Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX (2016)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2015.11.021
- Assunto: TRANSISTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Solid-State Electronics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 117, p. 123-129, March 2016
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
AOULAICHE, M; BOURDELLE, K. K.; WITTERS, Liesbeth J; et al. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX. Solid-State Electronics[S.l.], Elsevier, v. 117, p. 123-129, 2016. Disponível em: < https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021 > DOI: 10.1016/j.sse.2015.11.021. -
APA
Aoulaiche, M., Bourdelle, K. K., Witters, L. J., Caillat, C., Simoen, E., & Martino, J. A. (2016). Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX. Solid-State Electronics, 117, 123-129. doi:10.1016/j.sse.2015.11.021 -
NLM
Aoulaiche M, Bourdelle KK, Witters LJ, Caillat C, Simoen E, Martino JA. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 117 123-129.Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021 -
Vancouver
Aoulaiche M, Bourdelle KK, Witters LJ, Caillat C, Simoen E, Martino JA. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 117 123-129.Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021 - Low-Frequency noise behaviour of bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiaton
- Extraction of the oxide charge density at front and back interfaces of SOI NMOSFET devices
- Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)
- A new method for determination of the oxide charge density at the buried oxide/substrate interface in SOI capacitor
- A novel leakage drain current model for SOI MOSFETs devices at high temperature
- A physically-based continuous model for graded-channel SOI MOSFET
- Transistor soi-nmosfet nao auto-alinhado
- Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
- Impact of substrate effect on the fully depleted soi mesfet subthreshold slope at 300k and 77k
- Influencia da temperatura em transistores soi (silicon on insulator) mosfets
Informações sobre o DOI: 10.1016/j.sse.2015.11.021 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
