Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots (2025)
- Authors:
- Autor USP: SANTOS, THALES BORRELY DOS - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/5.0244331
- Subjects: DISPOSITIVOS ELETRÔNICOS; SEMICONDUTORES; POÇOS QUÂNTICOS
- Keywords: DOPING; ELECTRONIC TRANSPORT; ELECTRONIC BAND STRUCTURE; QUANTUM DOTS; ELECTRONIC DEVICES; SPATIAL DEPENDENCE; MICROSCOPY
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Applied Physics Letters
- Publisher place: Melville, NY
- Date published: 2025
- Source:
- Título: Applied Physics Letters
- Volume/Número/Paginação/Ano: Volume 126, Issue 11, 112107, 17 March 2025
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
BRUBACH, J. et al. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots. Applied Physics Letters, 2025Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0244331. Acesso em: 15 fev. 2026. -
APA
Brubach, J., Huang, T. -Y., Borrely, T., Greenhill, C., Walrath, J., Fedele, G., et al. (2025). Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots. Applied Physics Letters. doi:10.1063/5.0244331 -
NLM
Brubach J, Huang T-Y, Borrely T, Greenhill C, Walrath J, Fedele G, Yang Y-C, Zimmerman A, Goldman RS. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots [Internet]. Applied Physics Letters. 2025 ;[citado 2026 fev. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0244331 -
Vancouver
Brubach J, Huang T-Y, Borrely T, Greenhill C, Walrath J, Fedele G, Yang Y-C, Zimmerman A, Goldman RS. Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots [Internet]. Applied Physics Letters. 2025 ;[citado 2026 fev. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0244331 - Controle de propriedades de filmes finos de óxido de alumínio através da assistência de feixes iônicos
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Informações sobre o DOI: 10.1063/5.0244331 (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
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112107_1_5.0244331.pdf | Direct link |
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