S., Lamas, T. E., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu'. Applied Physics Letters, 82( 16), 2646-2648. doi:10.1063/1.1569053

    • NLM

      Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 16): 2646-2648.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1569053

    • Vancouver

      Silva MJ da, Quivy AA, Martini S, Lamas TE, Silva ECF da, Leite JR. InAs/GaAs quantum dots optically active at 1.5 'mu' [Internet]. Applied Physics Letters. 2003 ; 82( 16): 2646-2648.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.1569053

  • Artigo de periodico

    CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots (2003)

    Cruz, J M R; Sales, F V de; Silva, S W da; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.

    Source: Physica E. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      CRUZ, J M R et al. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 107-108, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Cruz, J. M. R., Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots. Physica E, 17( 1-4), 107-108. doi:10.1016/s1386-9477(02)00721-x

    • NLM

      Cruz JMR, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 107-108.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x

    • Vancouver

      Cruz JMR, Sales FV de, Silva SW da, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. CW photoluminescence determination of the capture cross-section of self-assembled InAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 107-108.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00721-x

  • Artigo de periodico

    Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots (2003)

    Sales, F V de; Silva, S W da; Cruz, J M R; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.

    Source: Physica E. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SALES, F V de et al. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots. Physica E, v. 17, n. 1-4, p. 120-121, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Cruz, J. M. R., Soler, M. A. G., Morais, P. C., Silva, M. J. da, et al. (2003). Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots. Physica E, 17( 1-4), 120-121. doi:10.1016/s1386-9477(02)00739-7

    • NLM

      Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 120-121.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7

    • Vancouver

      Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Observation of the spectral dependence of the spatial photocarrier redistribution in InAs/GaAs quantum dots [Internet]. Physica E. 2003 ; 17( 1-4): 120-121.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00739-7

  • Artigo de periodico

    H-band emission in single heterojunctions (2003)

    Qu, Fanyao; Lino, Antônio Tadeu; Dantas, N O; Morais, P C; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.

    Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      QU, Fanyao et al. H-band emission in single heterojunctions. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 755-757, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00119-8. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Qu, F., Lino, A. T., Dantas, N. O., Morais, P. C., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2003). H-band emission in single heterojunctions. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 755-757. doi:10.1016/s0026-2692(03)00119-8

    • NLM

      Qu F, Lino AT, Dantas NO, Morais PC, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. H-band emission in single heterojunctions [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 755-757.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00119-8

    • Vancouver

      Qu F, Lino AT, Dantas NO, Morais PC, Silva ECF da, Quivy AA, Leite JR. H-band emission in single heterojunctions [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 755-757.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00119-8

  • Artigo de periodico

    Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon (2003)

    Lamas, T. E.; Martini, S; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.

    Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      LAMAS, T. E. et al. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 701-703, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Lamas, T. E., Martini, S., Silva, M. J. da, Quivy, A. A., & Leite, J. R. (2003). Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 701-703. doi:10.1016/s0026-2692(03)00106-x

    • NLM

      Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x

    • Vancouver

      Lamas TE, Martini S, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs(001) layers doped with silicon [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 701-703.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00106-x

  • Artigo de periodico

    Influence of illumination on the quantum mobility of a two-dimensional electron gas in Si 'sigma'-doped 'GaAs/In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As quantum wells (2003)

    Cavalheiro, A; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; Takahashi, E K; Martini, S; Silva, M J da; Meneses, E A; Leite, J. R.

    Source: Journal of Physics: Condensed Matter. Unidade: IF

    Assunto: SUPERCONDUTIVIDADE

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    • ABNT

      CAVALHEIRO, A et al. Influence of illumination on the quantum mobility of a two-dimensional electron gas in Si 'sigma'-doped 'GaAs/In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As quantum wells. Journal of Physics: Condensed Matter, v. 15, n. 2, p. 121-132, 2003Tradução . . Disponível em: http://ej.iop.org/links/q87/UGqnwPFy6IAHtfZURvYaBg/c30212.pdf. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Cavalheiro, A., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., Takahashi, E. K., Martini, S., Silva, M. J. da, et al. (2003). Influence of illumination on the quantum mobility of a two-dimensional electron gas in Si 'sigma'-doped 'GaAs/In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As quantum wells. Journal of Physics: Condensed Matter, 15( 2), 121-132. Recuperado de http://ej.iop.org/links/q87/UGqnwPFy6IAHtfZURvYaBg/c30212.pdf

    • NLM

      Cavalheiro A, Silva ECF da, Quivy AA, Takahashi EK, Martini S, Silva MJ da, Meneses EA, Leite JR. Influence of illumination on the quantum mobility of a two-dimensional electron gas in Si 'sigma'-doped 'GaAs/In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As quantum wells [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2003 ; 15( 2): 121-132.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: http://ej.iop.org/links/q87/UGqnwPFy6IAHtfZURvYaBg/c30212.pdf

    • Vancouver

      Cavalheiro A, Silva ECF da, Quivy AA, Takahashi EK, Martini S, Silva MJ da, Meneses EA, Leite JR. Influence of illumination on the quantum mobility of a two-dimensional electron gas in Si 'sigma'-doped 'GaAs/In IND.0.15' 'Ga IND.0.85'As quantum wells [Internet]. Journal of Physics: Condensed Matter. 2003 ; 15( 2): 121-132.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: http://ej.iop.org/links/q87/UGqnwPFy6IAHtfZURvYaBg/c30212.pdf

  • Artigo de periodico

    Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm (2003)

    Silva, M J da; Martini, S; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.

    Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, M J da et al. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 631-633, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Silva, M. J. da, Martini, S., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 631-633. doi:10.1016/s0026-2692(03)00066-1

    • NLM

      Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 631-633.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1

    • Vancouver

      Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Low growth rate InAs/GaAs quantum dots for room-temperature luminescence over 1.3 'mu'm [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 631-633.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00066-1

  • Artigo de periodico

    Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well (2003)

    Sergio, C S; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T E; Leite, J. R.; Estibals, O; Portal, J C

    Source: Microeletronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, EFEITO HALL, MICROELETRÔNICA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SERGIO, C S et al. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microeletronics Journal, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Sergio, C. S., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microeletronics Journal. doi:10.1016/S0026-2692(03)00121-6

    • NLM

      Sergio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microeletronics Journal. 2003 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6

    • Vancouver

      Sergio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microeletronics Journal. 2003 ;[citado 2024 jun. 17 ] Available from: https://doi.org/10.1016/S0026-2692(03)00121-6

  • Trabalho de evento-resumo

    Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image (2003)

    Sales, F V de; Silva, S W da; Cruz, J M R; Monte, A F G; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.

    Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Meeting on Applied Physics. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA

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    • ABNT

      SALES, F V de et al. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Cruz, J. M. R., Monte, A. F. G., Soler, M. A. G., Morais, P. C., et al. (2003). Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS.

    • NLM

      Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Monte AFG, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 jun. 17 ]

    • Vancouver

      Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Monte AFG, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 jun. 17 ]

  • Artigo de periodico

    Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well (2003)

    Sérgio, C. S.; Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Lamas, T. E.; Leite, J. R.; Estibals, O; Portal, J C

    Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF

    Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTIVIDADE

    PrivadoAcesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SÉRGIO, C. S. et al. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5-8, p. 763-766, 2003Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1. Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Sérgio, C. S., Gusev, G. M., Quivy, A. A., Lamas, T. E., Leite, J. R., Estibals, O., & Portal, J. C. (2003). Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well. Microelectronics Journal, 34( 5-8), 763-766. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1

    • NLM

      Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 763-766.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1

    • Vancouver

      Sérgio CS, Gusev GM, Quivy AA, Lamas TE, Leite JR, Estibals O, Portal JC. Evolution of the two-dimensional towards three-dimensional Landau states in wide parabolic quantum well [Internet]. Microelectronics Journal. 2003 ; 34( 5-8): 763-766.[citado 2024 jun. 17 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5748&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=76443bb13e16222257c8c9659dea3cf1

  • Trabalho de evento-resumo

    Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region (2003)

    Silva, M J da; Martini, S; Lamas, T. E.; Quivy, A. A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Leite, J. R.

    Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors. Unidade: IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA

    How to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SILVA, M J da et al. Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. 2003, Anais.. Amsterdam: Elsevier Science, 2003. . Acesso em: 17 jun. 2024.

    • APA

      Silva, M. J. da, Martini, S., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Silva, E. C. F. da, & Leite, J. R. (2003). Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. In Book of Abstracts. Amsterdam: Elsevier Science.

    • NLM

      Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 jun. 17 ]

    • Vancouver

      Silva MJ da, Martini S, Lamas TE, Quivy AA, Silva ECF da, Leite JR. Large InAs/GaAs quantum dots optically active in the long-wavelength region. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 jun. 17 ]

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