Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields (1988)
- Authors:
- Autor USP: GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF
- Unidade: IF
- Assunto: CAMPO MAGNÉTICO
- Language: Português
- Source:
- Título do periódico: Fisica Y Tecnologia de Semicondutores
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.3 , p.50-64, 1988
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ABNT
GOMES, V M S et al. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores, v. 3 , p. 50-64, 1988Tradução . . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Gomes, V. M. S., Oliveira, G. M. G., Leite, J. R., & Chaves, A. S. (1988). Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores, 3 , 50-64. -
NLM
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores. 1988 ;3 50-64.[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Gomes VMS, Oliveira GMG, Leite JR, Chaves AS. Electrons at gaas-algaas heterojunctions in parallel magnetic fields. Fisica Y Tecnologia de Semicondutores. 1988 ;3 50-64.[citado 2024 abr. 23 ] - Aplicação de uma versão generalizada do metodo do espalhamento multiplo ao 'H POT.+ IND.2'
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