Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon (1987)
- Authors:
- Autor USP: STOJANOFF, VIVIAN - IF
- Unidade: IF
- Language: Português
- Imprenta:
- Source:
- Título: Proceedings
- Conference titles: Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology
-
ABNT
STOJANOFF, Vivian e BULLA, Douglas Anderson Pereira. Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon. 1987, Anais.. Berlin: Gadest, 1987. . Acesso em: 24 jan. 2026. -
APA
Stojanoff, V., & Bulla, D. A. P. (1987). Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon. In Proceedings. Berlin: Gadest. -
NLM
Stojanoff V, Bulla DAP. Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon. Proceedings. 1987 ;[citado 2026 jan. 24 ] -
Vancouver
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