Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study (1998)
- Authors:
- USP affiliated authors: SCOLFARO, LUISA MARIA RIBEIRO - IF ; LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: Trans Tech Publishing
- Publisher place: Zuerich
- Date published: 1998
- Source:
- Título do periódico: Materials Science Forum
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 264-268, pt. 2, p. 1197-1200, 1998
- Conference titles: Silicon Carbide III Nitride and Related Materials
-
ABNT
SILVA, Juarez Lopes Ferreira da et al. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publishing. . Acesso em: 28 mar. 2024. , 1998 -
APA
Silva, J. L. F. da, Enderlein, R., Scolfaro, L. M. R., Leite, J. R., Tabata, A., Lischka, K., et al. (1998). Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. Zuerich: Trans Tech Publishing. -
NLM
Silva JLF da, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Tabata A, Lischka K, Schikora D, Bechstedt F. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1197-1200.[citado 2024 mar. 28 ] -
Vancouver
Silva JLF da, Enderlein R, Scolfaro LMR, Leite JR, Tabata A, Lischka K, Schikora D, Bechstedt F. Surface reconstruction and MBE growth of cubic GaN on (001) GaAs: a total energy study. Materials Science Forum. 1998 ; 264-268 1197-1200.[citado 2024 mar. 28 ] - Density functional theory for holes in semiconductors - replay
- First principles studies of point defects and impurities in cubic boron nitride
- Cálculo de primeiros princípios de defeitos nativos e impurezas em nitreto de boro cúbico
- Dopagem delta em super-redes semicondutoras submetidas a campos magnéticos
- Analise sistematica das propriedades eletronicas de estruturas delta-dopadas em semicondutores
- Electronic properties of multiple 'DELTA-DOPED' layers in silicon and 'GA' 'AS'
- Band structure of p-gama- doping structures in 'GA''AS'
- Band structure of holes in 'P-TYPE''GAMA-DOPING' quantum wells and superlattices
- Epitaxial growth of gan on si-terminated sic (100): a total energy study
- Behavior of carriers in 'DELTA-DOPED' quantum wells under in-plane magnetic fields
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas