A simple technique to reduce the influence of the series resistance on the BULK and SOI MOSFET parameter extraction (1997)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Journal of Solid-State Devices and Circuits
- ISSN: 0104-9631
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.5, n.1, p.5-8, February 1997
-
ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley e MARTINO, João Antonio. A simple technique to reduce the influence of the series resistance on the BULK and SOI MOSFET parameter extraction. Journal of Solid-State Devices and Circuits, v. 5, n. 1, p. 5-8, 1997Tradução . . Acesso em: 09 dez. 2025. -
APA
Nicolett, A. S., & Martino, J. A. (1997). A simple technique to reduce the influence of the series resistance on the BULK and SOI MOSFET parameter extraction. Journal of Solid-State Devices and Circuits, 5( 1), 5-8. -
NLM
Nicolett AS, Martino JA. A simple technique to reduce the influence of the series resistance on the BULK and SOI MOSFET parameter extraction. Journal of Solid-State Devices and Circuits. 1997 ;5( 1): 5-8.[citado 2025 dez. 09 ] -
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA. A simple technique to reduce the influence of the series resistance on the BULK and SOI MOSFET parameter extraction. Journal of Solid-State Devices and Circuits. 1997 ;5( 1): 5-8.[citado 2025 dez. 09 ] - Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE
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