Analytical model for ballistic 2D nanotransistors (2025)
- Authors:
- USP affiliated authors: ROMERO, MURILO ARAUJO - EESC ; SOUZA, ADÉLCIO MARQUES DE - EESC ; CELINO, DANIEL RICARDO - EESC
- Unidade: EESC
- DOI: 10.1109/OJNANO.2025.3598219
- Subjects: ENGENHARIA ELÉTRICA; NANOTECNOLOGIA; TRANSISTORES; SEMICONDUTORES; CIRCUITOS ELETRÔNICOS
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Washington, DC, USA
- Date published: 2025
- Source:
- Título: IEEE Open Journal of Nanotechnology
- ISSN: 2644-1292
- Volume/Número/Paginação/Ano: online, p. 1-11, 2025
- Status:
- Artigo publicado em periódico de acesso aberto (Gold Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão publicada (Published version)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
SOUZA, Adelcio Marques de et al. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors. IEEE Open Journal of Nanotechnology, p. 1-11, 2025Tradução . . Disponível em: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219. Acesso em: 12 maio 2026. -
APA
Souza, A. M. de, Celino, D. R., Ragi, R., & Romero, M. A. (2025). Analytical model for ballistic 2D nanotransistors. IEEE Open Journal of Nanotechnology, 1-11. doi:10.1109/OJNANO.2025.3598219 -
NLM
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors [Internet]. IEEE Open Journal of Nanotechnology. 2025 ; 1-11.[citado 2026 maio 12 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219 -
Vancouver
Souza AM de, Celino DR, Ragi R, Romero MA. Analytical model for ballistic 2D nanotransistors [Internet]. IEEE Open Journal of Nanotechnology. 2025 ; 1-11.[citado 2026 maio 12 ] Available from: http://dx.doi.org/10.1109/OJNANO.2025.3598219 - Compact modeling of 2D nanotransistors: materials characteristics, device structures, and analytical techniques
- Analytical model for cylindrical junctionless nanowire FETs
- Compact modeling of transition metal dichalcogenide ballistic transistors
- A physics-based analytical model for ballistic InSe nanotransistors
- Analog radio-over-fiber fronthaul by a WDM-PON employing double RSOA self-seeding and carrier-reuse techniques
- Fully analytical compact model for the Q–V and C–V characteristics of cylindrical junctionless nanowire FETs
- Analog radio-over-fiber fronthaul by a double cavity self-seeded WDM-PON
- Current-voltage modeling of transistors based on two-dimensional molybdenum disulfide
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- Double-RSOA colorless WDM-PON for 5G fronthaul applications
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