Back gate voltage and buried oxide thickness influences on the series resistence of fully depleted SOI MOSFETs at 77K (1998)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1051/jp4:1998306
- Assunto: ENERGIA ELÉTRICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Les Ulis Cedex
- Date published: 1998
- Source:
- Título do periódico: Journal de Physique IV
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.8, p.25-28, 1998
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley; MARTINO, João Antonio; SIMOEN, E; CLAEYS, C. Back gate voltage and buried oxide thickness influences on the series resistence of fully depleted SOI MOSFETs at 77K. Journal de Physique IV, Les Ulis Cedex, v. 8, p. 25-28, 1998. DOI: 10.1051/jp4:1998306. -
APA
Nicolett, A. S., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (1998). Back gate voltage and buried oxide thickness influences on the series resistence of fully depleted SOI MOSFETs at 77K. Journal de Physique IV, 8, 25-28. doi:10.1051/jp4:1998306 -
NLM
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Back gate voltage and buried oxide thickness influences on the series resistence of fully depleted SOI MOSFETs at 77K. Journal de Physique IV. 1998 ;8 25-28. -
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Back gate voltage and buried oxide thickness influences on the series resistence of fully depleted SOI MOSFETs at 77K. Journal de Physique IV. 1998 ;8 25-28. - Transistor soi-nmosfet nao auto-alinhado
- Impact of substrate effect on the fully depleted soi mesfet subthreshold slope at 300k and 77k
- Simple method for the determination of the interface trap density at 77k in fully depleted acumulation mode soi mosfets
- Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
- Combined l and series resistance extraction of ldd mosfets
- Influencia da temperatura em transistores soi (silicon on insulator) mosfets
- New method for determination of the fixed charge densities at the buried oxide interfaces in soi mosfets
- Modelagem do substrato e novos métodos de caracterização elétrica de SOI MOSFET
- A novel leakage drain current model for SOI MOSFETs devices at high temperature
- Components of the leakage current in enhancement-mode SOI nMOSFETs at high temperature. (em CD-Rom)
Informações sobre o DOI: 10.1051/jp4:1998306 (Fonte: oaDOI API)
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
