Probing conduction band offsets and confined states at 'GA'AS'/'GA''AS'N''BI' heterointerfaces (2023)
- Authors:
- Autor USP: SANTOS, THALES BORRELY DOS - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1063/5.0172295
- Subjects: ESPECTROSCOPIA; FOTOLUMINESCÊNCIA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: The Institute
- Publisher place: Woodbury
- Date published: 2023
- Source:
- Título: Applied Physics Letters
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 123, Issue: 19, 192105, 2023
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
HUANG, T.-Y. e SANTOS, Thales Borrely dos. Probing conduction band offsets and confined states at 'GA'AS'/'GA''AS'N''BI' heterointerfaces. Applied Physics Letters, v. 123, 2023Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/5.0172295. Acesso em: 30 dez. 2025. -
APA
Huang, T. -Y., & Santos, T. B. dos. (2023). Probing conduction band offsets and confined states at 'GA'AS'/'GA''AS'N''BI' heterointerfaces. Applied Physics Letters, 123. doi:10.1063/5.0172295 -
NLM
Huang T-Y, Santos TB dos. Probing conduction band offsets and confined states at 'GA'AS'/'GA''AS'N''BI' heterointerfaces [Internet]. Applied Physics Letters. 2023 ; 123[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0172295 -
Vancouver
Huang T-Y, Santos TB dos. Probing conduction band offsets and confined states at 'GA'AS'/'GA''AS'N''BI' heterointerfaces [Internet]. Applied Physics Letters. 2023 ; 123[citado 2025 dez. 30 ] Available from: https://doi.org/10.1063/5.0172295 - Dopant vs free carrier concentrations in InAs/GaAs semiconductor quantum dots
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Informações sobre o DOI: 10.1063/5.0172295 (Fonte: oaDOI API)
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| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
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192105_1_5.0172295.pdf | Direct link |
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