"Molecular beam epitaxy of III-V semiconductor heterostructures" (1999)
- Autor:
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- Subjects: FÍSICA; FÍSICA DE PLASMAS
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Conference titles: Congresso Brasileiro de Aplicações de Vácuo na Indústria e na Ciência
-
ABNT
QUIVY, Alain André. "Molecular beam epitaxy of III-V semiconductor heterostructures". 1999, Anais.. São Paulo: IFUSP/SBV, 1999. . Acesso em: 13 fev. 2026. -
APA
Quivy, A. A. (1999). "Molecular beam epitaxy of III-V semiconductor heterostructures". In Programa Oficial, Resumos de Trabalhos. São Paulo: IFUSP/SBV. -
NLM
Quivy AA. "Molecular beam epitaxy of III-V semiconductor heterostructures". Programa Oficial, Resumos de Trabalhos. 1999 ;[citado 2026 fev. 13 ] -
Vancouver
Quivy AA. "Molecular beam epitaxy of III-V semiconductor heterostructures". Programa Oficial, Resumos de Trabalhos. 1999 ;[citado 2026 fev. 13 ] - Calculation of two-dimensional scattering patterns for oriented systems
- Optical and transport properties of InAs/GaAs quantum dots emitting at 1.3
- Investigation of the electron-phonon interaction in GaAs/`Al IND.x´`Ga IND.1-x´As coupled double quantum wells
- Photoluminescence in self assembled quantum dos of InAs grown with different deposition rates
- Behavior of excitonic binding energy in single and double 'GA''AS'/'AL''GA''AS' quantum wells
- Growth and characterization of 'IN' 'GA''AS' quantum dots by molecular beam epitaxy
- Effect of barrier composition fluctuation on luminescence properties of AlGaAs/GaAs single quantum wells
- Influência da composição da barreira sobre a fotoluminescência dependente da temperatura em poços quânticos de $Al_xGa_{1-x}As/GaAs$
- Interdot carrier transfer in self-assembled 'IN''AS'/'GA''AS' double-quantum-dots structures
- Preparation of atomically flat GaAs surfaces for molecular beam epitaxy
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
