Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon (1987)
- Authors:
- Autor USP: STOJANOFF, VIVIAN - IF
- Unidade: IF
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título do periódico: Proceedings
- Conference titles: Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology
-
ABNT
STOJANOFF, Vivian; BULLA, Douglas Anderson Pereira. Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon. Anais.. Berlin: Gadest, 1987. -
APA
Stojanoff, V., & Bulla, D. A. P. (1987). Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon. In Proceedings. Berlin: Gadest. -
NLM
Stojanoff V, Bulla DAP. Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon. Proceedings. 1987 ; -
Vancouver
Stojanoff V, Bulla DAP. Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon. Proceedings. 1987 ; - Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski
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