Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon

Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon (1987)

Authors:
Autor USP: STOJANOFF, VIVIAN - IF
Unidade: IF
DOI: 10.1016/0022-0248(87)90208-9
Language: Português
Source:
- Título: Journal of Crystal Growth
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.85, n.1-2, p.91-6, 1987

Informações sobre o DOI: 10.1016/0022-0248(87)90208-9 (Fonte: oaDOI API)

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ABNT

BULLA, Douglas Anderson Pereira et al. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon. Journal of Crystal Growth, v. 85, n. 1-2, p. 91-6, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9. Acesso em: 19 jan. 2026.
APA

Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., Stojanoff, V., Ponce, F. A., Hahn, S., & Tiller, W. A. (1987). Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon. Journal of Crystal Growth, 85( 1-2), 91-6. doi:10.1016/0022-0248(87)90208-9
NLM

Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Ponce FA, Hahn S, Tiller WA. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1987 ;85( 1-2): 91-6.[citado 2026 jan. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9
Vancouver

Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Ponce FA, Hahn S, Tiller WA. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1987 ;85( 1-2): 91-6.[citado 2026 jan. 19 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9