Estrutura eletronica de impurezas de metais de transicao em diamante e germanio (1988)
- Authors:
- Autor USP: LEITE, JOSE ROBERTO - IF
- Unidade: IF
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Fisica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1988
- Source:
- Título: Programa e Resumos
- Conference titles: Encontro Nacional de Fisica da Materia Condensada
-
ABNT
ALVES, H W L e LEITE, J. R. e ALVES, J L A. Estrutura eletronica de impurezas de metais de transicao em diamante e germanio. 1988, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica, 1988. . Acesso em: 18 nov. 2024. -
APA
Alves, H. W. L., Leite, J. R., & Alves, J. L. A. (1988). Estrutura eletronica de impurezas de metais de transicao em diamante e germanio. In Programa e Resumos. São Paulo: Sociedade Brasileira de Fisica. -
NLM
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Estrutura eletronica de impurezas de metais de transicao em diamante e germanio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 nov. 18 ] -
Vancouver
Alves HWL, Leite JR, Alves JLA. Estrutura eletronica de impurezas de metais de transicao em diamante e germanio. Programa e Resumos. 1988 ;[citado 2024 nov. 18 ] - Propriedades eletronicas dos complexos ouro substitucional-metal de transicao intersticial em silicio
- Current research on semiconductor physics
- Hydrogen passivation of shallow acceptor levels in crystalline silicon
- Estrutura eletronica do semicondutor diamante tipo p
- Dangling bonds reconstruction effects on the formation entropy of a silicon vacancy
- Semiconductor physics: procedings of the 3 rd brazilian school of semiconductor physics
- Self-consistent one-electron states of substitutional and interstitial 3d transition-atom impurities in diamond and germanium
- Deep levels induced by 3d transition metal impurities in diamond
- Native surface defects at low-index reconstructed cubic GaN surfaces
- Evidence of Fabry-Pérot oscillations in the emission spectra of deep centers in cubic GaN epitaxial layers
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas