Anomalia na tensao de limiar de transistores soi mosfet induzida pelo efeito do substrato em baixa temperatura (1995)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: Seminario Brasileiro de Caracterizacao em Microeletronica
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ABNT
PAVANELLO, Marcelo Antonio e MARTINO, João Antonio. Anomalia na tensao de limiar de transistores soi mosfet induzida pelo efeito do substrato em baixa temperatura. 1995, Anais.. Curitiba: Copel, 1995. . Acesso em: 24 fev. 2026. -
APA
Pavanello, M. A., & Martino, J. A. (1995). Anomalia na tensao de limiar de transistores soi mosfet induzida pelo efeito do substrato em baixa temperatura. In Anais. Curitiba: Copel. -
NLM
Pavanello MA, Martino JA. Anomalia na tensao de limiar de transistores soi mosfet induzida pelo efeito do substrato em baixa temperatura. Anais. 1995 ;[citado 2026 fev. 24 ] -
Vancouver
Pavanello MA, Martino JA. Anomalia na tensao de limiar de transistores soi mosfet induzida pelo efeito do substrato em baixa temperatura. Anais. 1995 ;[citado 2026 fev. 24 ] - Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
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