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  • Artigo de periodico

    Weakening of the internal strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots due to indium segregation (2026)

    Cantalice, T. F. ; Urahata, S. M. ; Quivy, A. A.

    Source: Micro and Nanostructures. Unidade: IF

    Assunto: SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      CANTALICE, T. F. e URAHATA, S. M. e QUIVY, A. A. Weakening of the internal strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots due to indium segregation. Micro and Nanostructures, 2026Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2026.208567. Acesso em: 14 abr. 2026.

    • APA

      Cantalice, T. F., Urahata, S. M., & Quivy, A. A. (2026). Weakening of the internal strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots due to indium segregation. Micro and Nanostructures. doi:https://doi.org/10.1016/j.micrna.2026.208567

    • NLM

      Cantalice TF, Urahata SM, Quivy AA. Weakening of the internal strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots due to indium segregation [Internet]. Micro and Nanostructures. 2026 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2026.208567

    • Vancouver

      Cantalice TF, Urahata SM, Quivy AA. Weakening of the internal strain field in InAs/GaAs submonolayer quantum dots due to indium segregation [Internet]. Micro and Nanostructures. 2026 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.micrna.2026.208567

  • Curadoria

    Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 22 (2026)

    Quivy, Alain André (cur) ; Penello, Germano Maioli (cur) ; Sipahi, Guilherme Matos (cur)

    Unidades: IF, IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, FÍSICA TEÓRICA

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    • ABNT

      Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 22. . Rio de Janeiro: Universidade Federal do Rio de Janeiro - UFRJ - Rio de Janeiro - RJ. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/70ff30d1-2198-4883-9547-5971f7edd0e7/3297528.pdf. Acesso em: 14 abr. 2026. , 2026

    • APA

      Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 22. (2026). Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 22. Rio de Janeiro: Universidade Federal do Rio de Janeiro - UFRJ - Rio de Janeiro - RJ. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/70ff30d1-2198-4883-9547-5971f7edd0e7/3297528.pdf

    • NLM

      Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 22 [Internet]. 2026 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/70ff30d1-2198-4883-9547-5971f7edd0e7/3297528.pdf

    • Vancouver

      Brazilian Workshop on Semiconductor Physics - BWSP, 22 [Internet]. 2026 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/70ff30d1-2198-4883-9547-5971f7edd0e7/3297528.pdf

  • Artigo de periodico

    Upward band gap bowing and negative mixing enthalpy in multi-component cubic halide perovskite alloys (2026)

    Xiuwen, Zhang ; Sabino, Fernando Pereira ; Jia-Xin, Xiong ; Zunger, Alex

    Source: Physical Review Materials. Unidade: EESC

    Subjects: SEMICONDUTORES, MATERIAIS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      XIUWEN, Zhang et al. Upward band gap bowing and negative mixing enthalpy in multi-component cubic halide perovskite alloys. Physical Review Materials, v. 10, p. 1-15, 2026Tradução . . Disponível em: https://dx.doi.org/10.1103/tp35-8fff. Acesso em: 14 abr. 2026.

    • APA

      Xiuwen, Z., Sabino, F. P., Jia-Xin, X., & Zunger, A. (2026). Upward band gap bowing and negative mixing enthalpy in multi-component cubic halide perovskite alloys. Physical Review Materials, 10, 1-15. doi:10.1103/tp35-8fff

    • NLM

      Xiuwen Z, Sabino FP, Jia-Xin X, Zunger A. Upward band gap bowing and negative mixing enthalpy in multi-component cubic halide perovskite alloys [Internet]. Physical Review Materials. 2026 ; 10 1-15.[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1103/tp35-8fff

    • Vancouver

      Xiuwen Z, Sabino FP, Jia-Xin X, Zunger A. Upward band gap bowing and negative mixing enthalpy in multi-component cubic halide perovskite alloys [Internet]. Physical Review Materials. 2026 ; 10 1-15.[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://dx.doi.org/10.1103/tp35-8fff

  • Artigo de jornal-dep/entr

    A existência humana depende da tecnologia de chip. [Entrevista a Diogo Cortiz e Helton Simões Gomes] (2026)

    Zuffo, Marcelo Knörich

    Source: Deu Tilt [UOL]. Unidade: RUSP

    Subjects: INSUMO (BENS DE CAPITAL), SEMICONDUTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS, VULNERABILIDADE

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    • ABNT

      ZUFFO, Marcelo Knörich. A existência humana depende da tecnologia de chip. [Entrevista a Diogo Cortiz e Helton Simões Gomes]. Deu Tilt [UOL]. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fda233ee-7939-44a5-b116-f26a10b4bec9/Marcelo_Zuffo_no_Deu_Tilt.pdf. Acesso em: 14 abr. 2026. , 2026

    • APA

      Zuffo, M. K. (2026). A existência humana depende da tecnologia de chip. [Entrevista a Diogo Cortiz e Helton Simões Gomes]. Deu Tilt [UOL]. São Paulo: , Universidade de São Paulo. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/fda233ee-7939-44a5-b116-f26a10b4bec9/Marcelo_Zuffo_no_Deu_Tilt.pdf

    • NLM

      Zuffo MK. A existência humana depende da tecnologia de chip. [Entrevista a Diogo Cortiz e Helton Simões Gomes] [Internet]. Deu Tilt [UOL]. 2026 ;10 fe 2026[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fda233ee-7939-44a5-b116-f26a10b4bec9/Marcelo_Zuffo_no_Deu_Tilt.pdf

    • Vancouver

      Zuffo MK. A existência humana depende da tecnologia de chip. [Entrevista a Diogo Cortiz e Helton Simões Gomes] [Internet]. Deu Tilt [UOL]. 2026 ;10 fe 2026[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/fda233ee-7939-44a5-b116-f26a10b4bec9/Marcelo_Zuffo_no_Deu_Tilt.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    AgNPs layer influence on PEDOT:PSS/PM6:Y6 interface on based organic photovoltaics (2025)

    Faria, Roberto Mendonça

    Source: Symposia and program. Conference titles: EMRS Spring Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: POLÍMEROS (MATERIAIS), SEMICONDUTORES

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    • ABNT

      FARIA, Roberto Mendonça. AgNPs layer influence on PEDOT:PSS/PM6:Y6 interface on based organic photovoltaics. 2025, Anais.. Strasbourg: European Materials Research Society - EMRS, 2025. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/10609111-27ec-47ce-9b43-0bb6a70a8ffc/PROD037935_3284296.pdf. Acesso em: 14 abr. 2026.

    • APA

      Faria, R. M. (2025). AgNPs layer influence on PEDOT:PSS/PM6:Y6 interface on based organic photovoltaics. In Symposia and program. Strasbourg: European Materials Research Society - EMRS. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/10609111-27ec-47ce-9b43-0bb6a70a8ffc/PROD037935_3284296.pdf

    • NLM

      Faria RM. AgNPs layer influence on PEDOT:PSS/PM6:Y6 interface on based organic photovoltaics [Internet]. Symposia and program. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/10609111-27ec-47ce-9b43-0bb6a70a8ffc/PROD037935_3284296.pdf

    • Vancouver

      Faria RM. AgNPs layer influence on PEDOT:PSS/PM6:Y6 interface on based organic photovoltaics [Internet]. Symposia and program. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/10609111-27ec-47ce-9b43-0bb6a70a8ffc/PROD037935_3284296.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels (2025)

    Pusep, Yuri A ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Guennadii Michailovich ; Bakarov, Askhat

    Source: Program. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA

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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels. 2025, Anais.. Singapore: International Union of Pure and Applied Physics - IUPAP, 2025. Disponível em: https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070. Acesso em: 14 abr. 2026.

    • APA

      Pusep, Y. A., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G. M., & Bakarov, A. (2025). Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels. In Program. Singapore: International Union of Pure and Applied Physics - IUPAP. Recuperado de https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070

    • NLM

      Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels [Internet]. Program. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070

    • Vancouver

      Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels [Internet]. Program. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070

  • Artigo de periodico

    Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures (2025)

    Lemes, Matheus Fernandes Sousa ; Pimenta, Ana Clara Sampaio ; Calderón, Gaston Lozano ; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Ames, Alessandra ; Teodoro, Marcio Daldin ; Marega, Guilherme Migliato ; Chiesa, Riccardo ; Wang, Zhenyu ; Kis, Andras ; Marega Junior, Euclydes

    Source: ACS Nano. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LEMES, Matheus Fernandes Sousa et al. Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures. ACS Nano, v. 19, n. Ja 2025, p. 2518-2528 + supporting information, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c13867. Acesso em: 14 abr. 2026.

    • APA

      Lemes, M. F. S., Pimenta, A. C. S., Calderón, G. L., Silva, M. de A. P. da, Ames, A., Teodoro, M. D., et al. (2025). Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures. ACS Nano, 19( Ja 2025), 2518-2528 + supporting information. doi:10.1021/acsnano.4c13867

    • NLM

      Lemes MFS, Pimenta ACS, Calderón GL, Silva M de AP da, Ames A, Teodoro MD, Marega GM, Chiesa R, Wang Z, Kis A, Marega Junior E. Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures [Internet]. ACS Nano. 2025 ; 19( Ja 2025): 2518-2528 + supporting information.[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c13867

    • Vancouver

      Lemes MFS, Pimenta ACS, Calderón GL, Silva M de AP da, Ames A, Teodoro MD, Marega GM, Chiesa R, Wang Z, Kis A, Marega Junior E. Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures [Internet]. ACS Nano. 2025 ; 19( Ja 2025): 2518-2528 + supporting information.[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c13867

  • Curadoria

    Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF (2025)

    Zawadzki, Krissia de ; Coutinho, Kaline Rabelo (cur) ; Tomazio, Nathália Beretta (cur) ; Trindade, Neilo Marcos (cur) ; Miranda, Paulo Barbeitas (cur) ; Santos, Carlos Eduardo Fiore dos (cur) ; Marcassa, Luís Gustavo (cur) ; Canal, Gustavo Paganini (cur)

    Unidades: IFSC, IF

    Subjects: FÍSICA ATÔMICA, ESTATÍSTICA COMPUTACIONAL, CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO, SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, FÍSICA MODERNA

    Versão PublicadaHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ZAWADZKI, Krissia de. Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. . São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e607d5f-c969-42d7-bb08-bd915d227ad6/3281083.pdf. Acesso em: 14 abr. 2026. , 2025

    • APA

      Zawadzki, K. de. (2025). Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e607d5f-c969-42d7-bb08-bd915d227ad6/3281083.pdf

    • NLM

      Zawadzki K de. Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e607d5f-c969-42d7-bb08-bd915d227ad6/3281083.pdf

    • Vancouver

      Zawadzki K de. Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e607d5f-c969-42d7-bb08-bd915d227ad6/3281083.pdf

  • Trabalho de evento

    Performance comparison of an OTA using vertical nanowire FET in forward and reverse modes (2025)

    Ribeiro, Arllen dos Reis; Silva, Vanessa C.P. ; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: proceedings. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro. Unidades: EESC, EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, SEMICONDUTORES, SISTEMAS ELÉTRICOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      RIBEIRO, Arllen dos Reis et al. Performance comparison of an OTA using vertical nanowire FET in forward and reverse modes. 2025, Anais.. Piscataway, N.J.: IEEE, 2025. Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/SBMicro66945.2025.11197847. Acesso em: 14 abr. 2026.

    • APA

      Ribeiro, A. dos R., Silva, V. C. P., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2025). Performance comparison of an OTA using vertical nanowire FET in forward and reverse modes. In proceedings. Piscataway, N.J.: IEEE. doi:10.1109/SBMicro66945.2025.11197847

    • NLM

      Ribeiro A dos R, Silva VCP, Martino JA, Agopian PGD. Performance comparison of an OTA using vertical nanowire FET in forward and reverse modes [Internet]. proceedings. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/SBMicro66945.2025.11197847

    • Vancouver

      Ribeiro A dos R, Silva VCP, Martino JA, Agopian PGD. Performance comparison of an OTA using vertical nanowire FET in forward and reverse modes [Internet]. proceedings. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/SBMicro66945.2025.11197847

  • Trabalho de evento-resumo

    Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores (2025)

    Fernandes, João Pedro; Sipahi, Guilherme Matos

    Source: Resumos. Conference titles: Simpósio Internacional de Iniciação Científica e Tecnológica da Universidade de São Paulo - SIICUSP. Unidade: IFSC

    Subjects: FÍSICA COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES, FRAMEWORKS

    Versão PublicadaAcesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      FERNANDES, João Pedro e SIPAHI, Guilherme Matos. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. 2025, Anais.. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP, 2025. Disponível em: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210. Acesso em: 14 abr. 2026.

    • APA

      Fernandes, J. P., & Sipahi, G. M. (2025). Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores. In Resumos. São Paulo: Universidade de São Paulo - USP. Recuperado de https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210

    • NLM

      Fernandes JP, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210

    • Vancouver

      Fernandes JP, Sipahi GM. Implementação e manutenção de código computacional em framework de cálculo de estrutura eletrônica de semicondutores [Internet]. Resumos. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://uspdigital.usp.br/siicusp/siicPublicacao.jsp?codmnu=7210

  • Artigo de periodico

    Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag (2025)

    Pusep, Yuri A ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Glazov, Mikhail ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Guennadii Michailovich ; Bakarov, Askhat

    Source: Physical Review Research. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. Physical Review Research, v. 7, n. 4, p. 043062-1-043062-8, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/71yh-kprh. Acesso em: 14 abr. 2026.

    • APA

      Pusep, Y. A., Patricio, M. A. T., Glazov, M., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G. M., & Bakarov, A. (2025). Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. Physical Review Research, 7( 4), 043062-1-043062-8. doi:10.1103/71yh-kprh

    • NLM

      Pusep YA, Patricio MAT, Glazov M, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Physical Review Research. 2025 ; 7( 4): 043062-1-043062-8.[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/71yh-kprh

    • Vancouver

      Pusep YA, Patricio MAT, Glazov M, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Physical Review Research. 2025 ; 7( 4): 043062-1-043062-8.[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1103/71yh-kprh

  • Trabalho de evento-resumo

    Plasmon-enhanced second harmonic generation in MoS2 monolayer on nanoengineered gold gratings (2025)

    Oliveira, Willer Frank de Sousa; Pimenta, Ana Clara Sampaio ; Lemes, Matheus Fernandes Sousa ; Marega, Guilherme Migliato ; Chiesa, Riccardo ; Kis, Andras ; Marega Junior, Euclydes

    Source: Presentation program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, NANOTECNOLOGIA

    PrivadoAcesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OLIVEIRA, Willer Frank de Sousa et al. Plasmon-enhanced second harmonic generation in MoS2 monolayer on nanoengineered gold gratings. 2025, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2025. Disponível em: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1752_1748356564.pdf. Acesso em: 14 abr. 2026.

    • APA

      Oliveira, W. F. de S., Pimenta, A. C. S., Lemes, M. F. S., Marega, G. M., Chiesa, R., Kis, A., & Marega Junior, E. (2025). Plasmon-enhanced second harmonic generation in MoS2 monolayer on nanoengineered gold gratings. In Presentation program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1752_1748356564.pdf

    • NLM

      Oliveira WF de S, Pimenta ACS, Lemes MFS, Marega GM, Chiesa R, Kis A, Marega Junior E. Plasmon-enhanced second harmonic generation in MoS2 monolayer on nanoengineered gold gratings [Internet]. Presentation program. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1752_1748356564.pdf

    • Vancouver

      Oliveira WF de S, Pimenta ACS, Lemes MFS, Marega GM, Chiesa R, Kis A, Marega Junior E. Plasmon-enhanced second harmonic generation in MoS2 monolayer on nanoengineered gold gratings [Internet]. Presentation program. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1752_1748356564.pdf

  • Artigo de periodico

    Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots (2025)

    Brubach, J. ; Huang, T.-Y. ; Borrely, T ; Greenhill, C ; Walrath, J ; Fedele, G; Yang, Y.-C. ; Zimmerman, A. ; Goldman, R. S.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BRUBACH, J. et al. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots. Applied Physics Letters, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0244331. Acesso em: 14 abr. 2026.

    • APA

      Brubach, J., Huang, T. -Y., Borrely, T., Greenhill, C., Walrath, J., Fedele, G., et al. (2025). Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots. Applied Physics Letters. doi:10.1063/5.0244331

    • NLM

      Brubach J, Huang T-Y, Borrely T, Greenhill C, Walrath J, Fedele G, Yang Y-C, Zimmerman A, Goldman RS. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots [Internet]. Applied Physics Letters. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0244331

    • Vancouver

      Brubach J, Huang T-Y, Borrely T, Greenhill C, Walrath J, Fedele G, Yang Y-C, Zimmerman A, Goldman RS. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots [Internet]. Applied Physics Letters. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0244331

  • Trabalho de evento-resumo

    Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations (2025)

    Moysés, Renato Mafra; Misoguti, Lino

    Source: Presentation program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: GÁLIO, SEMICONDUTORES, LASER

    PrivadoAcesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      MOYSÉS, Renato Mafra e MISOGUTI, Lino. Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations. 2025, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2025. Disponível em: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1584_1748314713.pdf. Acesso em: 14 abr. 2026.

    • APA

      Moysés, R. M., & Misoguti, L. (2025). Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations. In Presentation program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1584_1748314713.pdf

    • NLM

      Moysés RM, Misoguti L. Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations [Internet]. Presentation program. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1584_1748314713.pdf

    • Vancouver

      Moysés RM, Misoguti L. Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations [Internet]. Presentation program. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1584_1748314713.pdf

  • Dissertação (Mestrado)

    Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) (2025)

    Fidelis, Daniel Gonçalves ; Chubaci, José Fernando Diniz (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: MODELAGEM MOLECULAR, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, MATERIAIS, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      FIDELIS, Daniel Gonçalves. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3). 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2025. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/. Acesso em: 14 abr. 2026.

    • APA

      Fidelis, D. G. (2025). Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/

    • NLM

      Fidelis DG. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/

    • Vancouver

      Fidelis DG. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear (2025)

    Pereira, Matheus Souza ; Added, Nemitala (coorient) ; Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA NUCLEAR, DETETORES RADIOATIVOS, INSTRUMENTO ELETRÔNICO, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PEREIRA, Matheus Souza. Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear. 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2025. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13122025-163134/. Acesso em: 14 abr. 2026.

    • APA

      Pereira, M. S. (2025). Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13122025-163134/

    • NLM

      Pereira MS. Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13122025-163134/

    • Vancouver

      Pereira MS. Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13122025-163134/

  • Artigo de periodico

    Naturally occurring 2D semiconductor with antiferromagnetic ground state (2025)

    Pacakova, Barbara ; Lahtinen-Dahl, Bera; Kirch, Alexsandro ; Demchenko, Hanna; Osmundsen, Veslemoy; Fuller, Chloe A.; Chernyshov, Dmitry; Zakutna, Dominika; Miranda, Caetano Rodrigues ; Raaen, Steinar; Fossum, Jon Otto

    Source: npj 2D Materials and Applications. Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, MATERIAIS MAGNÉTICOS, NANOCIÊNCIA, SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PACAKOVA, Barbara et al. Naturally occurring 2D semiconductor with antiferromagnetic ground state. npj 2D Materials and Applications, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1038/s41699-025-00561-5. Acesso em: 14 abr. 2026.

    • APA

      Pacakova, B., Lahtinen-Dahl, B., Kirch, A., Demchenko, H., Osmundsen, V., Fuller, C. A., et al. (2025). Naturally occurring 2D semiconductor with antiferromagnetic ground state. npj 2D Materials and Applications. doi:https://doi.org/10.1038/s41699-025-00561-5

    • NLM

      Pacakova B, Lahtinen-Dahl B, Kirch A, Demchenko H, Osmundsen V, Fuller CA, Chernyshov D, Zakutna D, Miranda CR, Raaen S, Fossum JO. Naturally occurring 2D semiconductor with antiferromagnetic ground state [Internet]. npj 2D Materials and Applications. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41699-025-00561-5

    • Vancouver

      Pacakova B, Lahtinen-Dahl B, Kirch A, Demchenko H, Osmundsen V, Fuller CA, Chernyshov D, Zakutna D, Miranda CR, Raaen S, Fossum JO. Naturally occurring 2D semiconductor with antiferromagnetic ground state [Internet]. npj 2D Materials and Applications. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1038/s41699-025-00561-5

  • Trabalho de evento-resumo

    Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag (2025)

    Pusep, Yuri A ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Guennadii Michailovich ; Bakarov, Askhat

    Source: Abstract Book. Conference titles: International Conference on Nanomaterials Science and Mechanical Engineering. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA

    PrivadoHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. 2025, Anais.. Aveiro: Universidade de Aveiro, 2025. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf. Acesso em: 14 abr. 2026.

    • APA

      Pusep, Y. A., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G. M., & Bakarov, A. (2025). Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. In Abstract Book. Aveiro: Universidade de Aveiro. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf

    • NLM

      Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Abstract Book. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf

    • Vancouver

      Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Abstract Book. 2025 ;[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf

  • Artigo de periodico

    Analytical model for ballistic 2D nanotransistors (2025)

    Souza, Adelcio Marques de ; Celino, Daniel Ricardo ; Ragi, Regiane ; Romero, Murilo Araujo

    Source: IEEE Open Journal of Nanotechnology. Unidade: EESC

    Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA, NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, CIRCUITOS ELETRÔNICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SOUZA, Adelcio Marques de et al. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors. IEEE Open Journal of Nanotechnology, p. 1-11, 2025Tradução . . Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219. Acesso em: 14 abr. 2026.

    • APA

      Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2025). Analytical model for ballistic 2D nanotransistors. IEEE Open Journal of Nanotechnology, 1-11. doi:10.1109/OJNANO.2025.3598219

    • NLM

      Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors [Internet]. IEEE Open Journal of Nanotechnology. 2025 ; 1-11.[citado 2026 abr. 14 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219

    • Vancouver

      Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors [Internet]. IEEE Open Journal of Nanotechnology. 2025 ; 1-11.[citado 2026 abr. 14 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219

  • Artigo de periodico

    Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications (2025)

    Hien, Nguyen Cao; Thang, Nguyen Hoc ; Mahmood, Tahir; Pawlicka, Agnieszka ; Anwar, Mamoona; Munir, Muhammad; Ghafoor, Abdul; Khoa, Tran Le Anh

    Source: RSC Advances. Unidade: IQSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, ENERGIA, NANOPARTÍCULAS, NÍQUEL, COBALTO

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      HIEN, Nguyen Cao et al. Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications. RSC Advances, v. 15, p. 22730-22744, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/D5RA02746B. Acesso em: 14 abr. 2026.

    • APA

      Hien, N. C., Thang, N. H., Mahmood, T., Pawlicka, A., Anwar, M., Munir, M., et al. (2025). Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications. RSC Advances, 15, 22730-22744. doi:10.1039/D5RA02746B

    • NLM

      Hien NC, Thang NH, Mahmood T, Pawlicka A, Anwar M, Munir M, Ghafoor A, Khoa TLA. Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications [Internet]. RSC Advances. 2025 ; 15 22730-22744.[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1039/D5RA02746B

    • Vancouver

      Hien NC, Thang NH, Mahmood T, Pawlicka A, Anwar M, Munir M, Ghafoor A, Khoa TLA. Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications [Internet]. RSC Advances. 2025 ; 15 22730-22744.[citado 2026 abr. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1039/D5RA02746B

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