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Trabalho de evento-resumo
Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional (1988)
Takahashi, E K; Lino, A T; Ferraz, A. C.; Leite, J. R.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
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ABNT
TAKAHASHI, E K et al. Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Takahashi, E. K., Lino, A. T., Ferraz, A. C., & Leite, J. R. (1988). Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Takahashi EK, Lino AT, Ferraz AC, Leite JR. Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Takahashi EK, Lino AT, Ferraz AC, Leite JR. Calculos da estrutura eletronica do bn e bp atraves do metodo celular variacional. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Parte de monografia/livro
Microscopic structure of group-iii acceptor-hidrogen complexes in crystalline silicon (1988)
Leite, J. R.; Assali, L. V. C. ; Silva, E C F; Baumvol, I J R
Source: Physics of Semiconductors. Unidade: IF
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ABNT
LEITE, J. R. et al. Microscopic structure of group-iii acceptor-hidrogen complexes in crystalline silicon. Physics of Semiconductors. Tradução . Warsaw: Institute of Physics, 1988. . . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Leite, J. R., Assali, L. V. C., Silva, E. C. F., & Baumvol, I. J. R. (1988). Microscopic structure of group-iii acceptor-hidrogen complexes in crystalline silicon. In Physics of Semiconductors. Warsaw: Institute of Physics.
NLM
Leite JR, Assali LVC, Silva ECF, Baumvol IJR. Microscopic structure of group-iii acceptor-hidrogen complexes in crystalline silicon. In: Physics of Semiconductors. Warsaw: Institute of Physics; 1988. [citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Leite JR, Assali LVC, Silva ECF, Baumvol IJR. Microscopic structure of group-iii acceptor-hidrogen complexes in crystalline silicon. In: Physics of Semiconductors. Warsaw: Institute of Physics; 1988. [citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio (1988)
Lino, A T; Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
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ABNT
LINO, A T et al. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Lino, A. T., Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1988). Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Lino AT, Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Lino AT, Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura microscopica dos complexos aceitadores do grupo iii - hidrogenio em silicio (1988)
Assali, L. V. C. ; Silva, E C F; Leite, J. R.; Dal Pino Junior, A
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
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ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Estrutura microscopica dos complexos aceitadores do grupo iii - hidrogenio em silicio. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., Silva, E. C. F., Leite, J. R., & Dal Pino Junior, A. (1988). Estrutura microscopica dos complexos aceitadores do grupo iii - hidrogenio em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Assali LVC, Silva ECF, Leite JR, Dal Pino Junior A. Estrutura microscopica dos complexos aceitadores do grupo iii - hidrogenio em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Assali LVC, Silva ECF, Leite JR, Dal Pino Junior A. Estrutura microscopica dos complexos aceitadores do grupo iii - hidrogenio em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Entropia de formacao de defeitos intrinsecos em silicio (1988)
Silva, E C F; Dal Pino Junior, A; Leite, J. R.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
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ABNT
SILVA, E C F e DAL PINO JUNIOR, A e LEITE, J. R. Entropia de formacao de defeitos intrinsecos em silicio. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Silva, E. C. F., Dal Pino Junior, A., & Leite, J. R. (1988). Entropia de formacao de defeitos intrinsecos em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Silva ECF, Dal Pino Junior A, Leite JR. Entropia de formacao de defeitos intrinsecos em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Silva ECF, Dal Pino Junior A, Leite JR. Entropia de formacao de defeitos intrinsecos em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
Electronic structure of cationic core excitons in ii-vi semiconductors (1988)
Chacham, H; Alves, J L A; Siqueira, M L; Leite, J. R.
Source: Journal of Physics and Chemistry of Solids. Unidade: IF
Subjects: ESTRUTURA ELETRÔNICA, SEMICONDUTORES
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ABNT
CHACHAM, H et al. Electronic structure of cationic core excitons in ii-vi semiconductors. Journal of Physics and Chemistry of Solids, v. 49, n. 8 , p. 969-73, 1988Tradução . . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Chacham, H., Alves, J. L. A., Siqueira, M. L., & Leite, J. R. (1988). Electronic structure of cationic core excitons in ii-vi semiconductors. Journal of Physics and Chemistry of Solids, 49( 8 ), 969-73.
NLM
Chacham H, Alves JLA, Siqueira ML, Leite JR. Electronic structure of cationic core excitons in ii-vi semiconductors. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1988 ;49( 8 ): 969-73.[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Chacham H, Alves JLA, Siqueira ML, Leite JR. Electronic structure of cationic core excitons in ii-vi semiconductors. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 1988 ;49( 8 ): 969-73.[citado 2024 nov. 13 ]
Parte de monografia/livro
Deep levels induced by 3d-transition metal impurities in diamond (1988)
Alves, H W L; Leite, J. R.; Alves, J L A
Source: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF
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ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. e ALVES, J L A. Deep levels induced by 3d-transition metal impurities in diamond. Current Topics on Semiconductor Physics. Tradução . Singapore: World Scientific, 1988. . . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Alves, J. L. A. (1988). Deep levels induced by 3d-transition metal impurities in diamond. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
NLM
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Deep levels induced by 3d-transition metal impurities in diamond. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Deep levels induced by 3d-transition metal impurities in diamond. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento
Centros relacionados com impurezas del grupo iv en 'GA''AS' (1988)
Pintanel, R; Scolfaro, L M R; Gomes, V M S; Leite, J. R.; Meneses, E A
Source: Actas. Conference titles: Simposio Chileno de Fisica. Unidade: IF
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ABNT
PINTANEL, R et al. Centros relacionados com impurezas del grupo iv en 'GA''AS'. 1988, Anais.. Santiago: Instituto de Física, Universidade de São Paulo, 1988. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Pintanel, R., Scolfaro, L. M. R., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., & Meneses, E. A. (1988). Centros relacionados com impurezas del grupo iv en 'GA''AS'. In Actas. Santiago: Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Pintanel R, Scolfaro LMR, Gomes VMS, Leite JR, Meneses EA. Centros relacionados com impurezas del grupo iv en 'GA''AS'. Actas. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Pintanel R, Scolfaro LMR, Gomes VMS, Leite JR, Meneses EA. Centros relacionados com impurezas del grupo iv en 'GA''AS'. Actas. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio (1988)
Gomes, V M S; Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GOMES, V M S e ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1988). Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields (1988)
Gomes, V M S; Oliveira, G M G; Leite, J. R.; Chaves, A S
Source: Fisica Y Tecnologia de Semicondutores. Unidade: IF
Assunto: CAMPO MAGNÉTICO
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ABNT
GOMES, V M S et al. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores, v. 3 , p. 50-64, 1988Tradução . . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Gomes, V. M. S., Oliveira, G. M. G., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1988). Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores, 3 , 50-64.
NLM
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores. 1988 ;3 50-64.[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores. 1988 ;3 50-64.[citado 2024 nov. 13 ]
Artigo de periodico
Electronic structure of complex defects in silicon (1988)
Leite, J. R.; Assali, L. V. C. ; Gomes, V M S
Source: Lec Notes in Phys. Unidade: IF
Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEITE, J. R. e ASSALI, L. V. C. e GOMES, V M S. Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys, v. 301, p. 75-94, 1988Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/bfb0034418. Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1988). Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys, 301, 75-94. doi:10.1007/bfb0034418
NLM
Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418
Vancouver
Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94.[citado 2024 nov. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418
Parte de monografia/livro
Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon (1988)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. Current Topics on Semiconductor Physics. Tradução . Singapore: World Scientific, 1988. . . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1988). Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon (1988)
Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ASSALI, L. V. C. e LEITE, J. R. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1988). Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Assali LVC, Leite JR. Chemical trends in electronic properties of gold-3d transition metal pair complex in silicon. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy (1988)
Dal Pino Junior, A; Silva, E C F; Leite, J. R.
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DAL PINO JUNIOR, A e SILVA, E C F e LEITE, J. R. Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Dal Pino Junior, A., Silva, E. C. F., & Leite, J. R. (1988). Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Dal Pino Junior A, Silva ECF, Leite JR. Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Dal Pino Junior A, Silva ECF, Leite JR. Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Parte de monografia/livro
Microscopic model for the vibrational modes associated to the 'B IND.S''H IND.I' complex in si (1988)
Silva, E C F; Assali, L. V. C. ; Leite, J. R.; Dal Pino Junior, A
Source: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SILVA, E C F et al. Microscopic model for the vibrational modes associated to the 'B IND.S''H IND.I' complex in si. Current Topics on Semiconductor Physics. Tradução . Singapore: World Scientific, 1988. . . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Silva, E. C. F., Assali, L. V. C., Leite, J. R., & Dal Pino Junior, A. (1988). Microscopic model for the vibrational modes associated to the 'B IND.S''H IND.I' complex in si. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
NLM
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR, Dal Pino Junior A. Microscopic model for the vibrational modes associated to the 'B IND.S''H IND.I' complex in si. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Silva ECF, Assali LVC, Leite JR, Dal Pino Junior A. Microscopic model for the vibrational modes associated to the 'B IND.S''H IND.I' complex in si. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 nov. 13 ]
Parte de monografia/livro
Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields (1988)
Oliveira, G M G; Gomes, V M S; Leite, J. R.; Chaves, A S
Source: Current Topics on Semiconductor Physics. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
OLIVEIRA, G M G et al. Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields. Current Topics on Semiconductor Physics. Tradução . Singapore: World Scientific, 1988. . . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Oliveira, G. M. G., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1988). Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields. In Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific.
NLM
Oliveira GMG, Gomes VMS, Leite JR, Chaves AS. Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Oliveira GMG, Gomes VMS, Leite JR, Chaves AS. Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields. In: Current Topics on Semiconductor Physics. Singapore: World Scientific; 1988. [citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond (1988)
Alves, H W L; Leite, J. R.; Alves, J L A
Source: Proceedings. Conference titles: Escola Brasileira de Fisica de Semicondutores. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. e ALVES, J L A. Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. 1988, Anais.. Singapore: World Scientific, 1988. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Alves, J. L. A. (1988). Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. In Proceedings. Singapore: World Scientific.
NLM
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond. Proceedings. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo periodico
Estrutura eletronica de impurezas em germanio (1988)
Castineira, J L P; Gomes, V M S; Leite, J. R.
Source: Ciência e Cultura. Conference titles: Reunião Anual da SBPC. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
CASTINEIRA, J L P e GOMES, V M S e LEITE, J. R. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 13 nov. 2024. , 1988
APA
Castineira, J. L. P., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1988). Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. Instituto de Física, Universidade de São Paulo.
NLM
Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. 1988 ;40( 7 supl.): 350.[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Castineira JLP, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica de impurezas em germanio. Ciência e Cultura. 1988 ;40( 7 supl.): 350.[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Estrutura eletronica de impurezas de metais de transicao em diamante e germanio (1988)
Alves, H W L; Leite, J. R.; Alves, J L A
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. e ALVES, J L A. Estrutura eletronica de impurezas de metais de transicao em diamante e germanio. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Alves, J. L. A. (1988). Estrutura eletronica de impurezas de metais de transicao em diamante e germanio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Estrutura eletronica de impurezas de metais de transicao em diamante e germanio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Estrutura eletronica de impurezas de metais de transicao em diamante e germanio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Trabalho de evento-resumo
Modos locais de vibracao em 'GA''AS' intrinseco (1988)
Dal Pino Junior, A; Silva, E C F; Leite, J. R.
Source: Programa e Resumos. Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada. Unidade: IF
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
DAL PINO JUNIOR, A e SILVA, E C F e LEITE, J. R. Modos locais de vibracao em 'GA''AS' intrinseco. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 13 nov. 2024.
APA
Dal Pino Junior, A., Silva, E. C. F., & Leite, J. R. (1988). Modos locais de vibracao em 'GA''AS' intrinseco. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica.
NLM
Dal Pino Junior A, Silva ECF, Leite JR. Modos locais de vibracao em 'GA''AS' intrinseco. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]
Vancouver
Dal Pino Junior A, Silva ECF, Leite JR. Modos locais de vibracao em 'GA''AS' intrinseco. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 nov. 13 ]

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