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Artigo de periodico
Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices (2004)
Oliveira, R F; Henriques, André Bohomoletz; Lamas, T E; Quivy, A. A.; Pires, M P; Souza, P L; Yavich, B; Abramof, E
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, MATÉRIA CONDENSADA, LUMINESCÊNCIA, SEMICONDUTORES
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ABNT
OLIVEIRA, R F et al. Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices. Brazilian Journal of Physics, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400032. Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Oliveira, R. F., Henriques, A. B., Lamas, T. E., Quivy, A. A., Pires, M. P., Souza, P. L., et al. (2004). Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices. Brazilian Journal of Physics. doi:10.1590/s0103-97332004000400032
NLM
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Pires MP, Souza PL, Yavich B, Abramof E. Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400032
Vancouver
Oliveira RF, Henriques AB, Lamas TE, Quivy AA, Pires MP, Souza PL, Yavich B, Abramof E. Luminescence from miniband states in heavily doped superlattices [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 2004 ;[citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97332004000400032
Trabalho de evento-resumo
Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image (2003)
Sales, F V de; Silva, S W da; Cruz, J M R; Monte, A F G; Soler, M A G; Morais, P C; Silva, M J da; Quivy, A. A.; Leite, J. R.
Source: Book of Abstracts. Conference titles: International Meeting on Applied Physics. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, ESTRUTURA ELETRÔNICA, MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
SALES, F V de et al. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. 2003, Anais.. Badajoz: APHYS, 2003. . Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Sales, F. V. de, Silva, S. W. da, Cruz, J. M. R., Monte, A. F. G., Soler, M. A. G., Morais, P. C., et al. (2003). Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. In Book of Abstracts. Badajoz: APHYS.
NLM
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Monte AFG, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 ago. 21 ]
Vancouver
Sales FV de, Silva SW da, Cruz JMR, Monte AFG, Soler MAG, Morais PC, Silva MJ da, Quivy AA, Leite JR. Energy transfer in small lens-shaped in as quantum dots observed by microluminescence image. Book of Abstracts. 2003 ;[citado 2024 ago. 21 ]
Artigo de periodico
Reduction of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on vicinal GaAs(001) substrates (2000)
Martini, S.; Quivy, A. A.; Tabata, A; Leite, J. R.
Source: Journal of Vacuum Science & Technology B. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, INTERFACE
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ABNT
MARTINI, S. et al. Reduction of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on vicinal GaAs(001) substrates. Journal of Vacuum Science & Technology B, v. 18, n. 4, p. 1991-1996, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1116/1.1303851. Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Martini, S., Quivy, A. A., Tabata, A., & Leite, J. R. (2000). Reduction of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on vicinal GaAs(001) substrates. Journal of Vacuum Science & Technology B, 18( 4), 1991-1996. doi:10.1116/1.1303851
NLM
Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Reduction of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2000 ; 18( 4): 1991-1996.[citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1116/1.1303851
Vancouver
Martini S, Quivy AA, Tabata A, Leite JR. Reduction of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy on vicinal GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Vacuum Science & Technology B. 2000 ; 18( 4): 1991-1996.[citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1116/1.1303851
Artigo de periodico
Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures (2000)
Pusep, Yuri A.; Silva, M T O; Galzerani, J C; Rodrigues, S C P; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Lima, A. P.; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Moshegov, N T; Basmaji, P
Source: Journal of Applied Physics. Unidades: IF, IFSC
Assunto: FÍSICA
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ABNT
PUSEP, Yuri A. et al. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, v. 87, n. 4, p. 1825-1831, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1063/1.372097. Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Pusep, Y. A., Silva, M. T. O., Galzerani, J. C., Rodrigues, S. C. P., Scolfaro, L. M. R., Lima, A. P., et al. (2000). Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures. Journal of Applied Physics, 87( 4), 1825-1831. doi:10.1063/1.372097
NLM
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Vancouver
Pusep YA, Silva MTO, Galzerani JC, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Lima AP, Quivy AA, Leite JR, Moshegov NT, Basmaji P. Raman measurement of vertical conductivity and localization effects in strongly coupled semiconductor periodical structures [Internet]. Journal of Applied Physics. 2000 ; 87( 4): 1825-1831.[citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1063/1.372097
Artigo de periodico
Effects of thermally activated hole escape mechanism on the optical and electrical properties in 'ro'-type Si 'delta'-doped GaAs(311)A layers (2000)
Frizzarini, M; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Quivy, A. A.; cavalheiro, A; Leite, J. R.; Meneses, E A
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
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ABNT
FRIZZARINI, M et al. Effects of thermally activated hole escape mechanism on the optical and electrical properties in 'ro'-type Si 'delta'-doped GaAs(311)A layers. Physical Review B, v. 61, n. 20, p. 13923-13928, 2000Tradução . . Disponível em: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000061000020013923000001&idtype=cvips. Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Frizzarini, M., Silva, E. C. F. da, Quivy, A. A., cavalheiro, A., Leite, J. R., & Meneses, E. A. (2000). Effects of thermally activated hole escape mechanism on the optical and electrical properties in 'ro'-type Si 'delta'-doped GaAs(311)A layers. Physical Review B, 61( 20), 13923-13928. Recuperado de http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000061000020013923000001&idtype=cvips
NLM
Frizzarini M, Silva ECF da, Quivy AA, cavalheiro A, Leite JR, Meneses EA. Effects of thermally activated hole escape mechanism on the optical and electrical properties in 'ro'-type Si 'delta'-doped GaAs(311)A layers [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 20): 13923-13928.[citado 2024 ago. 21 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000061000020013923000001&idtype=cvips
Vancouver
Frizzarini M, Silva ECF da, Quivy AA, cavalheiro A, Leite JR, Meneses EA. Effects of thermally activated hole escape mechanism on the optical and electrical properties in 'ro'-type Si 'delta'-doped GaAs(311)A layers [Internet]. Physical Review B. 2000 ; 61( 20): 13923-13928.[citado 2024 ago. 21 ] Available from: http://ojps.aip.org/getpdf/servlet/GetPDFServlet?filetype=pdf&id=PRBMDO000061000020013923000001&idtype=cvips
Trabalho de evento-resumo
"Molecular beam epitaxy of III-V semiconductor heterostructures" (1999)
Quivy, A. A.
Source: Programa Oficial, Resumos de Trabalhos. Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA DE PLASMAS
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ABNT
QUIVY, A. A. "Molecular beam epitaxy of III-V semiconductor heterostructures". 1999, Anais.. São Paulo: IFUSP/SBV, 1999. . Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Quivy, A. A. (1999). "Molecular beam epitaxy of III-V semiconductor heterostructures". In Programa Oficial, Resumos de Trabalhos. São Paulo: IFUSP/SBV.
NLM
Quivy AA. "Molecular beam epitaxy of III-V semiconductor heterostructures". Programa Oficial, Resumos de Trabalhos. 1999 ;[citado 2024 ago. 21 ]
Vancouver
Quivy AA. "Molecular beam epitaxy of III-V semiconductor heterostructures". Programa Oficial, Resumos de Trabalhos. 1999 ;[citado 2024 ago. 21 ]
Artigo de periodico
Magnetotransport in a spatially modulated magnetic field (1999)
Gusev, Guennadii Michailovich; Quivy, A. A.; Leite, J. R.; Bykov, A. A.; Moshegov, N. T.; Kudryashev, V. M.; Toropov, A. I.; Nastaushev, Yu V.
Source: Brazilian Journal of Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GUSEV, Guennadii Michailovich et al. Magnetotransport in a spatially modulated magnetic field. Brazilian Journal of Physics, v. 29, n. 4, p. 711-714, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400018. Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Gusev, G. M., Quivy, A. A., Leite, J. R., Bykov, A. A., Moshegov, N. T., Kudryashev, V. M., et al. (1999). Magnetotransport in a spatially modulated magnetic field. Brazilian Journal of Physics, 29( 4), 711-714. doi:10.1590/s0103-97331999000400018
NLM
Gusev GM, Quivy AA, Leite JR, Bykov AA, Moshegov NT, Kudryashev VM, Toropov AI, Nastaushev YV. Magnetotransport in a spatially modulated magnetic field [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 711-714.[citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400018
Vancouver
Gusev GM, Quivy AA, Leite JR, Bykov AA, Moshegov NT, Kudryashev VM, Toropov AI, Nastaushev YV. Magnetotransport in a spatially modulated magnetic field [Internet]. Brazilian Journal of Physics. 1999 ; 29( 4): 711-714.[citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1590/s0103-97331999000400018
Artigo de periodico
Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers (1999)
Levine, A.; Silva, Euzi Conceicao Fernandes da; Sipahi, Guilherme Matos; Quivy, A. A.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; Dias, I. F. L.; Lauretto, E.; Oliveira, J. B. B.; Meneses, E. A.; Oliveira, A. G.
Source: Physical Review B. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEVINE, A. et al. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, v. 59, n. 7, p. 4634-4637, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634. Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Levine, A., Silva, E. C. F. da, Sipahi, G. M., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., et al. (1999). Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers. Physical Review B, 59( 7), 4634-4637. doi:10.1103/physrevb.59.4634
NLM
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634
Vancouver
Levine A, Silva ECF da, Sipahi GM, Quivy AA, Scolfaro LMR, Leite JR, Dias IFL, Lauretto E, Oliveira JBB, Meneses EA, Oliveira AG. Band-edge modifications due to photogenerated carriers in single p-type delta-doped GaAs layers [Internet]. Physical Review B. 1999 ; 59( 7): 4634-4637.[citado 2024 ago. 21 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.59.4634
Trabalho de evento-anais periodico
Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures (1998)
Tabata, A; Levine, A; Marti ceschin, A; Quivy, A. A.; Scolfaro, L M R; Enderlein, R; Leite, J. R.
Source: Radiation Effects & Defects in Solids. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Seminconductors. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A et al. Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. London: Gordon & Breach. . Acesso em: 21 ago. 2024. , 1998
APA
Tabata, A., Levine, A., Marti ceschin, A., Quivy, A. A., Scolfaro, L. M. R., Enderlein, R., & Leite, J. R. (1998). Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. London: Gordon & Breach.
NLM
Tabata A, Levine A, Marti ceschin A, Quivy AA, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. 1998 ; 146 207-214.[citado 2024 ago. 21 ]
Vancouver
Tabata A, Levine A, Marti ceschin A, Quivy AA, Scolfaro LMR, Enderlein R, Leite JR. Optical properties of GaAs/AlGaAs selectively doped quantum well structures. Radiation Effects & Defects in Solids. 1998 ; 146 207-214.[citado 2024 ago. 21 ]
Trabalho de evento-anais periodico
p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates (1998)
Quivy, A. A.; Frizzarini, M; Silva, E C F; Sperandio, A L; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
QUIVY, A. A. et al. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 21 ago. 2024. , 1998
APA
Quivy, A. A., Frizzarini, M., Silva, E. C. F., Sperandio, A. L., & Leite, J. R. (1998). p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF, Sperandio AL, Leite JR. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 125-129.[citado 2024 ago. 21 ]
Vancouver
Quivy AA, Frizzarini M, Silva ECF, Sperandio AL, Leite JR. p-type Si-doped structures grown by molecular beam epitaxy on (311)A GaAs substrates. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27A( 4): 125-129.[citado 2024 ago. 21 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Preparation of InAs surfaces for scanning-tunneling-microscopy investigation in air (1998)
Lamas, T. E.; Quivy, A. A.
Source: Acta Microscópica. Conference titles: Brazilian Conference on Microscopy of Materials. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LAMAS, T. E. e QUIVY, A. A. Preparation of InAs surfaces for scanning-tunneling-microscopy investigation in air. Acta Microscópica. Rio de Janeiro: Interamerican Committee of Societies for Electrom Microscopy. . Acesso em: 21 ago. 2024. , 1998
APA
Lamas, T. E., & Quivy, A. A. (1998). Preparation of InAs surfaces for scanning-tunneling-microscopy investigation in air. Acta Microscópica. Rio de Janeiro: Interamerican Committee of Societies for Electrom Microscopy.
NLM
Lamas TE, Quivy AA. Preparation of InAs surfaces for scanning-tunneling-microscopy investigation in air. Acta Microscópica. 1998 ; 7 61-64.[citado 2024 ago. 21 ]
Vancouver
Lamas TE, Quivy AA. Preparation of InAs surfaces for scanning-tunneling-microscopy investigation in air. Acta Microscópica. 1998 ; 7 61-64.[citado 2024 ago. 21 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Optical characterization of GaAs/AlAs multiple quantum wells interfaces (1998)
Lemos, V; Sérgio, C. S.; Pimenta Lima, A; Quivy, A. A.; Enderlein, R; Leite, J. R.; Carvalho Junior, W
Source: Radiation Effects & Defects in Solids. Conference titles: Symposium on Defect Dependent Processes in Insulators and Seminconductors. Unidade: IF
Subjects: FÍSICA, FÍSICA NUCLEAR
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEMOS, V et al. Optical characterization of GaAs/AlAs multiple quantum wells interfaces. Radiation Effects & Defects in Solids. London: Gordon & Breach. . Acesso em: 21 ago. 2024. , 1998
APA
Lemos, V., Sérgio, C. S., Pimenta Lima, A., Quivy, A. A., Enderlein, R., Leite, J. R., & Carvalho Junior, W. (1998). Optical characterization of GaAs/AlAs multiple quantum wells interfaces. Radiation Effects & Defects in Solids. London: Gordon & Breach.
NLM
Lemos V, Sérgio CS, Pimenta Lima A, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR, Carvalho Junior W. Optical characterization of GaAs/AlAs multiple quantum wells interfaces. Radiation Effects & Defects in Solids. 1998 ; 146 187-197.[citado 2024 ago. 21 ]
Vancouver
Lemos V, Sérgio CS, Pimenta Lima A, Quivy AA, Enderlein R, Leite JR, Carvalho Junior W. Optical characterization of GaAs/AlAs multiple quantum wells interfaces. Radiation Effects & Defects in Solids. 1998 ; 146 187-197.[citado 2024 ago. 21 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy (1998)
Quivy, A. A.; Cotta, M A; Leite, J. R.
Source: Brazilian Journal of Physics. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
QUIVY, A. A. e COTTA, M A e LEITE, J. R. Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física. . Acesso em: 21 ago. 2024. , 1998
APA
Quivy, A. A., Cotta, M. A., & Leite, J. R. (1998). Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Quivy AA, Cotta MA, Leite JR. Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27( 4): 154-457.[citado 2024 ago. 21 ]
Vancouver
Quivy AA, Cotta MA, Leite JR. Growth of selg-organized InGaAs islands by molecular beam epitaxy. Brazilian Journal of Physics. 1998 ; 27( 4): 154-457.[citado 2024 ago. 21 ]
Trabalho de evento-resumo
Análise do Circuito de Retroação de um Microscópio de Tunelamento(STM) (1997)
Fukushima, C T; Quivy, A. A.
Source: Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo, 5. Conference titles: Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo. Unidade: IF
Assunto: FÍSICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FUKUSHIMA, C T e QUIVY, A. A. Análise do Circuito de Retroação de um Microscópio de Tunelamento(STM). 1997, Anais.. São Paulo: Ibraphel Gráfica e Editora, 1997. . Acesso em: 21 ago. 2024.
APA
Fukushima, C. T., & Quivy, A. A. (1997). Análise do Circuito de Retroação de um Microscópio de Tunelamento(STM). In Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo, 5. São Paulo: Ibraphel Gráfica e Editora.
NLM
Fukushima CT, Quivy AA. Análise do Circuito de Retroação de um Microscópio de Tunelamento(STM). Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo, 5. 1997 ;[citado 2024 ago. 21 ]
Vancouver
Fukushima CT, Quivy AA. Análise do Circuito de Retroação de um Microscópio de Tunelamento(STM). Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo, 5. 1997 ;[citado 2024 ago. 21 ]

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