Study of MOS capacitors with annealed TiO2 gate dielectric layer (2007)
- Authors:
- Autor USP: PEREYRA, INÊS - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/1.2766918
- Assunto: MICROELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: The Electrochemical Society
- Publisher place: Pennington
- Date published: 2007
- Source:
- Título: SBMicro 2007
- ISSN: 1938-5862
- Conference titles: International Symposium on Microelectronics Technology and Devices SBMICRO
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin e VALLE, Marcio A e PEREYRA, Inés. Study of MOS capacitors with annealed TiO2 gate dielectric layer. 2007, Anais.. Pennington: The Electrochemical Society, 2007. Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.2766918. Acesso em: 09 out. 2024. -
APA
Albertin, K. F., Valle, M. A., & Pereyra, I. (2007). Study of MOS capacitors with annealed TiO2 gate dielectric layer. In SBMicro 2007. Pennington: The Electrochemical Society. doi:10.1149/1.2766918 -
NLM
Albertin KF, Valle MA, Pereyra I. Study of MOS capacitors with annealed TiO2 gate dielectric layer [Internet]. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.2766918 -
Vancouver
Albertin KF, Valle MA, Pereyra I. Study of MOS capacitors with annealed TiO2 gate dielectric layer [Internet]. SBMicro 2007. 2007 ;[citado 2024 out. 09 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.2766918 - Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation
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Informações sobre o DOI: 10.1149/1.2766918 (Fonte: oaDOI API)
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