Determination of silicon film thickness in SOI capacitors (2000)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: IEEE/SBC
- Publisher place: Piscataway
- Date published: 2000
- Source:
- Título: LATW 00: proceedings
- Conference titles: IEEE Latin American Test Workshop
-
ABNT
SONNENBERG, Victor e MARTINO, João Antonio. Determination of silicon film thickness in SOI capacitors. 2000, Anais.. Piscataway: IEEE/SBC, 2000. . Acesso em: 06 fev. 2026. -
APA
Sonnenberg, V., & Martino, J. A. (2000). Determination of silicon film thickness in SOI capacitors. In LATW 00: proceedings. Piscataway: IEEE/SBC. -
NLM
Sonnenberg V, Martino JA. Determination of silicon film thickness in SOI capacitors. LATW 00: proceedings. 2000 ;[citado 2026 fev. 06 ] -
Vancouver
Sonnenberg V, Martino JA. Determination of silicon film thickness in SOI capacitors. LATW 00: proceedings. 2000 ;[citado 2026 fev. 06 ] - Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
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