Electronic structure of complex defects in silicon (1985)
- Authors:
- USP affiliated authors: LEITE, JOSE ROBERTO - IF ; GOMES, VIVILI MARIA SILVA - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1007/bfb0034418
- Assunto: ESTRUTURA ELETRÔNICA
- Language: Português
- Source:
- Título do periódico: Journal of Electronic Materials. Serie a
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.14, p.885-91, 1985
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
LEITE, J. R.; GOMES, V M S; ASSALI, L. V. C.; SCOLFARO, L M R. Electronic structure of complex defects in silicon. Journal of Electronic Materials. Serie a[S.l.], v. 14, p. 885-91, 1985. DOI: 10.1007/bfb0034418. -
APA
Leite, J. R., Gomes, V. M. S., Assali, L. V. C., & Scolfaro, L. M. R. (1985). Electronic structure of complex defects in silicon. Journal of Electronic Materials. Serie a, 14, 885-91. doi:10.1007/bfb0034418 -
NLM
Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC, Scolfaro LMR. Electronic structure of complex defects in silicon. Journal of Electronic Materials. Serie a. 1985 ;14 885-91. -
Vancouver
Leite JR, Gomes VMS, Assali LVC, Scolfaro LMR. Electronic structure of complex defects in silicon. Journal of Electronic Materials. Serie a. 1985 ;14 885-91. - Efeito de campos magneticos paralelos a pocos quanticos sobre as bandas de valencia e conducao em hetero-estruturas de 'GA''AS'-'AL''GA''AS'
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Informações sobre o DOI: 10.1007/bfb0034418 (Fonte: oaDOI API)
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