Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX (2016)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2015.11.021
- Assunto: TRANSISTORES
- Language: Inglês
- Source:
- Título: Solid-State Electronics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 117, p. 123-129, March 2016
- Status:
- Nenhuma versão em acesso aberto identificada
-
ABNT
AOULAICHE, Marc et al. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX. Solid-State Electronics, v. 117, p. 123-129, 2016Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021. Acesso em: 24 mar. 2026. -
APA
Aoulaiche, M., Bourdelle, K. K., Witters, L. J., Caillat, C., Simoen, E., & Martino, J. A. (2016). Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX. Solid-State Electronics, 117, 123-129. doi:10.1016/j.sse.2015.11.021 -
NLM
Aoulaiche M, Bourdelle KK, Witters LJ, Caillat C, Simoen E, Martino JA. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 117 123-129.[citado 2026 mar. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021 -
Vancouver
Aoulaiche M, Bourdelle KK, Witters LJ, Caillat C, Simoen E, Martino JA. Understanding and optimizing the floating body retention in FDSOI UTBOX [Internet]. Solid-State Electronics. 2016 ; 117 123-129.[citado 2026 mar. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2015.11.021 - Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
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