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  • Dissertação (Mestrado)

    Plasmon-exciton coupling regimes in MoS2 monolayers on gold gratings: a reflectance analysis via FDTD simulations (2025)

    Oliveira, Willer Frank de Sousa; Marega Junior, Euclydes (Orientador)

    Unidade: IFSC

    Subjects: ÓPTICA, SEMICONDUTORES, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      OLIVEIRA, Willer Frank de Sousa. Plasmon-exciton coupling regimes in MoS2 monolayers on gold gratings: a reflectance analysis via FDTD simulations. 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2025. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-27082025-093115/. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Oliveira, W. F. de S. (2025). Plasmon-exciton coupling regimes in MoS2 monolayers on gold gratings: a reflectance analysis via FDTD simulations (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-27082025-093115/

    • NLM

      Oliveira WF de S. Plasmon-exciton coupling regimes in MoS2 monolayers on gold gratings: a reflectance analysis via FDTD simulations [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-27082025-093115/

    • Vancouver

      Oliveira WF de S. Plasmon-exciton coupling regimes in MoS2 monolayers on gold gratings: a reflectance analysis via FDTD simulations [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/76/76134/tde-27082025-093115/

  • Trabalho de evento

    Performance comparison of an OTA using vertical nanowire FET in forward and reverse modes (2025)

    Ribeiro, Arllen dos Reis; Silva, Vanessa C.P. ; Martino, João Antonio ; Agopian, Paula Ghedini Der

    Source: proceedings. Conference titles: Symposium on Microelectronics Technology and Devices - SBMicro. Unidades: EESC, EP

    Subjects: TRANSISTORES, CIRCUITOS ANALÓGICOS, SEMICONDUTORES, SISTEMAS ELÉTRICOS

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      RIBEIRO, Arllen dos Reis et al. Performance comparison of an OTA using vertical nanowire FET in forward and reverse modes. 2025, Anais.. Piscataway, N.J.: IEEE, 2025. Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/SBMicro66945.2025.11197847. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Ribeiro, A. dos R., Silva, V. C. P., Martino, J. A., & Agopian, P. G. D. (2025). Performance comparison of an OTA using vertical nanowire FET in forward and reverse modes. In proceedings. Piscataway, N.J.: IEEE. doi:10.1109/SBMicro66945.2025.11197847

    • NLM

      Ribeiro A dos R, Silva VCP, Martino JA, Agopian PGD. Performance comparison of an OTA using vertical nanowire FET in forward and reverse modes [Internet]. proceedings. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/SBMicro66945.2025.11197847

    • Vancouver

      Ribeiro A dos R, Silva VCP, Martino JA, Agopian PGD. Performance comparison of an OTA using vertical nanowire FET in forward and reverse modes [Internet]. proceedings. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/SBMicro66945.2025.11197847

  • Artigo de periodico

    A comprehensive comparison among capacitive, thermodynamic, and drift-diffusion models for steady-state responses of nanostructured organic electrochemical transistors (2025)

    Unigarro, Andres David Peña ; Günther, Florian Steffen

    Source: ACS Applied Nano Materials. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, POLÍMEROS (MATERIAIS), NANOELETRÔNICA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      UNIGARRO, Andres David Peña e GÜNTHER, Florian Steffen. A comprehensive comparison among capacitive, thermodynamic, and drift-diffusion models for steady-state responses of nanostructured organic electrochemical transistors. ACS Applied Nano Materials, v. 8, n. 23, p. 12329-12341 + supporting information, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02101. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Unigarro, A. D. P., & Günther, F. S. (2025). A comprehensive comparison among capacitive, thermodynamic, and drift-diffusion models for steady-state responses of nanostructured organic electrochemical transistors. ACS Applied Nano Materials, 8( 23), 12329-12341 + supporting information. doi:10.1021/acsanm.5c02101

    • NLM

      Unigarro ADP, Günther FS. A comprehensive comparison among capacitive, thermodynamic, and drift-diffusion models for steady-state responses of nanostructured organic electrochemical transistors [Internet]. ACS Applied Nano Materials. 2025 ; 8( 23): 12329-12341 + supporting information.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02101

    • Vancouver

      Unigarro ADP, Günther FS. A comprehensive comparison among capacitive, thermodynamic, and drift-diffusion models for steady-state responses of nanostructured organic electrochemical transistors [Internet]. ACS Applied Nano Materials. 2025 ; 8( 23): 12329-12341 + supporting information.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02101

  • Artigo de periodico

    Analytical model for ballistic 2D nanotransistors (2025)

    Souza, Adelcio Marques de ; Celino, Daniel Ricardo ; Ragi, Regiane ; Romero, Murilo Araujo

    Source: IEEE Open Journal of Nanotechnology. Unidade: EESC

    Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA, NANOTECNOLOGIA, TRANSISTORES, SEMICONDUTORES, CIRCUITOS ELETRÔNICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      SOUZA, Adelcio Marques de et al. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors. IEEE Open Journal of Nanotechnology, p. 1-11, 2025Tradução . . Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2025). Analytical model for ballistic 2D nanotransistors. IEEE Open Journal of Nanotechnology, 1-11. doi:10.1109/OJNANO.2025.3598219

    • NLM

      Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors [Internet]. IEEE Open Journal of Nanotechnology. 2025 ; 1-11.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219

    • Vancouver

      Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors [Internet]. IEEE Open Journal of Nanotechnology. 2025 ; 1-11.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219

  • Tese (Doutorado)

    Micro/nanometric processing of CVD diamond with femtosecond laser pulses (2025)

    Nolasco, Lucas Konaka ; Mendonça, Cleber Renato (Orientador)

    Unidade: EESC

    Subjects: ÓPTICA NÃO LINEAR, SEMICONDUTORES, DIAMANTE, LASER

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      NOLASCO, Lucas Konaka. Micro/nanometric processing of CVD diamond with femtosecond laser pulses. 2025. Tese (Doutorado) – Universidade de São Paulo, São Carlos, 2025. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-22042025-102725/. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Nolasco, L. K. (2025). Micro/nanometric processing of CVD diamond with femtosecond laser pulses (Tese (Doutorado). Universidade de São Paulo, São Carlos. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-22042025-102725/

    • NLM

      Nolasco LK. Micro/nanometric processing of CVD diamond with femtosecond laser pulses [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-22042025-102725/

    • Vancouver

      Nolasco LK. Micro/nanometric processing of CVD diamond with femtosecond laser pulses [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/18/18158/tde-22042025-102725/

  • Dissertação (Mestrado)

    Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) (2025)

    Fidelis, Daniel Gonçalves ; Chubaci, José Fernando Diniz (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: MODELAGEM MOLECULAR, FILMES FINOS, SEMICONDUTORES, MATERIAIS, FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      FIDELIS, Daniel Gonçalves. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3). 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2025. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Fidelis, D. G. (2025). Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/

    • NLM

      Fidelis DG. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/

    • Vancouver

      Fidelis DG. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/

  • Trabalho de evento-resumo

    Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels (2025)

    Pusep, Yuri A ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Guennadii Michailovich ; Bakarov, Askhat

    Source: Program. Conference titles: International Conference on the Physics of Semiconductors - ICPS. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA

    PrivadoAcesso à fonteHow to cite
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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels. 2025, Anais.. Singapore: International Union of Pure and Applied Physics - IUPAP, 2025. Disponível em: https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Pusep, Y. A., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G. M., & Bakarov, A. (2025). Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels. In Program. Singapore: International Union of Pure and Applied Physics - IUPAP. Recuperado de https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070

    • NLM

      Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels [Internet]. Program. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070

    • Vancouver

      Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole fluid in mesoscopic GaAs channels [Internet]. Program. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://airdrive.eventsair.com/eventsaircaneprod/production-uottawacpd-public/71c8921a310a4f29b442df16673af070

  • Artigo de periodico

    Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors (2025)

    Mello, Saron Rosy Sales de ; Cemin, Felipe ; Echeverrigaray, Fernando Graniero; Jimenez, Mawin Javier Martinez; Piroli, Vanessa; Costa, Fábio Juvêncio Ramalho; Boeira, Carla Daniela ; Leidens, Leonardo Mathias ; Riul Junior, Antonio ; Figueroa, Carlos Alejandro ; Zagonel, Luiz Fernando ; Zanatta, Antonio Ricardo ; Alvarez, Fernando

    Source: ACS Applied Nano Materials. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, FILMES FINOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MELLO, Saron Rosy Sales de et al. Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors. ACS Applied Nano Materials, v. 8, n. 23, p. 12380-12392 + supporting information, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02214. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Mello, S. R. S. de, Cemin, F., Echeverrigaray, F. G., Jimenez, M. J. M., Piroli, V., Costa, F. J. R., et al. (2025). Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors. ACS Applied Nano Materials, 8( 23), 12380-12392 + supporting information. doi:10.1021/acsanm.5c02214

    • NLM

      Mello SRS de, Cemin F, Echeverrigaray FG, Jimenez MJM, Piroli V, Costa FJR, Boeira CD, Leidens LM, Riul Junior A, Figueroa CA, Zagonel LF, Zanatta AR, Alvarez F. Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors [Internet]. ACS Applied Nano Materials. 2025 ; 8( 23): 12380-12392 + supporting information.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02214

    • Vancouver

      Mello SRS de, Cemin F, Echeverrigaray FG, Jimenez MJM, Piroli V, Costa FJR, Boeira CD, Leidens LM, Riul Junior A, Figueroa CA, Zagonel LF, Zanatta AR, Alvarez F. Nanocrystalline hexagonal boron nitride thin films deposited by dynamic glancing angle deposition for UV-emitting devices and detectors [Internet]. ACS Applied Nano Materials. 2025 ; 8( 23): 12380-12392 + supporting information.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsanm.5c02214

  • Artigo de periodico

    Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots (2025)

    Brubach, J. ; Huang, T.-Y. ; Borrely, T ; Greenhill, C ; Walrath, J ; Fedele, G; Yang, Y.-C. ; Zimmerman, A. ; Goldman, R. S.

    Source: Applied Physics Letters. Unidade: IF

    Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, SEMICONDUTORES, POÇOS QUÂNTICOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      BRUBACH, J. et al. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots. Applied Physics Letters, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0244331. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Brubach, J., Huang, T. -Y., Borrely, T., Greenhill, C., Walrath, J., Fedele, G., et al. (2025). Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots. Applied Physics Letters. doi:https://doi.org/10.1063/5.0244331

    • NLM

      Brubach J, Huang T-Y, Borrely T, Greenhill C, Walrath J, Fedele G, Yang Y-C, Zimmerman A, Goldman RS. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots [Internet]. Applied Physics Letters. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0244331

    • Vancouver

      Brubach J, Huang T-Y, Borrely T, Greenhill C, Walrath J, Fedele G, Yang Y-C, Zimmerman A, Goldman RS. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots [Internet]. Applied Physics Letters. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0244331

  • Trabalho de evento-resumo

    Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations (2025)

    Moysés, Renato Mafra; Misoguti, Lino

    Source: Presentation program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: GÁLIO, SEMICONDUTORES, LASER

    PrivadoAcesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      MOYSÉS, Renato Mafra e MISOGUTI, Lino. Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations. 2025, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2025. Disponível em: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1584_1748314713.pdf. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Moysés, R. M., & Misoguti, L. (2025). Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations. In Presentation program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1584_1748314713.pdf

    • NLM

      Moysés RM, Misoguti L. Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations [Internet]. Presentation program. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1584_1748314713.pdf

    • Vancouver

      Moysés RM, Misoguti L. Determining the GaAs potential for all-optical switching applications at different crystalline orientations [Internet]. Presentation program. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1584_1748314713.pdf

  • Curadoria

    Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF (2025)

    Zawadzki, Krissia de ; Coutinho, Kaline Rabelo (cur) ; Tomazio, Nathália Beretta (cur) ; Trindade, Neilo Marcos (cur) ; Miranda, Paulo Barbeitas (cur) ; Santos, Carlos Eduardo Fiore dos (cur) ; Marcassa, Luís Gustavo (cur) ; Canal, Gustavo Paganini (cur)

    Unidades: IFSC, IF

    Subjects: FÍSICA ATÔMICA, ESTATÍSTICA COMPUTACIONAL, CIÊNCIA DA COMPUTAÇÃO, SEMICONDUTORES, MAGNETISMO, FÍSICA MODERNA

    Versão PublicadaHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      ZAWADZKI, Krissia de. Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. . São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e607d5f-c969-42d7-bb08-bd915d227ad6/3281083.pdf. Acesso em: 03 jan. 2026. , 2025

    • APA

      Zawadzki, K. de. (2025). Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física - SBF. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e607d5f-c969-42d7-bb08-bd915d227ad6/3281083.pdf

    • NLM

      Zawadzki K de. Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e607d5f-c969-42d7-bb08-bd915d227ad6/3281083.pdf

    • Vancouver

      Zawadzki K de. Encontro de Outono da Sociedade Brasileira de Física – EOSBF [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/5e607d5f-c969-42d7-bb08-bd915d227ad6/3281083.pdf

  • Trabalho de evento-resumo

    Plasmon-enhanced second harmonic generation in MoS2 monolayer on nanoengineered gold gratings (2025)

    Oliveira, Willer Frank de Sousa; Pimenta, Ana Clara Sampaio ; Lemes, Matheus Fernandes Sousa ; Marega, Guilherme Migliato ; Chiesa, Riccardo ; Kis, Andras ; Marega Junior, Euclydes

    Source: Presentation program. Conference titles: Brazil MRS Meeting. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ÓPTICOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS, NANOTECNOLOGIA

    PrivadoAcesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      OLIVEIRA, Willer Frank de Sousa et al. Plasmon-enhanced second harmonic generation in MoS2 monolayer on nanoengineered gold gratings. 2025, Anais.. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat, 2025. Disponível em: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1752_1748356564.pdf. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Oliveira, W. F. de S., Pimenta, A. C. S., Lemes, M. F. S., Marega, G. M., Chiesa, R., Kis, A., & Marega Junior, E. (2025). Plasmon-enhanced second harmonic generation in MoS2 monolayer on nanoengineered gold gratings. In Presentation program. Rio de Janeiro: Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais - SBPMat. Recuperado de https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1752_1748356564.pdf

    • NLM

      Oliveira WF de S, Pimenta ACS, Lemes MFS, Marega GM, Chiesa R, Kis A, Marega Junior E. Plasmon-enhanced second harmonic generation in MoS2 monolayer on nanoengineered gold gratings [Internet]. Presentation program. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1752_1748356564.pdf

    • Vancouver

      Oliveira WF de S, Pimenta ACS, Lemes MFS, Marega GM, Chiesa R, Kis A, Marega Junior E. Plasmon-enhanced second harmonic generation in MoS2 monolayer on nanoengineered gold gratings [Internet]. Presentation program. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://www.eventweb.com.br/xxiiisbpmat/specific-files/manuscripts/xxiiisbpmat/1752_1748356564.pdf

  • Dissertação (Mestrado)

    Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear (2025)

    Pereira, Matheus Souza ; Added, Nemitala (coorient) ; Aguiar, Vitor Ângelo Paulino de (Orientador)

    Unidade: IF

    Subjects: FÍSICA NUCLEAR, DETETORES RADIOATIVOS, INSTRUMENTO ELETRÔNICO, SEMICONDUTORES

    Acesso à fonteAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PEREIRA, Matheus Souza. Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear. 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2025. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13122025-163134/. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Pereira, M. S. (2025). Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13122025-163134/

    • NLM

      Pereira MS. Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13122025-163134/

    • Vancouver

      Pereira MS. Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13122025-163134/

  • Artigo de periodico

    Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications (2025)

    Hien, Nguyen Cao; Thang, Nguyen Hoc ; Mahmood, Tahir; Pawlicka, Agnieszka ; Anwar, Mamoona; Munir, Muhammad; Ghafoor, Abdul; Khoa, Tran Le Anh

    Source: RSC Advances. Unidade: IQSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, ENERGIA, NANOPARTÍCULAS, NÍQUEL, COBALTO

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      HIEN, Nguyen Cao et al. Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications. RSC Advances, v. 15, p. 22730-22744, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1039/D5RA02746B. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Hien, N. C., Thang, N. H., Mahmood, T., Pawlicka, A., Anwar, M., Munir, M., et al. (2025). Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications. RSC Advances, 15, 22730-22744. doi:10.1039/D5RA02746B

    • NLM

      Hien NC, Thang NH, Mahmood T, Pawlicka A, Anwar M, Munir M, Ghafoor A, Khoa TLA. Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications [Internet]. RSC Advances. 2025 ; 15 22730-22744.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1039/D5RA02746B

    • Vancouver

      Hien NC, Thang NH, Mahmood T, Pawlicka A, Anwar M, Munir M, Ghafoor A, Khoa TLA. Simulation, synthesis, and characterization of Ni–Co and its co-doping in ZnO for energy applications [Internet]. RSC Advances. 2025 ; 15 22730-22744.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1039/D5RA02746B

  • Artigo de periodico

    Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag (2025)

    Pusep, Yuri A ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Glazov, Mikhail ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Guennadii Michailovich ; Bakarov, Askhat

    Source: Physical Review Research. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
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    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. Physical Review Research, v. 7, n. 4, p. 043062-1-043062-8, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/71yh-kprh. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Pusep, Y. A., Patricio, M. A. T., Glazov, M., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G. M., & Bakarov, A. (2025). Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. Physical Review Research, 7( 4), 043062-1-043062-8. doi:10.1103/71yh-kprh

    • NLM

      Pusep YA, Patricio MAT, Glazov M, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Physical Review Research. 2025 ; 7( 4): 043062-1-043062-8.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/71yh-kprh

    • Vancouver

      Pusep YA, Patricio MAT, Glazov M, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Physical Review Research. 2025 ; 7( 4): 043062-1-043062-8.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/71yh-kprh

  • Trabalho de evento-resumo

    Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag (2025)

    Pusep, Yuri A ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Teodoro, Marcio Daldin ; Gusev, Guennadii Michailovich ; Bakarov, Askhat

    Source: Abstract Book. Conference titles: International Conference on Nanomaterials Science and Mechanical Engineering. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA

    PrivadoHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. 2025, Anais.. Aveiro: Universidade de Aveiro, 2025. Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Pusep, Y. A., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Teodoro, M. D., Gusev, G. M., & Bakarov, A. (2025). Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag. In Abstract Book. Aveiro: Universidade de Aveiro. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf

    • NLM

      Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Abstract Book. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf

    • Vancouver

      Pusep YA, Patricio MAT, Jacobsen GM, Teodoro MD, Gusev GM, Bakarov A. Hydrodynamics of electron-hole Coulomb drag [Internet]. Abstract Book. 2025 ;[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/b3adc728-9813-4e4d-8c57-ffbb9ee43524/3267491.pdf

  • Artigo de periodico

    Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures (2025)

    Lemes, Matheus Fernandes Sousa ; Pimenta, Ana Clara Sampaio ; Calderón, Gaston Lozano ; Silva, Marcelo de Assumpção Pereira da ; Ames, Alessandra ; Teodoro, Marcio Daldin ; Marega, Guilherme Migliato ; Chiesa, Riccardo ; Wang, Zhenyu ; Kis, Andras ; Marega Junior, Euclydes

    Source: ACS Nano. Unidade: IFSC

    Subjects: SEMICONDUTORES, DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS, MATERIAIS NANOESTRUTURADOS

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      LEMES, Matheus Fernandes Sousa et al. Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures. ACS Nano, v. 19, n. Ja 2025, p. 2518-2528 + supporting information, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c13867. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Lemes, M. F. S., Pimenta, A. C. S., Calderón, G. L., Silva, M. de A. P. da, Ames, A., Teodoro, M. D., et al. (2025). Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures. ACS Nano, 19( Ja 2025), 2518-2528 + supporting information. doi:10.1021/acsnano.4c13867

    • NLM

      Lemes MFS, Pimenta ACS, Calderón GL, Silva M de AP da, Ames A, Teodoro MD, Marega GM, Chiesa R, Wang Z, Kis A, Marega Junior E. Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures [Internet]. ACS Nano. 2025 ; 19( Ja 2025): 2518-2528 + supporting information.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c13867

    • Vancouver

      Lemes MFS, Pimenta ACS, Calderón GL, Silva M de AP da, Ames A, Teodoro MD, Marega GM, Chiesa R, Wang Z, Kis A, Marega Junior E. Polarization-dependent plasmon-induced doping and strain effects in MoS2 monolayers on gold nanostructures [Internet]. ACS Nano. 2025 ; 19( Ja 2025): 2518-2528 + supporting information.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1021/acsnano.4c13867

  • Artigo de jornal-dep/entr

    Novo método aprimora a produção de pontos quânticos luminescentes com tamanho controlado. [Depoimento] (2024)

    Costa, Pedro Felipe Garcia Martins da ; Merízio, Leonnam Gotardo ; de Camargo, Andrea Simone Stucchi

    Source: Agência FAPESP. Unidades: IQSC, IFSC

    Subjects: LASER, FOTOLUMINESCÊNCIA, VIDRO CERÂMICO, NANOPARTÍCULAS, SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      COSTA, Pedro Felipe Garcia Martins da e MERÍZIO, Leonnam Gotardo e DE CAMARGO, Andrea Simone Stucchi. Novo método aprimora a produção de pontos quânticos luminescentes com tamanho controlado. [Depoimento]. Agência FAPESP. São Paulo: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo. Disponível em: https://agencia.fapesp.br/novo-metodo-aprimora-a-producao-de-pontos-quanticos-luminescentes-com-tamanho-controlado/52001. Acesso em: 03 jan. 2026. , 2024

    • APA

      Costa, P. F. G. M. da, Merízio, L. G., & de Camargo, A. S. S. (2024). Novo método aprimora a produção de pontos quânticos luminescentes com tamanho controlado. [Depoimento]. Agência FAPESP. São Paulo: Instituto de Química de São Carlos, Universidade de São Paulo. Recuperado de https://agencia.fapesp.br/novo-metodo-aprimora-a-producao-de-pontos-quanticos-luminescentes-com-tamanho-controlado/52001

    • NLM

      Costa PFGM da, Merízio LG, de Camargo ASS. Novo método aprimora a produção de pontos quânticos luminescentes com tamanho controlado. [Depoimento] [Internet]. Agência FAPESP. 2024 ;(20 ju 2024. online):[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://agencia.fapesp.br/novo-metodo-aprimora-a-producao-de-pontos-quanticos-luminescentes-com-tamanho-controlado/52001

    • Vancouver

      Costa PFGM da, Merízio LG, de Camargo ASS. Novo método aprimora a produção de pontos quânticos luminescentes com tamanho controlado. [Depoimento] [Internet]. Agência FAPESP. 2024 ;(20 ju 2024. online):[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://agencia.fapesp.br/novo-metodo-aprimora-a-producao-de-pontos-quanticos-luminescentes-com-tamanho-controlado/52001

  • Artigo de periodico

    Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel (2024)

    Pusep, Yuri A ; Teodoro, Marcio Daldin ; Patricio, Marco Antonio Tito ; Jacobsen, Gabriel Marques ; Gusev, Guennadii Michailovich ; Bakarov, Askhat

    Source: Physical Review B. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: POÇOS QUÂNTICOS, SEMICONDUTORES, CAMPO MAGNÉTICO, FÍSICA MODERNA

    PrivadoAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      PUSEP, Yuri A et al. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel. Physical Review B, v. 109, n. 7, p. 075429-1-075429-6, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Pusep, Y. A., Teodoro, M. D., Patricio, M. A. T., Jacobsen, G. M., Gusev, G. M., & Bakarov, A. (2024). Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel. Physical Review B, 109( 7), 075429-1-075429-6. doi:10.1103/PhysRevB.109.075429

    • NLM

      Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev GM, Bakarov A. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 7): 075429-1-075429-6.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429

    • Vancouver

      Pusep YA, Teodoro MD, Patricio MAT, Jacobsen GM, Gusev GM, Bakarov A. Magnetic field effect on diffusion of photogenerated holes in a mesoscopic GaAs channel [Internet]. Physical Review B. 2024 ; 109( 7): 075429-1-075429-6.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1103/PhysRevB.109.075429

  • Artigo de periodico

    Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects (2024)

    Sandoval, Marcelo Alejandro Toloza ; Padilla, Jhon Elber Leon ; Wanderley, Adilson Barros ; Sipahi, Guilherme Matos ; Chubaci, José Fernando Diniz ; Silva, Antonio Ferreira da

    Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IFSC, IF

    Subjects: APRENDIZADO COMPUTACIONAL, SEMICONDUTORES

    Versão PublicadaAcesso à fonteDOIHow to cite
    A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas

    • ABNT

      SANDOVAL, Marcelo Alejandro Toloza et al. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, v. 135, n. 10, p. 103901-1-103901-9, 2024Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0187962. Acesso em: 03 jan. 2026.

    • APA

      Sandoval, M. A. T., Padilla, J. E. L., Wanderley, A. B., Sipahi, G. M., Chubaci, J. F. D., & Silva, A. F. da. (2024). Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects. Journal of Applied Physics, 135( 10), 103901-1-103901-9. doi:10.1063/5.0187962

    • NLM

      Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962

    • Vancouver

      Sandoval MAT, Padilla JEL, Wanderley AB, Sipahi GM, Chubaci JFD, Silva AF da. Driven electron g-factor anisotropy in layered III–V semiconductors: interfacing, tunnel coupling, and structure inversion asymmetry effects [Internet]. Journal of Applied Physics. 2024 ; 135( 10): 103901-1-103901-9.[citado 2026 jan. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0187962

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