Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers (1986)
- Authors:
- Autor USP: STOJANOFF, VIVIAN - IF
- Unidade: IF
- Language: Português
- Source:
- Título: Mat Science Forum
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.10-2, n.pt.3, p.973-8, 1986
- Conference titles: International Conference on Defects in Semiconductors
-
ABNT
HAHN, S et al. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. [S.l.]: Instituto de Física, Universidade de São Paulo. . Acesso em: 24 jan. 2026. , 1986 -
APA
Hahn, S., Shatas, S., Stein, H. J., Arst, M., Sadana, D. K., Rek, Z. U., & Stojanoff, V. (1986). Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. Instituto de Física, Universidade de São Paulo. -
NLM
Hahn S, Shatas S, Stein HJ, Arst M, Sadana DK, Rek ZU, Stojanoff V. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 973-8.[citado 2026 jan. 24 ] -
Vancouver
Hahn S, Shatas S, Stein HJ, Arst M, Sadana DK, Rek ZU, Stojanoff V. Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers. Mat Science Forum. 1986 ;10-2( pt.3): 973-8.[citado 2026 jan. 24 ] - Influence of growth conditions on properties of inp homoepitaxial layers grown by liquid phase epitaxy
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