Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon (1987)
- Authors:
- Autor USP: STOJANOFF, VIVIAN - IF
- Unidade: IF
- DOI: 10.1016/0022-0248(87)90208-9
- Language: Português
- Source:
- Título: Journal of Crystal Growth
- Volume/Número/Paginação/Ano: v.85, n.1-2, p.91-6, 1987
- Este artigo NÃO possui versão em acesso aberto
-
Status: Nenhuma versão em acesso aberto identificada -
ABNT
BULLA, Douglas Anderson Pereira et al. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon. Journal of Crystal Growth, v. 85, n. 1-2, p. 91-6, 1987Tradução . . Disponível em: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9. Acesso em: 11 mar. 2026. -
APA
Bulla, D. A. P., Castro Junior, W. E., Stojanoff, V., Ponce, F. A., Hahn, S., & Tiller, W. A. (1987). Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon. Journal of Crystal Growth, 85( 1-2), 91-6. doi:10.1016/0022-0248(87)90208-9 -
NLM
Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Ponce FA, Hahn S, Tiller WA. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1987 ;85( 1-2): 91-6.[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9 -
Vancouver
Bulla DAP, Castro Junior WE, Stojanoff V, Ponce FA, Hahn S, Tiller WA. Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon [Internet]. Journal of Crystal Growth. 1987 ;85( 1-2): 91-6.[citado 2026 mar. 11 ] Available from: https://doi.org/10.1016/0022-0248(87)90208-9 - Caracterizacao de defeitos produzidos por carbono em silicio czochralski - doadores termicamente gerados
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