Photoluminescenct silicon-rich silicon oxynitride alloys grown by PECVD (2006)
- Authors:
- USP affiliated author: PEREYRA, INÊS - EP
- School: EP
- Subject: MATERIAIS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: SBPMat - Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais
- Place of publication: Florianópolis
- Date published: 2006
- Source:
- Título do periódico: Abstracts
- Conference title: Brazilian MRS Meeting
-
ABNT
RIBEIRO, M.; CRIADO, Denise; APARECIDO, R.; PEREYRA, Inés. Photoluminescenct silicon-rich silicon oxynitride alloys grown by PECVD. Anais.. Florianópolis: SBPMat - Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais, 2006. -
APA
Ribeiro, M., Criado, D., Aparecido, R., & Pereyra, I. (2006). Photoluminescenct silicon-rich silicon oxynitride alloys grown by PECVD. In Abstracts. Florianópolis: SBPMat - Sociedade Brasileira de Pesquisa em Materiais. -
NLM
Ribeiro M, Criado D, Aparecido R, Pereyra I. Photoluminescenct silicon-rich silicon oxynitride alloys grown by PECVD. Abstracts. 2006 ; -
Vancouver
Ribeiro M, Criado D, Aparecido R, Pereyra I. Photoluminescenct silicon-rich silicon oxynitride alloys grown by PECVD. Abstracts. 2006 ; - Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation
- One mask step a-Si:H/a-SiOxNy thin film transistor
- Photoluminescence in silicon-rich PECVD silicon oxynitride alloys
- Study of metal oxide-semiconductor capacitors with rf magnetron sputtering TiOx and TiOxNy gate dielectric layer
- High quality low temperature DPECVD silicon dioxide
- Improved density of states and effective charge density in SI/PECVD Si/OxNy interface
- Study of MOS capacitor with TiO2 and SiO2 and SiO2/TiO2 gate dielectric
- Influence of deposition parameters at the structural characteristics of silicon dioxide deposited by pecvd at low temperatures
- Low temperature pecvd silicon oxide
- Ligas de silício amorfo hidrogenado: obtenção, caracterização e aplicações
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
