TiO2 nanotubes production and characterization (2012)
- Authors:
- USP affiliated authors: PEREYRA, INÊS - EP ; FRAGA, TIAGO MARQUES - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/04901.0199ecst
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Agências de fomento:
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2012
- Source:
- Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
FRAGA, Tiago Marques e ALBERTIN, Katia Franklin e PEREYRA, Inés. TiO2 nanotubes production and characterization. 2012, Anais.. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo, 2012. Disponível em: https://doi.org/10.1149/04901.0199ecst. Acesso em: 26 jan. 2026. -
APA
Fraga, T. M., Albertin, K. F., & Pereyra, I. (2012). TiO2 nanotubes production and characterization. In Microelectronics technology and devices, SBMicro. Pennington: Escola Politécnica, Universidade de São Paulo. doi:10.1149/04901.0199ecst -
NLM
Fraga TM, Albertin KF, Pereyra I. TiO2 nanotubes production and characterization [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0199ecst -
Vancouver
Fraga TM, Albertin KF, Pereyra I. TiO2 nanotubes production and characterization [Internet]. Microelectronics technology and devices, SBMicro. 2012 ;[citado 2026 jan. 26 ] Available from: https://doi.org/10.1149/04901.0199ecst - Produção de nanotubos de TiO₂ visando sua aplicação em células solares
- One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor
- Study of MOS capacitors with annealed TiO2 gate dielectric layer
- Study of MOS capacitor with TiO2 and SiO2 and SiO2/TiO2 gate dielectric
- Low temperature pecvd silicon oxide
- Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation
- Photoluminescence in silicon-rich PECVD silicon oxynitride alloys
- Photoluminescenct silicon-rich silicon oxynitride alloys grown by PECVD
- Influence of deposition parameters at the structural characteristics of silicon dioxide deposited by pecvd at low temperatures
- High quality low temperature DPECVD silicon dioxide
Informações sobre o DOI: 10.1149/04901.0199ecst (Fonte: oaDOI API)
Download do texto completo
| Tipo | Nome | Link | |
|---|---|---|---|
 |
3142409.pdf |
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
