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Artigo de periodico
Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate (2006)
Pacheco-Salazar, D G; Leite, J. R.; Cerdeira, F; Meneses, E A; Li, S F; As, D J; Lischka, K
Source: Semiconductor Science and Technology. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, ESPALHAMENTO
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ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, v. 21, n. 7, p. 846-851, 2006Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Leite, J. R., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Li, S. F., As, D. J., & Lischka, K. (2006). Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate. Semiconductor Science and Technology, 21( 7), 846-851. doi:10.1088/0268-1242/21/7/003
NLM
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, Cerdeira F, Meneses EA, Li SF, As DJ, Lischka K. Photoluminescence measurements on cubic InGaN layers deposited on a SiC substrate [Internet]. Semiconductor Science and Technology. 2006 ; 21( 7): 846-851.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/7/003
Artigo de periodico
Growth and characterization of cubic (2005)
Pacheco-Salazar, D G; Li, S F; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; As, D J; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: CRISTALOGRAFIA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X
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ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, v. 284, n. 3-4, p. 379-387, 2005Tradução . . Disponível em: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Li, S. F., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., Scolfaro, L. M. R., et al. (2005). Growth and characterization of cubic. Journal of Crystal Growth, 284( 3-4), 379-387. Recuperado de http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
NLM
Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Li SF, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, Scolfaro LMR, As DJ, Lischka K. Growth and characterization of cubic [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2005 ; 284( 3-4): 379-387.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www.sciencedirect.com/science?_ob=JournalURL&_cdi=5302&_auth=y&_acct=C000049650&_version=1&_urlVersion=0&_userid=972067&md5=841273c738a47f3959822930346abf20
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2004)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Noriega, O C; Leite, J. R.; As, D J; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Microelectronics Journal. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FILMES FINOS, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal, 2004Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Noriega, O. C., Leite, J. R., et al. (2004). Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Microelectronics Journal. doi:10.1016/s0026-2692(03)00226-x
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN with and without carbon doping [Internet]. Microelectronics Journal. 2004 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0026-2692(03)00226-x
Trabalho de evento-resumo
Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping (2003)
Fernandez, J R L; Cerdeira, F; Meneses, E A; Soares, J A N T; Santos, A M; Noriega, Odille Cue; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Köhler, U; Salazar, D G P; Schikora, D; Lischka, K
Source: Programa e Livro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, DIFRAÇÃO POR RAIOS X, FILMES FINOS
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Soares, J. A. N. T., Santos, A. M., Noriega, O. C., et al. (2003). Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. In Programa e Livro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Cerdeira F, Meneses EA, Soares JANT, Santos AM, Noriega OC, Leite JR, As DJ, Köhler U, Salazar DGP, Schikora D, Lischka K. Optical properties of cubic GaN with and without carbon doping. Programa e Livro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 set. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions (2003)
Pacheco-Salazar, D G; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Potthast, A; Lischka, K
Source: Programa e Libro de Resumos. Conference titles: Encontro da Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. Unidade: IF
Subjects: MATERIAIS, MATÉRIA CONDENSADA, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
PACHECO-SALAZAR, D G et al. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. 2003, Anais.. Rio de Janeiro: SBPMat, 2003. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Pacheco-Salazar, D. G., Leite, J. R., As, D. J., Potthast, A., & Lischka, K. (2003). Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. In Programa e Libro de Resumos. Rio de Janeiro: SBPMat.
NLM
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, As DJ, Potthast A, Lischka K. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. Programa e Libro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Pacheco-Salazar DG, Leite JR, As DJ, Potthast A, Lischka K. Improving of the p-type doping by carbon in cubic GaN samples under Ga-rich growth conditions. Programa e Libro de Resumos. 2003 ;[citado 2024 set. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Tabata, A; Rodrigues, S C P; Cerdeira, F; Meneses, E A; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.; As, Donat Joseph; Lischka, K
Source: Book of Abstract. Conference titles: Brazilian Workshop on Semiconductor Physics. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, FOTOLUMINESCÊNCIA
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ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. 2003, Anais.. Fortaleza: DF/UFC, 2003. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Tabata, A., Rodrigues, S. C. P., Cerdeira, F., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. In Book of Abstract. Fortaleza: DF/UFC.
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Tabata A, Rodrigues SCP, Cerdeira F, Meneses EA, Scolfaro LMR, Leite JR, As DJ, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Book of Abstract. 2003 ;[citado 2024 set. 04 ]
Artigo de periodico
Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates (2003)
Noriega, O C; Tabata, A; Soares, J A N T; Rodrigues, S C P; Leite, J. R.; Ribeiro, E; Fernandez, J R L; Meneses, E A; Cerdeira, F; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, ESTRUTURA ELETRÔNICA
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ABNT
NORIEGA, O C et al. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, v. 252, n. 1-3, p. 208-212, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Noriega, O. C., Tabata, A., Soares, J. A. N. T., Rodrigues, S. C. P., Leite, J. R., Ribeiro, E., et al. (2003). Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates. Journal of Crystal Growth, 252( 1-3), 208-212. doi:10.1016/s0022-0248(02)02517-4
NLM
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Vancouver
Noriega OC, Tabata A, Soares JANT, Rodrigues SCP, Leite JR, Ribeiro E, Fernandez JRL, Meneses EA, Cerdeira F, As DJ, Schikora D, Lischka K. Photoreflectance studies of optical transitions in cubic GaN grown on GaAs(001) substrates [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2003 ; 252( 1-3): 208-212.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(02)02517-4
Artigo de periodico
Near band-edge optical properties of cubic GaN (2003)
Fernandez, J R L; Noriega, O C; Soares, J A N T; Cerdeira, F; Meneses, E A; Leite, J. R.; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Solid State Communications. Unidade: IF
Subjects: FILMES FINOS, ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, v. 125, n. 3-4, p. 205-208, 2003Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Noriega, O. C., Soares, J. A. N. T., Cerdeira, F., Meneses, E. A., Leite, J. R., et al. (2003). Near band-edge optical properties of cubic GaN. Solid State Communications, 125( 3-4), 205-208. doi:10.1016/s0038-1098(02)00768-8
NLM
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Vancouver
Fernandez JRL, Noriega OC, Soares JANT, Cerdeira F, Meneses EA, Leite JR, As DJ, Schikora D, Lischka K. Near band-edge optical properties of cubic GaN [Internet]. Solid State Communications. 2003 ; 125( 3-4): 205-208.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1098(02)00768-8
Artigo de periodico
Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells (2002)
Rodrigues, S. C. P.; Sipahi, Guilherme Matos; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Noriega, Odille Cue; Leite, Jose Roberto; Frey, T.; As, D. J.; Schikora, D; Lischka, K
Source: Physica Status Solidi A. Unidades: IFSC, IF
Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
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ABNT
RODRIGUES, S. C. P. et al. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Physica Status Solidi A, v. 190, n. 1, p. 121-127, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Rodrigues, S. C. P., Sipahi, G. M., Scolfaro, L. M. R., Noriega, O. C., Leite, J. R., Frey, T., et al. (2002). Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells. Physica Status Solidi A, 190( 1), 121-127. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 190( 1): 121-127.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Rodrigues SCP, Sipahi GM, Scolfaro LMR, Noriega OC, Leite JR, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Inter- and intraband transitions in cubic nitride quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 190( 1): 121-127.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=92013024&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells (2002)
Kohler, U.; As, D. J.; Potthast, S.; Khartchenko, A.; Lischka, K; Noriega, O. C.; Meneses, E. A.; Tabata, A.; Rodrigues, S. C. P.; Scolfaro, L. M. R.; Sipahi, Guilherme Matos; Leite, Jose Roberto
Source: Physica Status Solidi A. Unidades: IF, IFSC
Subjects: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA, ÓPTICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
KOHLER, U. et al. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells. Physica Status Solidi A, v. 192, n. 1, p. 129-134, 2002Tradução . . Disponível em: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Kohler, U., As, D. J., Potthast, S., Khartchenko, A., Lischka, K., Noriega, O. C., et al. (2002). Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells. Physica Status Solidi A, 192( 1), 129-134. Recuperado de http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
NLM
Kohler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K, Noriega OC, Meneses EA, Tabata A, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Leite JR. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 192( 1): 129-134.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
Vancouver
Kohler U, As DJ, Potthast S, Khartchenko A, Lischka K, Noriega OC, Meneses EA, Tabata A, Rodrigues SCP, Scolfaro LMR, Sipahi GM, Leite JR. Optical characterization of cubic AlGaN/GaN quantum wells [Internet]. Physica Status Solidi A. 2002 ; 192( 1): 129-134.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://www3.interscience.wiley.com/cgi-bin/fulltext?ID=96516216&PLACEBO=IE.pdf
Artigo de periodico
Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers (2002)
Teles, L. K.; Furthmüller, J; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Tabata, A; Leite, J. R.; Bechstedt, F; Frey, T; As, D J; Lischka, K
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTIVIDADE, TERMODINÂMICA, ESPECTROSCOPIA RAMAN, ESPECTROSCOPIA DE RAIO X
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TELES, L. K. et al. Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers. Physica E, v. 13, n. 2-4, p. 1086-1089, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00309-0. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Teles, L. K., Furthmüller, J., Scolfaro, L. M. R., Tabata, A., Leite, J. R., Bechstedt, F., et al. (2002). Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers. Physica E, 13( 2-4), 1086-1089. doi:10.1016/s1386-9477(02)00309-0
NLM
Teles LK, Furthmüller J, Scolfaro LMR, Tabata A, Leite JR, Bechstedt F, Frey T, As DJ, Lischka K. Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1086-1089.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00309-0
Vancouver
Teles LK, Furthmüller J, Scolfaro LMR, Tabata A, Leite JR, Bechstedt F, Frey T, As DJ, Lischka K. Phase separation and gap bowing in zinc-blende InGaN, InAlN, BGaN, and BAlN alloy layers [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1086-1089.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00309-0
Artigo de periodico
Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures (2002)
Husberg, O; Khartchenko, A; Vogelsang, H; As, D J; Lischka, K; Noriega, Odille Cue; Tabata, Americo; Scolfaro, Luisa Maria Ribeiro; Leite, J. R.
Source: Physica E. Unidade: IF
Subjects: SEMICONDUTORES, FOTOLUMINESCÊNCIA, PROPRIEDADES DOS MATERIAIS, MATERIAIS, FILMES FINOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HUSBERG, O et al. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures. Physica E, v. 13, n. 2-4, p. 1090-1093, 2002Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Husberg, O., Khartchenko, A., Vogelsang, H., As, D. J., Lischka, K., Noriega, O. C., et al. (2002). Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures. Physica E, 13( 2-4), 1090-1093. doi:10.1016/s1386-9477(02)00310-7
NLM
Husberg O, Khartchenko A, Vogelsang H, As DJ, Lischka K, Noriega OC, Tabata A, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1090-1093.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7
Vancouver
Husberg O, Khartchenko A, Vogelsang H, As DJ, Lischka K, Noriega OC, Tabata A, Scolfaro LMR, Leite JR. Photoluminescence associated with quantum dots in cubic GaN/InGaN/GaN double heterostructures [Internet]. Physica E. 2002 ; 13( 2-4): 1090-1093.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s1386-9477(02)00310-7
Artigo de periodico
Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems (2001)
Fernandez, J R L; Araujo, C Moyses; Silva, A Ferreira da; Leite, J. R.; Sernelius, Bo E; Tabata, A; Abramog, E; Chitta, V A; Persson, C; Ahuja, R; Pepe, I; As, D J; Frey, T; Schikora, D; Lischka, K
Source: Journal of Crystal Growth. Unidade: IF
Subjects: DIELÉTRICOS, RESISTÊNCIA ELÉTRICA, MATERIAIS (ANÁLISE;TESTES), RESISTÊNCIA DOS MATERIAIS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems. Journal of Crystal Growth, v. 231, n. 3, p. 420-427, 2001Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Araujo, C. M., Silva, A. F. da, Leite, J. R., Sernelius, B. E., Tabata, A., et al. (2001). Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems. Journal of Crystal Growth, 231( 3), 420-427. doi:10.1016/s0022-0248(01)01473-7
NLM
Fernandez JRL, Araujo CM, Silva AF da, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Abramog E, Chitta VA, Persson C, Ahuja R, Pepe I, As DJ, Frey T, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2001 ; 231( 3): 420-427.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7
Vancouver
Fernandez JRL, Araujo CM, Silva AF da, Leite JR, Sernelius BE, Tabata A, Abramog E, Chitta VA, Persson C, Ahuja R, Pepe I, As DJ, Frey T, Schikora D, Lischka K. Electrical resistivity and band-gap shift of Si-doped GaN and metal-nometal transition in cubic GaN, InN and AlN systems [Internet]. Journal of Crystal Growth. 2001 ; 231( 3): 420-427.[citado 2024 set. 04 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0022-0248(01)01473-7
Artigo de periodico
MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties (2001)
As, D J; Frey, T; Barttls, M; Lischka, K; Goldhahn, R; Shokhovets, S; Tabata, A; Fernandez, J R L; Leite, J. R.
Source: Journal of Crstal Growth. Unidade: IF
Subjects: DIFRAÇÃO POR RAIOS X, MAGNETISMO, SEMICONDUTORES, MATÉRIA CONDENSADA, ÓPTICA (PROPRIEDADES)
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
AS, D J et al. MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties. Journal of Crstal Growth, v. 230, n. 3-4, p. 421-425, 2001Tradução . . Disponível em: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00220248&issue=v230i3-4&article=421_mgocahvaop&form=pdf&file=file.pdf. Acesso em: 04 set. 2024.
APA
As, D. J., Frey, T., Barttls, M., Lischka, K., Goldhahn, R., Shokhovets, S., et al. (2001). MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties. Journal of Crstal Growth, 230( 3-4), 421-425. Recuperado de http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00220248&issue=v230i3-4&article=421_mgocahvaop&form=pdf&file=file.pdf
NLM
As DJ, Frey T, Barttls M, Lischka K, Goldhahn R, Shokhovets S, Tabata A, Fernandez JRL, Leite JR. MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties [Internet]. Journal of Crstal Growth. 2001 ; 230( 3-4): 421-425.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00220248&issue=v230i3-4&article=421_mgocahvaop&form=pdf&file=file.pdf
Vancouver
As DJ, Frey T, Barttls M, Lischka K, Goldhahn R, Shokhovets S, Tabata A, Fernandez JRL, Leite JR. MBE growth of cubic 'Al IND.Y' 'Ga IND.1-Y'N/GaN heterostructures, vibrational and optical properties [Internet]. Journal of Crstal Growth. 2001 ; 230( 3-4): 421-425.[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://e5500.fapesp.br/cgi-bin/sciserv.pl?collection=journals&journal=00220248&issue=v230i3-4&article=421_mgocahvaop&form=pdf&file=file.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N (2000)
Lemos, V; Silveira, E; Leite, J. R.; Tabata, A; Trentin, R.; Frey, T; As, D J; Schikora, D; Lischka, K
Source: Materials Science Forum. Conference titles: Proceedings of the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEMOS, V et al. Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publications. . Acesso em: 04 set. 2024. , 2000
APA
Lemos, V., Silveira, E., Leite, J. R., Tabata, A., Trentin, R., Frey, T., et al. (2000). Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publications.
NLM
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342 1595-1598.[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Lemos V, Silveira E, Leite JR, Tabata A, Trentin R, Frey T, As DJ, Schikora D, Lischka K. Resonant raman scattering and the emission process in zincblende-'In IND.X''Ga IND.1-X'N. Materials Science Forum. 2000 ; 338-342 1595-1598.[citado 2024 set. 04 ]
Trabalho de evento
Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy (2000)
Fernandez, J R L; Tabata, A; Chitta, V A; As, D J; Frey, T; Noriega, O C; Silva, M T O; Abramof, E; Schikora, D; Lischka, K; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: International Workshop on Nitride Semiconductors. Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
FERNANDEZ, J R L et al. Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. 2000, Anais.. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP, 2000. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Fernandez, J. R. L., Tabata, A., Chitta, V. A., As, D. J., Frey, T., Noriega, O. C., et al. (2000). Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. In Proceedings. Tokyo: The Institute of Pure and Applied Physics-IPAP.
NLM
Fernandez JRL, Tabata A, Chitta VA, As DJ, Frey T, Noriega OC, Silva MTO, Abramof E, Schikora D, Lischka K, Leite JR. Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. Proceedings. 2000 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Fernandez JRL, Tabata A, Chitta VA, As DJ, Frey T, Noriega OC, Silva MTO, Abramof E, Schikora D, Lischka K, Leite JR. Overdamped electron plasma oscillations in cubic 'Al IND.X' 'Ga IND.1-X'N layers observed by raman scattering spectrocopy. Proceedings. 2000 ;[citado 2024 set. 04 ]
Relatorio tecnico
Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate (1999)
Tabata, Americo; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Lemos, V; Schikora, D; Schottker, B; Kohler, U; As, D J; Lischka, K
Unidade: IF
Subjects: MATÉRIA CONDENSADA, FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, Americo et al. Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. . São Paulo: IFUSP. Disponível em: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf. Acesso em: 04 set. 2024. , 1999
APA
Tabata, A., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Schikora, D., Schottker, B., et al. (1999). Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate. São Paulo: IFUSP. Recuperado de http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf
NLM
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. 1999 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf
Vancouver
Tabata A, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Schikora D, Schottker B, Kohler U, As DJ, Lischka K. Micro-Raman analysis of cubic GaN layers grown by MBE on (001) GaAs substrate [Internet]. 1999 ;[citado 2024 set. 04 ] Available from: http://publica-sbi.if.usp.br/PDFs/pd1360.pdf
Trabalho de evento-anais periodico
Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study (1998)
Silva, Juarez Lopes Ferreira da ; Enderlein, R; Scolfaro, L M R; Leite, J. R.; Tabata, A; Lischka, K; Schikora, D; Bechstedt, F
Source: Materials Science Forum. Conference titles: Silicon Carbide III Nitride and Related Materials. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, Juarez Lopes Ferreira da et al. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publishing. . Acesso em: 04 set. 2024. , 1998
APA
Silva, J. L. F. da, Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Tabata, A., Lischka, K., et al. (1998). Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publishing.
NLM
Silva JLF da, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Tabata A, Lischka K, Schikora D, Bechstedt F. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1197-1200.[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Silva JLF da, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Tabata A, Lischka K, Schikora D, Bechstedt F. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1197-1200.[citado 2024 set. 04 ]
Trabalho de evento-resumo
Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers (1998)
Trentin, R.; Tabata, A; Leite, J. R.; Silva, S W; Galzerani, J C; Lischka, K; Schottker, B; Schikora, D
Source: Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Física da Matéria Condensada. Unidade: IF
Assunto: MATÉRIA CONDENSADA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TRENTIN, R. et al. Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers. 1998, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física, 1998. . Acesso em: 04 set. 2024.
APA
Trentin, R., Tabata, A., Leite, J. R., Silva, S. W., Galzerani, J. C., Lischka, K., et al. (1998). Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers. In Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Física.
NLM
Trentin R, Tabata A, Leite JR, Silva SW, Galzerani JC, Lischka K, Schottker B, Schikora D. Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers. Resumos. 1998 ;[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Trentin R, Tabata A, Leite JR, Silva SW, Galzerani JC, Lischka K, Schottker B, Schikora D. Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers. Resumos. 1998 ;[citado 2024 set. 04 ]
Trabalho de evento-anais periodico
Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs (1998)
Tabata, A; Enderlein, R; Lima, A. P.; Leite, J. R.; Lemos, V; Kaiser, S; Schikora, D; Schoettker, B; Koehler, U; Lischka, K
Source: Materials Science Forum. Conference titles: Silicon Carbide III-Nitrides and Related Materials International Conference. Unidade: IF
Assunto: SEMICONDUTORES
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TABATA, A et al. Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publications. . Acesso em: 04 set. 2024. , 1998
APA
Tabata, A., Enderlein, R., Lima, A. P., Leite, J. R., Lemos, V., Kaiser, S., et al. (1998). Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publications.
NLM
Tabata A, Enderlein R, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Kaiser S, Schikora D, Schoettker B, Koehler U, Lischka K. Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1367-1370.[citado 2024 set. 04 ]
Vancouver
Tabata A, Enderlein R, Lima AP, Leite JR, Lemos V, Kaiser S, Schikora D, Schoettker B, Koehler U, Lischka K. Micro-Raman and electron microscopy analysis of cubic GaN layers on (001) GaAs. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1367-1370.[citado 2024 set. 04 ]

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