Extraction of the oxide charges at the silicon substrate interface in silicon-on-insulator MOSFET's (1999)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/s0038-1101(99)00178-1
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS MOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Source:
- Título: Solid-State Electronics
- ISSN: 0038-1101
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio. Extraction of the oxide charges at the silicon substrate interface in silicon-on-insulator MOSFET's. Solid-State Electronics, 1999Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(99)00178-1. Acesso em: 16 fev. 2026. -
APA
Pavanello, M. A., & Martino, J. A. (1999). Extraction of the oxide charges at the silicon substrate interface in silicon-on-insulator MOSFET's. Solid-State Electronics. doi:10.1016/s0038-1101(99)00178-1 -
NLM
Pavanello MA, Martino JA. Extraction of the oxide charges at the silicon substrate interface in silicon-on-insulator MOSFET's [Internet]. Solid-State Electronics. 1999 ;[citado 2026 fev. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(99)00178-1 -
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA. Extraction of the oxide charges at the silicon substrate interface in silicon-on-insulator MOSFET's [Internet]. Solid-State Electronics. 1999 ;[citado 2026 fev. 16 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(99)00178-1 - Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0038-1101(99)00178-1 (Fonte: oaDOI API)
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