Back gate voltage and buried-oxide thickness influences on the series resistance of fully depleted SOI MOSFETs at 77 K (1998)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOÃO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- DOI: 10.1051/jp4:1998306
- Assunto: ENERGIA ELÉTRICA
- Language: Inglês
- Imprenta:
- Publisher place: Les Ulis Cedex
- Date published: 1998
- Source:
- Título: Journal de Physique IV
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.8, p.25-28, 1998
- Este periódico é de acesso aberto
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
-
ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley et al. Back gate voltage and buried-oxide thickness influences on the series resistance of fully depleted SOI MOSFETs at 77 K. Journal de Physique IV, v. 8, p. 25-28, 1998Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1051/jp4:1998306. Acesso em: 14 fev. 2026. -
APA
Nicolett, A. S., Martino, J. A., Simoen, E., & Claeys, C. (1998). Back gate voltage and buried-oxide thickness influences on the series resistance of fully depleted SOI MOSFETs at 77 K. Journal de Physique IV, 8, 25-28. doi:10.1051/jp4:1998306 -
NLM
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Back gate voltage and buried-oxide thickness influences on the series resistance of fully depleted SOI MOSFETs at 77 K [Internet]. Journal de Physique IV. 1998 ;8 25-28.[citado 2026 fev. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1051/jp4:1998306 -
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA, Simoen E, Claeys C. Back gate voltage and buried-oxide thickness influences on the series resistance of fully depleted SOI MOSFETs at 77 K [Internet]. Journal de Physique IV. 1998 ;8 25-28.[citado 2026 fev. 14 ] Available from: https://doi.org/10.1051/jp4:1998306 - Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
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Informações sobre o DOI: 10.1051/jp4:1998306 (Fonte: oaDOI API)
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