Metodos de extracao do comprimento efetivo de canal e da resistencia serie em transistores mosfets (1995)
- Authors:
- Autor USP: MARTINO, JOAO ANTONIO - EP
- Unidade: EP
- Assunto: CIRCUITOS INTEGRADOS
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: Seminario Brasileiro de Caracterizacao em Microeletronica
-
ABNT
NICOLETT, Aparecido Sirley e MARTINO, João Antonio. Metodos de extracao do comprimento efetivo de canal e da resistencia serie em transistores mosfets. 1995, Anais.. Curitiba: Copel, 1995. . Acesso em: 24 fev. 2026. -
APA
Nicolett, A. S., & Martino, J. A. (1995). Metodos de extracao do comprimento efetivo de canal e da resistencia serie em transistores mosfets. In Anais. Curitiba: Copel. -
NLM
Nicolett AS, Martino JA. Metodos de extracao do comprimento efetivo de canal e da resistencia serie em transistores mosfets. Anais. 1995 ;[citado 2026 fev. 24 ] -
Vancouver
Nicolett AS, Martino JA. Metodos de extracao do comprimento efetivo de canal e da resistencia serie em transistores mosfets. Anais. 1995 ;[citado 2026 fev. 24 ] - Impact of TiN metal gate thickness and the HsSiO nitridation on MuGFETs electrical performance
- Caracterização elétrica de dispositivos SOI MOS em baixa temperatura
- Metodo simples para a obtencao da densidade de armadilhas na primeira e segunda interface em soi-mosfet
- Combined l and series resistance extraction of ldd mosfets
- Influencia da temperatura em transistores soi (silicon on insulator) mosfets
- Impact of substrate effect on the fully depleted soi mesfet subthreshold slope at 300k and 77k
- The impact of gate length scaling on UTBOX FDSOI devices: the digital/analog performance of extension-less structures
- Simple method for the determination of the interface trap density at 77k in fully depleted acumulation mode soi mosfets
- Transistor soi-nmosfet nao auto-alinhado
- Impact of selective epitaxial growth and uniaxial/biaxial strain on DIBL effect using triple gate FinFETs
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
