ReP USP - Resultado da busca

Relatorio tecnico
Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição de hexametildissilazana (2000)
Nogueira, Sandrino; Silva, Maria Lucia Pereira da
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NOGUEIRA, Sandrino e SILVA, Maria Lucia Pereira da. Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição de hexametildissilazana. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 2000
APA
Nogueira, S., & Silva, M. L. P. da. (2000). Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição de hexametildissilazana. São Paulo: EPUSP.
NLM
Nogueira S, Silva MLP da. Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição de hexametildissilazana. 2000 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Nogueira S, Silva MLP da. Caracterização de filmes obtidos a partir da deposição de hexametildissilazana. 2000 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Relatorio tecnico
Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS (2000)
Toquetti, Leandro Zeidan; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
TOQUETTI, Leandro Zeidan e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 2000
APA
Toquetti, L. Z., & Santos Filho, S. G. dos. (2000). Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS. São Paulo: EPUSP.
NLM
Toquetti LZ, Santos Filho SG dos. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2000 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Toquetti LZ, Santos Filho SG dos. Obtenção de oxinitretos de porta por processamento térmico rápido visando a fabricação de circuitos integrados MOS. 2000 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Relatorio tecnico
A 1.6 GHz dual modulus prescaler using the extended true single-phase-clock CMOS circuit technique (E-TSPC) (2000)
Soares Junior, João Navarro ; Van Noije, Wilhelmus Adrianus Maria
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOARES JUNIOR, João Navarro e VAN NOIJE, Wilhelmus Adrianus Maria. A 1.6 GHz dual modulus prescaler using the extended true single-phase-clock CMOS circuit technique (E-TSPC). . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 2000
APA
Soares Junior, J. N., & Van Noije, W. A. M. (2000). A 1.6 GHz dual modulus prescaler using the extended true single-phase-clock CMOS circuit technique (E-TSPC). São Paulo: EPUSP.
NLM
Soares Junior JN, Van Noije WAM. A 1.6 GHz dual modulus prescaler using the extended true single-phase-clock CMOS circuit technique (E-TSPC). 2000 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Soares Junior JN, Van Noije WAM. A 1.6 GHz dual modulus prescaler using the extended true single-phase-clock CMOS circuit technique (E-TSPC). 2000 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Relatorio tecnico
Hidrogenated carbon films used as mask in wafer processing with integrated circuits: post-processing (2000)
Jaramillo Ocampo, Juan Manuel; Mansano, Ronaldo Domingues ; Charry Rodriguez, Edgar
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
JARAMILLO OCAMPO, Juan Manuel e MANSANO, Ronaldo Domingues e CHARRY RODRIGUEZ, Edgar. Hidrogenated carbon films used as mask in wafer processing with integrated circuits: post-processing. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 2000
APA
Jaramillo Ocampo, J. M., Mansano, R. D., & Charry Rodriguez, E. (2000). Hidrogenated carbon films used as mask in wafer processing with integrated circuits: post-processing. São Paulo: EPUSP.
NLM
Jaramillo Ocampo JM, Mansano RD, Charry Rodriguez E. Hidrogenated carbon films used as mask in wafer processing with integrated circuits: post-processing. 2000 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Jaramillo Ocampo JM, Mansano RD, Charry Rodriguez E. Hidrogenated carbon films used as mask in wafer processing with integrated circuits: post-processing. 2000 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Relatorio tecnico
DECMEF: um sistema de decomposição aplicado à síntese de máquinas de Estados finitos (1998)
Llanos Quintero, Carlos Humberto; Strum, Marius
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LLANOS QUINTERO, Carlos Humberto e STRUM, Marius. DECMEF: um sistema de decomposição aplicado à síntese de máquinas de Estados finitos. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1998
APA
Llanos Quintero, C. H., & Strum, M. (1998). DECMEF: um sistema de decomposição aplicado à síntese de máquinas de Estados finitos. São Paulo: EPUSP.
NLM
Llanos Quintero CH, Strum M. DECMEF: um sistema de decomposição aplicado à síntese de máquinas de Estados finitos. 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Llanos Quintero CH, Strum M. DECMEF: um sistema de decomposição aplicado à síntese de máquinas de Estados finitos. 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Relatorio tecnico
Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas (1998)
Mansano, Ronaldo Domingues ; Verdonck, Patrick Bernard; Maciel, Homero Santiago
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MANSANO, Ronaldo Domingues e VERDONCK, Patrick Bernard e MACIEL, Homero Santiago. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1998
APA
Mansano, R. D., Verdonck, P. B., & Maciel, H. S. (1998). Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas. São Paulo: EPUSP.
NLM
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas. 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Mansano RD, Verdonck PB, Maciel HS. Deep trench etching in silicon with fluorine containing plasmas. 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Relatorio tecnico
Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do silicato de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM) (1998)
Hasan, Nasser Mahmoud; Laganá, Armando Antonio Maria ; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HASAN, Nasser Mahmoud e LAGANÁ, Armando Antonio Maria e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do silicato de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM). . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1998
APA
Hasan, N. M., Laganá, A. A. M., & Santos Filho, S. G. dos. (1998). Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do silicato de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM). São Paulo: EPUSP.
NLM
Hasan NM, Laganá AAM, Santos Filho SG dos. Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do silicato de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM). 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Hasan NM, Laganá AAM, Santos Filho SG dos. Contribuição ao estudo da morfologia da superfície e da interface do silicato de titânio formado sobre Si(100) empregando a técnica de microscopia de força atômica (AFM). 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Relatorio tecnico
Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea (1998)
Hashimoto, Alexandre Ichiro; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Unidade: EP
Subjects: SEMICONDUTORES, CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
HASHIMOTO, Alexandre Ichiro e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1998
APA
Hashimoto, A. I., & Santos Filho, S. G. dos. (1998). Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. São Paulo: EPUSP.
NLM
Hashimoto AI, Santos Filho SG dos. Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Hashimoto AI, Santos Filho SG dos. Estudo experimental da tensão mecânica em filmes finos de cobre obtidos por evaporação ou deposição eletroquímica espontânea. 1998 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Relatorio tecnico
Estudo da influência dos parâmetros de recozimento térmico rápido na morfologia dos filmes de TiSi2 formados e sua correlação com a tensão (1997)
Souza, S G; Laganá, Armando Antonio Maria ; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA, S G e LAGANÁ, Armando Antonio Maria e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Estudo da influência dos parâmetros de recozimento térmico rápido na morfologia dos filmes de TiSi2 formados e sua correlação com a tensão. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1997
APA
Souza, S. G., Laganá, A. A. M., & Santos Filho, S. G. dos. (1997). Estudo da influência dos parâmetros de recozimento térmico rápido na morfologia dos filmes de TiSi2 formados e sua correlação com a tensão. São Paulo: EPUSP.
NLM
Souza SG, Laganá AAM, Santos Filho SG dos. Estudo da influência dos parâmetros de recozimento térmico rápido na morfologia dos filmes de TiSi2 formados e sua correlação com a tensão. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Souza SG, Laganá AAM, Santos Filho SG dos. Estudo da influência dos parâmetros de recozimento térmico rápido na morfologia dos filmes de TiSi2 formados e sua correlação com a tensão. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Relatorio tecnico
Modelamento físico do sistema heteroestrutura-metal (1997)
Rodrigues, C W; Saito, Megumi
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
RODRIGUES, C W e SAITO, Megumi. Modelamento físico do sistema heteroestrutura-metal. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1997
APA
Rodrigues, C. W., & Saito, M. (1997). Modelamento físico do sistema heteroestrutura-metal. São Paulo: EPUSP.
NLM
Rodrigues CW, Saito M. Modelamento físico do sistema heteroestrutura-metal. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Rodrigues CW, Saito M. Modelamento físico do sistema heteroestrutura-metal. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Artigo de periodico
RECMAP: uma ferramenta para otimização em síntese de alto nível baseada em reconhecimento funcional e mapeamento de componentes (1997)
Gerhard, André; Vale Neto, José Vieira do
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
GERHARD, André e VALE NETO, José Vieira do. RECMAP: uma ferramenta para otimização em síntese de alto nível baseada em reconhecimento funcional e mapeamento de componentes. 1997Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/cc6684a3-3612-46f4-86c0-9c77f5b8457b/977152.pdf. Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Gerhard, A., & Vale Neto, J. V. do. (1997). RECMAP: uma ferramenta para otimização em síntese de alto nível baseada em reconhecimento funcional e mapeamento de componentes. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/cc6684a3-3612-46f4-86c0-9c77f5b8457b/977152.pdf
NLM
Gerhard A, Vale Neto JV do. RECMAP: uma ferramenta para otimização em síntese de alto nível baseada em reconhecimento funcional e mapeamento de componentes [Internet]. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/cc6684a3-3612-46f4-86c0-9c77f5b8457b/977152.pdf
Vancouver
Gerhard A, Vale Neto JV do. RECMAP: uma ferramenta para otimização em síntese de alto nível baseada em reconhecimento funcional e mapeamento de componentes [Internet]. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/cc6684a3-3612-46f4-86c0-9c77f5b8457b/977152.pdf
Relatorio tecnico
Lattice heating and energy balance consideration on the I-V characteristics of submicrometer thin-film fully depleted SOI NMOS devices (1997)
Brunetti, Cláudia; Braga, Nelson Liebentritt de Almeida; Zasnicoff, Luiz Sergio
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRUNETTI, Cláudia e BRAGA, Nelson Liebentritt de Almeida e ZASNICOFF, Luiz Sergio. Lattice heating and energy balance consideration on the I-V characteristics of submicrometer thin-film fully depleted SOI NMOS devices. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1997
APA
Brunetti, C., Braga, N. L. de A., & Zasnicoff, L. S. (1997). Lattice heating and energy balance consideration on the I-V characteristics of submicrometer thin-film fully depleted SOI NMOS devices. São Paulo: EPUSP.
NLM
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Lattice heating and energy balance consideration on the I-V characteristics of submicrometer thin-film fully depleted SOI NMOS devices. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Brunetti C, Braga NL de A, Zasnicoff LS. Lattice heating and energy balance consideration on the I-V characteristics of submicrometer thin-film fully depleted SOI NMOS devices. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Relatorio tecnico
Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nOSFET (1997)
Sonnenberg, Victor ; Martino, João Antonio
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nOSFET. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1997
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1997). Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nOSFET. São Paulo: EPUSP.
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nOSFET. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Analysis of the subthreshold slope transition region in SOI nOSFET. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Relatorio tecnico
Analysis of silicon surface microirregularities by laser light scattering (1997)
Souza Filho, J C; Santos Filho, Sebastião Gomes dos
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SOUZA FILHO, J C e SANTOS FILHO, Sebastião Gomes dos. Analysis of silicon surface microirregularities by laser light scattering. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1997
APA
Souza Filho, J. C., & Santos Filho, S. G. dos. (1997). Analysis of silicon surface microirregularities by laser light scattering. São Paulo: EPUSP.
NLM
Souza Filho JC, Santos Filho SG dos. Analysis of silicon surface microirregularities by laser light scattering. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Souza Filho JC, Santos Filho SG dos. Analysis of silicon surface microirregularities by laser light scattering. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Relatorio tecnico
Controle de largura dinâmica para transmissões multicast para redes de alta velocidade (1997)
Lee, S S; Kofuji, Sergio Takeo
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
LEE, S S e KOFUJI, Sergio Takeo. Controle de largura dinâmica para transmissões multicast para redes de alta velocidade. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1997
APA
Lee, S. S., & Kofuji, S. T. (1997). Controle de largura dinâmica para transmissões multicast para redes de alta velocidade. São Paulo: EPUSP.
NLM
Lee SS, Kofuji ST. Controle de largura dinâmica para transmissões multicast para redes de alta velocidade. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Lee SS, Kofuji ST. Controle de largura dinâmica para transmissões multicast para redes de alta velocidade. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Artigo de periodico
Requisitos para o mapeamento tecnológico em projetos de microeletrônica (1997)
Brito, Luciano de Oliveira Correa de; Amazonas, José Roberto de Almeida
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BRITO, Luciano de Oliveira Correa de e AMAZONAS, José Roberto de Almeida. Requisitos para o mapeamento tecnológico em projetos de microeletrônica. 1997Tradução . . Disponível em: https://repositorio.usp.br/directbitstream/03d39321-c219-46db-bc09-8fd92953fb3f/976918.pdf. Acesso em: 19 nov. 2024.
APA
Brito, L. de O. C. de, & Amazonas, J. R. de A. (1997). Requisitos para o mapeamento tecnológico em projetos de microeletrônica. Recuperado de https://repositorio.usp.br/directbitstream/03d39321-c219-46db-bc09-8fd92953fb3f/976918.pdf
NLM
Brito L de OC de, Amazonas JR de A. Requisitos para o mapeamento tecnológico em projetos de microeletrônica [Internet]. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/03d39321-c219-46db-bc09-8fd92953fb3f/976918.pdf
Vancouver
Brito L de OC de, Amazonas JR de A. Requisitos para o mapeamento tecnológico em projetos de microeletrônica [Internet]. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ] Available from: https://repositorio.usp.br/directbitstream/03d39321-c219-46db-bc09-8fd92953fb3f/976918.pdf
Relatorio tecnico
Estudo da sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido visando a aplicação em circuitos integrados (1997)
Marques, Angelo Eduardo Battistini; Furlan, Rogério
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
MARQUES, Angelo Eduardo Battistini e FURLAN, Rogério. Estudo da sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido visando a aplicação em circuitos integrados. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1997
APA
Marques, A. E. B., & Furlan, R. (1997). Estudo da sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido visando a aplicação em circuitos integrados. São Paulo: EPUSP.
NLM
Marques AEB, Furlan R. Estudo da sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido visando a aplicação em circuitos integrados. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Marques AEB, Furlan R. Estudo da sinterização de contatos Al/Ti por recozimento térmico rápido visando a aplicação em circuitos integrados. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Relatorio tecnico
Aluminium etching with CC14-N2 plasma (1997)
Nakazawa, Angela Makie; Verdonck, Patrick Bernard
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
NAKAZAWA, Angela Makie e VERDONCK, Patrick Bernard. Aluminium etching with CC14-N2 plasma. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1997
APA
Nakazawa, A. M., & Verdonck, P. B. (1997). Aluminium etching with CC14-N2 plasma. São Paulo: EPUSP.
NLM
Nakazawa AM, Verdonck PB. Aluminium etching with CC14-N2 plasma. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Nakazawa AM, Verdonck PB. Aluminium etching with CC14-N2 plasma. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Relatorio tecnico
O uso de resistes amplificados quimicamente e de sililação em litografia por feixe de elétrons (1997)
Seabra, Antonio Carlos ; Verdonck, Patrick Bernard
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
SEABRA, Antonio Carlos e VERDONCK, Patrick Bernard. O uso de resistes amplificados quimicamente e de sililação em litografia por feixe de elétrons. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1997
APA
Seabra, A. C., & Verdonck, P. B. (1997). O uso de resistes amplificados quimicamente e de sililação em litografia por feixe de elétrons. São Paulo: EPUSP.
NLM
Seabra AC, Verdonck PB. O uso de resistes amplificados quimicamente e de sililação em litografia por feixe de elétrons. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Seabra AC, Verdonck PB. O uso de resistes amplificados quimicamente e de sililação em litografia por feixe de elétrons. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Relatorio tecnico
Introduction to the SOI MOSFET dimension in the high-temperature leakage drain current model (1997)
Bellodi, Marcello; Martino, João Antonio
Unidade: EP
Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
ABNT
BELLODI, Marcello e MARTINO, João Antonio. Introduction to the SOI MOSFET dimension in the high-temperature leakage drain current model. . São Paulo: EPUSP. . Acesso em: 19 nov. 2024. , 1997
APA
Bellodi, M., & Martino, J. A. (1997). Introduction to the SOI MOSFET dimension in the high-temperature leakage drain current model. São Paulo: EPUSP.
NLM
Bellodi M, Martino JA. Introduction to the SOI MOSFET dimension in the high-temperature leakage drain current model. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]
Vancouver
Bellodi M, Martino JA. Introduction to the SOI MOSFET dimension in the high-temperature leakage drain current model. 1997 ;[citado 2024 nov. 19 ]

USP Schools

ReP

Filtros

Authors

USP affiliated authors