Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX (2016)
- Authors:
- USP affiliated author: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- School: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2015.11.021
- Subject: TRANSISTORES
- Language: Inglês
- Source:
- Título do periódico: Solid-State Electronics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 117, p. 123-129, March 2016
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
AOULAICHE, Marc; BOURDELLE, K. K.; WITTERS, Liesbeth J; et al. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX. Solid-State Electronics[S.l.], v. 117, p. 123-129, 2016. Disponível em: < https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021 > DOI: 10.1016/j.sse.2015.11.021. -
APA
Aoulaiche, M., Bourdelle, K. K., Witters, L. J., Caillat, C., Simoen, E., & Martino, J. A. (2016). Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX. Solid-State Electronics, 117, 123-129. doi:10.1016/j.sse.2015.11.021 -
NLM
Aoulaiche M, Bourdelle KK, Witters LJ, Caillat C, Simoen E, Martino JA. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 117 123-129.Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021 -
Vancouver
Aoulaiche M, Bourdelle KK, Witters LJ, Caillat C, Simoen E, Martino JA. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 117 123-129.Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021 - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.sse.2015.11.021 (Fonte: oaDOI API)
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