Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon (1986)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF
- School: IF
- Language: Português
- Source:
- Título do periódico: Mat Science Forum
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.10-2, n.pt.3, p.905-10, 1986
- Conference title: International Conference on Defects in Semiconductors
-
ABNT
GOMES, V M S e LEITE, J. R. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 07 jul. 2022. , 1986 -
APA
Gomes, V. M. S., & Leite, J. R. (1986). Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo. -
NLM
Gomes VMS, Leite JR. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 905-10.[citado 2022 jul. 07 ] -
Vancouver
Gomes VMS, Leite JR. Theoretical investigation of deep level complexes related to carbon and oxygen impurities in silicon. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 905-10.[citado 2022 jul. 07 ] - Electronic structure of oxygen-related complex defects in silicon
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