Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon (1986)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1002/qua.560300764
- Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Language: Português
- Source:
- Título: International Journal of Quantum Chemistry. Symposium
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.20, p.749-61, 1986
- Este artigo NÃO possui versão em acesso aberto
-
Status: Nenhuma versão em acesso aberto identificada -
ABNT
GOMES, V M S e ASSALI, Lucy Vitoria Credidio e LEITE, J. R. Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, v. 20, p. 749-61, 1986Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1002/qua.560300764. Acesso em: 11 mar. 2026. -
APA
Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., & Leite, J. R. (1986). Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium, 20, 749-61. doi:10.1002/qua.560300764 -
NLM
Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 749-61.[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560300764 -
Vancouver
Gomes VMS, Assali LVC, Leite JR. Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon [Internet]. International Journal of Quantum Chemistry. Symposium. 1986 ;20 749-61.[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1002/qua.560300764 - Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon
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