Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation (2014)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.sse.2013.09.012
- Subjects: TEMPERATURA; MICROELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Source:
- Título: Solid-State Electronics
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 91, p. 53-58, Jan 2014
- Status:
- Artigo possui versão em acesso aberto em repositório (Green Open Access)
- Versão do Documento:
- Versão submetida (Pré-print)
- Acessar versão aberta:
-
ABNT
NICOLETTI, Talitha et al. Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation. Solid-State Electronics, v. 91, p. 53-58, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.09.012. Acesso em: 24 mar. 2026. -
APA
Nicoletti, T., Santos, S. D. dos, Martino, J. A., Aoulaiche, M., Veloso, A., Claeys, C., et al. (2014). Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation. Solid-State Electronics, 91, 53-58. doi:10.1016/j.sse.2013.09.012 -
NLM
Nicoletti T, Santos SD dos, Martino JA, Aoulaiche M, Veloso A, Claeys C, Simoen E, Jurczak M. Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ; 91 53-58.[citado 2026 mar. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.09.012 -
Vancouver
Nicoletti T, Santos SD dos, Martino JA, Aoulaiche M, Veloso A, Claeys C, Simoen E, Jurczak M. Advantages of different source/drain engineering on scaled UTBOX FDSOI nMOSFETs at high temperature operation [Internet]. Solid-State Electronics. 2014 ; 91 53-58.[citado 2026 mar. 24 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.sse.2013.09.012 - Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
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