Optimization of the twin gate SOI MOSFET (1998)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher: SBMicro/LACTRO/LAC
- Publisher place: Curitiba
- Date published: 1998
- Source:
- Título: SBMicro'ICMP 98 : Proceedings
- Conference titles: International Conference on Microelectronics and Packaging
-
ABNT
HOASHI, P T e MARTINO, João Antonio. Optimization of the twin gate SOI MOSFET. 1998, Anais.. Curitiba: SBMicro/LACTRO/LAC, 1998. . Acesso em: 11 mar. 2026. -
APA
Hoashi, P. T., & Martino, J. A. (1998). Optimization of the twin gate SOI MOSFET. In SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. Curitiba: SBMicro/LACTRO/LAC. -
NLM
Hoashi PT, Martino JA. Optimization of the twin gate SOI MOSFET. SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. 1998 ;[citado 2026 mar. 11 ] -
Vancouver
Hoashi PT, Martino JA. Optimization of the twin gate SOI MOSFET. SBMicro'ICMP 98 : Proceedings. 1998 ;[citado 2026 mar. 11 ] - Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
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