Electronic structure of complex defects in silicon (1985)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1007/bfb0034418
- Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Language: Português
- Source:
- Título: Journal of Electronic Materials. Serie a
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.14, p.885-91, 1985
- Este artigo NÃO possui versão em acesso aberto
-
Status: Nenhuma versão em acesso aberto identificada -
ABNT
LEITE, J. R. et al. Electronic structure of complex defects in silicon. Journal of Electronic Materials. Serie a, v. 14, p. 885-91, 1985Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1007/bfb0034418. Acesso em: 11 mar. 2026. -
APA
Leite, J. R., Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., & Scolfaro, L. M. R. (1985). Electronic structure of complex defects in silicon. Journal of Electronic Materials. Serie a, 14, 885-91. doi:10.1007/bfb0034418 -
NLM
Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC, Scolfaro LMR. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Journal of Electronic Materials. Serie a. 1985 ;14 885-91.[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418 -
Vancouver
Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC, Scolfaro LMR. Electronic structure of complex defects in silicon [Internet]. Journal of Electronic Materials. Serie a. 1985 ;14 885-91.[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1007/bfb0034418 - Microscopic models of 'HG POT.+', 'AU POT.0' and 'PT POT.-' Isoelectronic interstitial impurities in silicon
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