Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear (2025)
- Authors:
- Autor USP: PEREIRA, MATHEUS SOUZA - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.11606/D.43.2025.tde-13122025-163134
- Subjects: FÍSICA NUCLEAR; DETETORES RADIOATIVOS; INSTRUMENTO ELETRÔNICO; SEMICONDUTORES
- Keywords: DETECTORES RADIOATIVOS; DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; INSTRUMENTAÇÃO NUCLEAR; NUCLEAR INSTRUMENTATION; RADIATION DETECTORS; SEMICONDUCTOR DEVICES
- Language: Português
- Abstract: O objetivo deste trabalho foi determinar a resposta de diodos Schottky de Arseneto de Gálio (GaAs) sob a incidência de partículas pesadas. Detectores de barreira Schottky foram produzidos utilizando um wafer de GaAs não dopado, com contato ôhmico de NiGeAu(25/55/150 nm) e contato Schottky de Ti/Pt/Au(20/100/200 nm). A irradiação no dispositivo foi realizada para íons de 1H, 16O, 35Cl, e 63Cu, com energias entre 14.5 MeV à 90 MeV a fim de se ter um intervalo amplo de energias e massas atômicas. Todas as irradiações foram feiras no sistema SAFIIRA(Sistema de Feixes Iônicos para Irradiações e Aplicações), no acelerador Pelletron-IFUSP. Simulações das caracteristicas do dispositivo irradiado foram feitas utilizando o software ECORCE(Étude du Comportement sous Radiation des Composants Électroniques). Os tempos de subida foram medidos em função da tensão sob polarização direta e reversa do detector, atingindo 5.96(45) à -140 V de tensão reversa e acima de 55(1) ns para polarização direta. O tempo de resposta para todos os íons incidentes foi menor que 11 ns sob polarização reversa acima de -20 V e independente do íon. Ocorreram efeitos no espectro de energia que indicam que sua resolução necessita de melhorias para seu devido uso em física nuclear, possivelmente necessitando uma maior pureza do GaAs utilizado
- Imprenta:
- Data da defesa: 18.11.2025
- Status:
- Artigo publicado em periódico de acesso aberto (Gold Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão publicada (Published version)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
PEREIRA, Matheus Souza. Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear. 2025. Dissertação (Mestrado) – Universidade de São Paulo, São Paulo, 2025. Disponível em: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13122025-163134/. Acesso em: 15 abr. 2026. -
APA
Pereira, M. S. (2025). Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear (Dissertação (Mestrado). Universidade de São Paulo, São Paulo. Recuperado de https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13122025-163134/ -
NLM
Pereira MS. Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 15 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13122025-163134/ -
Vancouver
Pereira MS. Estudo de detectores semicondutores de GaAs para detecção de íons pesados em Física Nuclear [Internet]. 2025 ;[citado 2026 abr. 15 ] Available from: https://teses.usp.br/teses/disponiveis/43/43134/tde-13122025-163134/
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