A simple method for minimizing the transient effect in SOI nMOSFETs at low temperature (1999)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Pennington
- Date published: 1999
- Source:
- Título: Electrochemical and Solid-State Letters
- ISSN: 1099-0062
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.2, n.11, p.585-586, 1999
-
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. A simple method for minimizing the transient effect in SOI nMOSFETs at low temperature. Electrochemical and Solid-State Letters, v. 2, n. 11, p. 585-586, 1999Tradução . . Acesso em: 11 mar. 2026. -
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (1999). A simple method for minimizing the transient effect in SOI nMOSFETs at low temperature. Electrochemical and Solid-State Letters, 2( 11), 585-586. -
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. A simple method for minimizing the transient effect in SOI nMOSFETs at low temperature. Electrochemical and Solid-State Letters. 1999 ;2( 11): 585-586.[citado 2026 mar. 11 ] -
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. A simple method for minimizing the transient effect in SOI nMOSFETs at low temperature. Electrochemical and Solid-State Letters. 1999 ;2( 11): 585-586.[citado 2026 mar. 11 ] - Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
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