Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE (1997)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: SEMICONDUTORES
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Resumos
- Conference titles: Simpósio de Iniciação Científica da Universidade de São Paulo
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ABNT
CAMILLO, L M e MARTINO, João Antonio. Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE. 1997, Anais.. São Paulo: USP, 1997. . Acesso em: 23 abr. 2024. -
APA
Camillo, L. M., & Martino, J. A. (1997). Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE. In Resumos. São Paulo: USP. -
NLM
Camillo LM, Martino JA. Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE. Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 23 ] -
Vancouver
Camillo LM, Martino JA. Obtenção da estrutura de perfil de um transistor MOS a partir de parâmetros PSPICE. Resumos. 1997 ;[citado 2024 abr. 23 ] - Temperature influences on the drain leakage current behavior in graded-channel SOI nMOSFETs
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