Study of TiOxNy MOS capacitors (2010)
- Authors:
- Autor USP: PEREYRA, INES - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1149/1.3183707
- Subjects: CAPACITORES; MICROSCOPIA ELETRÔNICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: New Jersey
- Date published: 2010
- Source:
- Título: Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010
- ISSN: 1938-5862
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 31, n. 1, p. 349-358, 2010
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
ALBERTIN, Katia Franklin et al. Study of TiOxNy MOS capacitors. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, v. 31, n. 1, p. 349-358, 2010Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1149/1.3183707. Acesso em: 15 out. 2024. -
APA
Albertin, K. F., Souza, D. C. P. de, Zuñiga Paez, A. A., & Pereyra, I. (2010). Study of TiOxNy MOS capacitors. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010, 31( 1), 349-358. doi:10.1149/1.3183707 -
NLM
Albertin KF, Souza DCP de, Zuñiga Paez AA, Pereyra I. Study of TiOxNy MOS capacitors [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ; 31( 1): 349-358.[citado 2024 out. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3183707 -
Vancouver
Albertin KF, Souza DCP de, Zuñiga Paez AA, Pereyra I. Study of TiOxNy MOS capacitors [Internet]. Microelectronics Technology and Devices - SBMicro 2010. 2010 ; 31( 1): 349-358.[citado 2024 out. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1149/1.3183707 - Silicon carbide clusters in silicon formed by carbon ions implantation
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Informações sobre o DOI: 10.1149/1.3183707 (Fonte: oaDOI API)
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