Analog performance and application of graded-channel fully depleted SOI MOSFETs (2000)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1016/s0038-1101(00)00034-4
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Kidlington
- Date published: 2000
- Source:
- Título: Solid-State Electronics
- ISSN: 0038-1101
- Volume/Número/Paginação/Ano: v. 44, n. 7, p. 1219-1222, July 2000
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio et al. Analog performance and application of graded-channel fully depleted SOI MOSFETs. Solid-State Electronics, v. 44, n. 7, p. 1219-1222, 2000Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(00)00034-4. Acesso em: 03 out. 2024. -
APA
Pavanello, M. A., Martino, J. A., Dessard, V., & Flandre, D. (2000). Analog performance and application of graded-channel fully depleted SOI MOSFETs. Solid-State Electronics, 44( 7), 1219-1222. doi:10.1016/s0038-1101(00)00034-4 -
NLM
Pavanello MA, Martino JA, Dessard V, Flandre D. Analog performance and application of graded-channel fully depleted SOI MOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2000 ; 44( 7): 1219-1222.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(00)00034-4 -
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA, Dessard V, Flandre D. Analog performance and application of graded-channel fully depleted SOI MOSFETs [Internet]. Solid-State Electronics. 2000 ; 44( 7): 1219-1222.[citado 2024 out. 03 ] Available from: https://doi.org/10.1016/s0038-1101(00)00034-4 - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
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Informações sobre o DOI: 10.1016/s0038-1101(00)00034-4 (Fonte: oaDOI API)
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