Influence of growth conditions on properties of inp homoepitaxial layers grown by liquid phase epitaxy (1989)
- Authors:
- Autor USP: STOJANOFF, VIVIAN - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/0921-5107(89)90022-6
- Assunto: FÍSICA DA MATÉRIA CONDENSADA
- Language: Inglês
- Source:
- Título: Materials Science and Engineering B
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.3 , n.3 , p.279-85, 1989
- Este periódico é de assinatura
- Este artigo NÃO é de acesso aberto
- Cor do Acesso Aberto: closed
-
ABNT
STOJANOFF, Vivian et al. Influence of growth conditions on properties of inp homoepitaxial layers grown by liquid phase epitaxy. Materials Science and Engineering B, v. 3 , n. 3 , p. 279-85, 1989Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0921-5107(89)90022-6. Acesso em: 15 out. 2024. -
APA
Stojanoff, V., Shahid, M. A., Mcdevitt, T. L., Mahajan, S., Schlesinger, T. E., & Bonner, W. A. (1989). Influence of growth conditions on properties of inp homoepitaxial layers grown by liquid phase epitaxy. Materials Science and Engineering B, 3 ( 3 ), 279-85. doi:10.1016/0921-5107(89)90022-6 -
NLM
Stojanoff V, Shahid MA, Mcdevitt TL, Mahajan S, Schlesinger TE, Bonner WA. Influence of growth conditions on properties of inp homoepitaxial layers grown by liquid phase epitaxy [Internet]. Materials Science and Engineering B. 1989 ;3 ( 3 ): 279-85.[citado 2024 out. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0921-5107(89)90022-6 -
Vancouver
Stojanoff V, Shahid MA, Mcdevitt TL, Mahajan S, Schlesinger TE, Bonner WA. Influence of growth conditions on properties of inp homoepitaxial layers grown by liquid phase epitaxy [Internet]. Materials Science and Engineering B. 1989 ;3 ( 3 ): 279-85.[citado 2024 out. 15 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0921-5107(89)90022-6 - Caracterizacao de interfaces por incidencia rasante de raios-x em modo dispersivo
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Informações sobre o DOI: 10.1016/0921-5107(89)90022-6 (Fonte: oaDOI API)
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