Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium (1989)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF ; ASSALI, LUCY VITORIA CREDIDIO - IF
- Unidade: IF
- Assunto: SILÍCIO
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Institute of Physics Conference Series
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.95, p.453, 1989
-
ABNT
ASSALI, L. V. C. et al. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series, v. 95, p. 453, 1989Tradução . . Acesso em: 21 out. 2024. -
APA
Assali, L. V. C., Gomes, V. M. S., Leite, J. R., Chacham, H., & Alves, J. L. A. (1989). Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series, 95, 453. -
NLM
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR, Chacham H, Alves JLA. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series. 1989 ;95 453.[citado 2024 out. 21 ] -
Vancouver
Assali LVC, Gomes VMS, Leite JR, Chacham H, Alves JLA. Shallow acceptor action of c-h pair in silicon and germanium. Institute of Physics Conference Series. 1989 ;95 453.[citado 2024 out. 21 ] - Electronic structure of complex defects in silicon
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