Self-consistent calculations of the two-dimensional electron density in modulation-doped superlattices (1987)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1103/physrevb.35.3984
- Assunto: DIMENSÃO
- Language: Português
- Source:
- Título: Physical Review B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.35, n.8 , p.3984-9, 1987
- Este artigo NÃO possui versão em acesso aberto
-
Status: Nenhuma versão em acesso aberto identificada -
ABNT
GOMES, V M S et al. Self-consistent calculations of the two-dimensional electron density in modulation-doped superlattices. Physical Review B, v. 35, n. 8 , p. 3984-9, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1103/physrevb.35.3984. Acesso em: 11 mar. 2026. -
APA
Gomes, V. M. S., Chaves, A. S., Leite, J. R., & Worlock, J. M. (1987). Self-consistent calculations of the two-dimensional electron density in modulation-doped superlattices. Physical Review B, 35( 8 ), 3984-9. doi:10.1103/physrevb.35.3984 -
NLM
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Self-consistent calculations of the two-dimensional electron density in modulation-doped superlattices [Internet]. Physical Review B. 1987 ;35( 8 ): 3984-9.[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.35.3984 -
Vancouver
Gomes VMS, Chaves AS, Leite JR, Worlock JM. Self-consistent calculations of the two-dimensional electron density in modulation-doped superlattices [Internet]. Physical Review B. 1987 ;35( 8 ): 3984-9.[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1103/physrevb.35.3984 - Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon
- Modelos microscopicos de centros relacionados com hidrogenio em silicio
- Ab-initio mo electronic structure calculations of defect-pair complexes in silicon
- Electronic structure of complex defects in silicon
- Defeitos complexos relacionados ao oxigenio em silicio
- Estrutura eletronica de impurezas em germanio
- Exchange correlation effects on the quantum states of carriers in quantum wells in gaas-algaas heterostructures under in-plane magnetic fields
- Behavior of carriers in quantum wells in 'GA''AS'-'AL IND.X''GA IND.1-X''AS' superlattices under in-plane magnetic fields
- Electronic subbands at gaas-algaas heterojunctions in paralel magnetic fields
- Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'
Informações sobre a disponibilidade de versões do artigo em acesso aberto coletadas automaticamente via oaDOI API (Unpaywall).
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
