Estudos de defeitos em silício (1990)
- Authors:
- Autor USP: STOJANOFF, VIVIAN - IF
- Unidade: IF
- Subjects: CITOLOGIA; BIOLOGIA CELULAR
- Language: Português
- Imprenta:
- Publisher: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletrônica
- Publisher place: São Paulo
- Date published: 1990
- Source:
- Título: Anais
- Conference titles: Micromat 90 - Simpósio Brasileiro de Microscopia Eletrônica e Técnicas Associadas Na Pesquisa e Materiais
-
ABNT
TEIXEIRA, C V e CONFORTO, E e STOJANOFF, Vivian. Estudos de defeitos em silício. 1990, Anais.. São Paulo: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletrônica, 1990. . Acesso em: 24 jan. 2026. -
APA
Teixeira, C. V., Conforto, E., & Stojanoff, V. (1990). Estudos de defeitos em silício. In Anais. São Paulo: Sociedade Brasileira de Microscopia Eletrônica. -
NLM
Teixeira CV, Conforto E, Stojanoff V. Estudos de defeitos em silício. Anais. 1990 ;[citado 2026 jan. 24 ] -
Vancouver
Teixeira CV, Conforto E, Stojanoff V. Estudos de defeitos em silício. Anais. 1990 ;[citado 2026 jan. 24 ] - Influence of growth conditions on properties of inp homoepitaxial layers grown by liquid phase epitaxy
- Efeitos do carbono na formacao de defeitos no silicio czochralski
- Effects of boron concentration upon oxygen precipitation in cz silicon
- Defects in as-grown n-type czochralski silicon crystals
- Effects of 450'GRAUS'c thermal annealing upon oxygen precipitation in b-doped cz si wafers
- Oxygen precipitation in heavy boron-doped cz silicon
- Estudos ultrasônicos do 'ALFA'-'NI's'O IND.4'.6'H IND.2'o em baixas temperaturas
- Oxygen precipitation in highly carbon doped silicon
- Tecnicas de raios-x no estudo de silicio de titano
- Estudo de doadores em monocristais de 'SI': b
How to cite
A citação é gerada automaticamente e pode não estar totalmente de acordo com as normas
