Investigation of Bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiation (2014)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/j.microrel.2014.06.013
- Subjects: SILÍCIO; MICROELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Source:
- Título: Microelectronics Reliability
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 54, n. 11, p. 2349-2354, Nov 2014
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
CAÑO DE ANDRADE, Maria Glória et al. Investigation of Bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiation. Microelectronics Reliability, v. 54, n. 11, p. 2349-2354, 2014Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2014.06.013. Acesso em: 13 fev. 2026. -
APA
Caño de Andrade, M. G., Collaert, N., Simoen, E., Claeys, C., Aoulaiche, M., & Martino, J. A. (2014). Investigation of Bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiation. Microelectronics Reliability, 54( 11), 2349-2354. doi:10.1016/j.microrel.2014.06.013 -
NLM
Caño de Andrade MG, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Aoulaiche M, Martino JA. Investigation of Bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiation [Internet]. Microelectronics Reliability. 2014 ; 54( 11): 2349-2354.[citado 2026 fev. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2014.06.013 -
Vancouver
Caño de Andrade MG, Collaert N, Simoen E, Claeys C, Aoulaiche M, Martino JA. Investigation of Bulk and DTMOS triple-gate devices under 60 MeV proton irradiation [Internet]. Microelectronics Reliability. 2014 ; 54( 11): 2349-2354.[citado 2026 fev. 13 ] Available from: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2014.06.013 - Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
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Informações sobre o DOI: 10.1016/j.microrel.2014.06.013 (Fonte: oaDOI API)
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