Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant (2005)
- Authors:
- USP affiliated authors: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/j.tsf.2004.08.004
- Subjects: MATÉRIA CONDENSADA; MATERIAIS; EFEITO HALL; FOTOLUMINESCÊNCIA; PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Thin Solid Films
- ISSN: 0040-6090
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 474, n. 1-2, p. 25-30, 2005
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
LAMAS, T. E. et al. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1-2, p. 25-30, 2005Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004. Acesso em: 31 out. 2024. -
APA
Lamas, T. E., Quivy, A. A., Martini, S., Silva, M. J. da, & Leite, J. R. (2005). Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, 474( 1-2), 25-30. doi:10.1016/j.tsf.2004.08.004 -
NLM
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004 -
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA, Martini S, Silva MJ da, Leite JR. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant [Internet]. Thin Solid Films. 2005 ; 474( 1-2): 25-30.[citado 2024 out. 31 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.tsf.2004.08.004 - Pocos quanticos de i 'N IND.0,15' 'GA IND.0,85' 'AS' / 'GA''AS' com dopagem planar de 'SI' no centro
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.tsf.2004.08.004 (Fonte: oaDOI API)
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