Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio (1988)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF ; ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1988
- Source:
- Título do periódico: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
LINO, A T et al. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 18 set. 2024. -
APA
Lino, A. T., Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1988). Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Lino AT, Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 set. 18 ] -
Vancouver
Lino AT, Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR. Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 set. 18 ] - Electronic structure of complex defects in silicon
- Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon
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