Análise do Circuito de Retroação de um Microscópio de Tunelamento(STM) (1997)
- Authors:
- Autor USP: QUIVY, ALAIN ANDRE - IF
- Unidade: IF
- Assunto: FÍSICA
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Ibraphel Gráfica e Editora
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1997
- Source:
- Conference titles: Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo
-
ABNT
FUKUSHIMA, C T e QUIVY, Alain André. Análise do Circuito de Retroação de um Microscópio de Tunelamento(STM). 1997, Anais.. São Paulo: Ibraphel Gráfica e Editora, 1997. . Acesso em: 31 dez. 2025. -
APA
Fukushima, C. T., & Quivy, A. A. (1997). Análise do Circuito de Retroação de um Microscópio de Tunelamento(STM). In Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo, 5. São Paulo: Ibraphel Gráfica e Editora. -
NLM
Fukushima CT, Quivy AA. Análise do Circuito de Retroação de um Microscópio de Tunelamento(STM). Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo, 5. 1997 ;[citado 2025 dez. 31 ] -
Vancouver
Fukushima CT, Quivy AA. Análise do Circuito de Retroação de um Microscópio de Tunelamento(STM). Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo, 5. 1997 ;[citado 2025 dez. 31 ] - Competition between the In/Ga intermixing and the electronic coupling effects in self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots
- Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled InAs/GaAs double-quantum-dots grown on GaAs (100)
- Universal spintronic properties of (In,Ga)As/GaAs self-assembled quantum dots
- Photoluminescence Study of Self-Assembled Quantum Dots of 'IN''AS'
- Growth and characterization of distributed bragg reflectors (dbrs) for the fabrication of optical devices
- AFM and PL characterization of the continous evolution cycle of MBE-grown self-assembled InAs quantum dots
- Scanning tunneling microscopy as a tool for doping studies in semiconductors
- Anti-cruzamento das sub-bandas de buracos em poços quânticos de GaAs/AlGaAs sob pressão biaxial
- Investigation of interdot carrier transfer in vertically stacked self-assembled 'IN''AS'/'GA'AS' double-quantum-dots grown on 'GA''AS' (100)
- Optical characterization of self-assembled quantum dots of InAs by photoreflectance
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