Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) (2025)
- Authors:
- Autor USP: FIDELIS, DANIEL GONÇALVES - IF
- Unidade: IF
- Sigla do Departamento: FNC
- DOI: 10.11606/D.43.2025.tde-10112025-141342
- Subjects: MODELAGEM MOLECULAR; FILMES FINOS; SEMICONDUTORES; MATERIAIS; FÍSICA DO ESTADO SÓLIDO
- Keywords: BANDGAP; DENSIDADE DE ESTADOS; DENSITY OF STATES; DFT; GA2O3; LARGURA DE BANDA; THIN FILMS
- Agências de fomento:
- Language: Português
- Abstract: Este estudo foca na síntese e caracterização de filmes finos de óxido de gálio, crescidos via Deposição Assistida por Feixe de Íons (IBAD). Os filmes foram analisados usando Difração de Raios X (XRD), Espectrometria de Retroespalhamento de Rutherford (RBS), Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV) e espectroscopia de reflectância UV-VIS-NIR. O XRD confirmou as fases cristalinas presentes em cada amostra, enquanto o RBS forneceu a espessura aproximada dos filmes, assim como a confirmação estequiométrica (composição do filme durante a deposição). O MEV caracterizou a morfologia da superfície, mostrando uma superfície de baixíssima rugosidade, com um tamanho médio de grão de 71(11) nm. As medições de reflectância óptica foram utilizadas para encontrar os valores de bandgap de cada amostra pelo método de Tauc, suportado pela transformação de Kubelka-Munk. Complementarmente, o arquivo CIF do material foi empregado para simulações de primeiros princípios no WIEN2k, gerando diagramas de estrutura de bandas eletrônicas e Densidade de Estados (DOS). Os resultados teóricos identificaram uma largura de banda indireta no ponto L, consistente com os achados experimentais. Os valores da largura de banda são 4,58 eV no ponto e 4,51 eV no ponto L. Notavelmente, os valores experimentais e simulados da largura de banda exibiram uma concordância próxima, validando a metodologia.A caracterização bem-sucedida dos filmes finos de Ga2O3, incluindo a identificação das fases cristalinas nas amostras e sua correlação entre dados experimentais e teóricos, demonstra a eficácia da combinação de técnicas avançadas de deposição, caracterização multimodal e modelagem computacional para estudos aprofundados de materiais existentes, assim como a investigação de novos materiais
- Imprenta:
- Data da defesa: 29.09.2025
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
FIDELIS, Daniel Gonçalves. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3). 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2025. Disponível em: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/. Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Fidelis, D. G. (2025). Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/ -
NLM
Fidelis DG. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/ -
Vancouver
Fidelis DG. Modelagem, formação e caracterização de filmes finos de óxido de gálio (Ga2O3) [Internet]. 2025 ;[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://www.teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-10112025-141342/
Informações sobre o DOI: 10.11606/D.43.2025.tde-10112025-141342 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
