Electronic structure of complex defects in silicon (1988)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF ; ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidades: IF; IF; IF
- DOI: 10.1007/bfb0034418
- Language: Português
- Source:
- Título do periódico: Lec Notes in Phys
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.301, p.75-94, 1988
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
LEITE, J. R.; ASSALI, L. V. C.; GOMES, V M S. Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys[S.l.], v. 301, p. 75-94, 1988. DOI: 10.1007/bfb0034418. -
APA
Leite, J. R., Assali, L. V. C., & Gomes, V. M. S. (1988). Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys, 301, 75-94. doi:10.1007/bfb0034418 -
NLM
Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94. -
Vancouver
Leite JR, Assali LVC, Gomes VMS. Electronic structure of complex defects in silicon. Lec Notes in Phys. 1988 ;301 75-94. - Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium
- Electronic states of 'MN IND.4' complex cluster in silicon
- Estrutura eletronica do complexo 'MN IND.4' em silicio
- Eletronic structure of the 'MN IND.4' complex in silicon
- Estrutura eletronica de pares impureza do grupo iv - hidrogenio em silicio
- Estrutura eletronica dos complexos 'MN IND.4' e 'FE IND.4' em silicio
- Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon
- Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'
- Self-consistent calculations of the two-dimensional electron density in modulation-doped superlattices
- Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'
Informações sobre o DOI: 10.1007/bfb0034418 (Fonte: oaDOI API)
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